硼掺杂优化Sr2Si5N8:Eu^2+荧光粉的热稳定性研究

采用高温固相法,在常压氮气条件下,可控的制备出纯相的Sr2Si5N8:Eu2+氮化物红粉。进一步通过EuB6、SiB6、SiB4等不同硼源形式引入硼离子,研究了部分B3-替代N3-对Sr2Si5N8:Eu2+晶体结构和发光性能的影响。结果表明:当以EuB6+EuN的形式引入硼离子时,25℃下Sr2Si5N8-xBx:Eu2+(x=0.3)的发光强度比Sr2Si5N8:Eu2+提高了5.21%;150℃下,相比不含硼的荧光粉发光强度增强了3.10%,荧光粉的热稳定性明显改善。热稳定性的改善归因于B比N具有更强的共价性能,使得Eu-B比Eu-N具有更强的键接强度,引入适量硼离子能够改善发光中心Eu2+周围的晶体场环境,提高晶体的刚性。

Sr_2Si_5N_(8-δ)C_x:Eu^(2+)碳氮化物荧光粉的制备及发光性能研究

采用高温固相法成功制备了Sr_2Si_5N_(8-δ)C_x:Eu^(2+)碳氮化物荧光粉,并研究了Si-C替代Si-N对晶体结构和发光性能的影响。XRD结果表明,部分Si-C替代Si-N并未改变荧光粉的晶体结构,C4-替代N3-最大掺杂量不超过x=1.2。荧光光谱结果表明,荧光粉的激发和发射光谱并未随着x值增加而发生偏移,意味着Si-C替代Si-N对Eu2+周围晶体场环境影响较小;当x=0.3时,荧光粉的发光强度达到最大,随着x值进一步增大,样品结晶性变差,导致其发光强度降低。荧光粉热猝灭性能结果表明,适量的Si-C替代Si-N能够提升样品的热猝灭性能;热猝灭性能提升机制主要采用离子半径错配模型进行解释。