层状热电材料SrAl2Ge2的制备与性质研究

以Ⅱ、Ⅲ和Ⅳ族元素为主的笼状物热电材料研究近年来发展迅速,尤其是在优值系数ZT值上取得了重大突破,而从Sr-Al-Ge笼状物体系中获得的层状结构热电材料却鲜有人关注.本研究利用铝元素作为助溶剂,在1150℃下成功合成了层状SrAl_2Ge_2单晶.采用X射线衍射仪对样品粉末进行表征,通过Rietveld精修证明该晶体具有CaAl_2Si_2结构(空间群为P3-m1,晶胞参数a=b=4.2339(1)?,c=7.4809(0)?).变温电阻率测试发现单晶样品沿c轴方向具有p型半导体行为,此外其在2~300K低温下的比热(C_p)数据符合德拜模型.本研究结果对于开发新型无毒、高性能热电材料具有一定参考价值.

光学浮区法生长掺锗氧化镓单晶及其性质研究

采用光学浮区法生长了尺寸8 mm×40 mm的Ge∶β-Ga_2O_3单晶。XRD物相分析表明Ge∶β-Ga_2O_3单晶仍属于单斜晶系。为对其内部缺陷进行表征,进行了腐蚀实验,在光学显微镜下观察到缺陷密度为6×10~4/cm^2。光学测试表明,与纯单晶相比,Ge∶β-Ga_2O_3单晶在红外波段存在明显吸收,只有位于蓝光区域的两个荧光峰,抑制了紫外与绿光波段的发光。电学性能测试得出,Ge∶β-Ga_2O_3单晶的电导率在10-3量级,说明掺杂Ge4+对β-Ga_2O_3单晶的电学性能的确有改善。

在SiO2结构中掺Ge制得一种新的压电单晶

对α-石英类材料的主要兴趣是由于其良好的压电性质，除α-石英本身外，还有一族“通式”为A^ⅢB^VO4的化合物材料（此外A为Al，Ga，Fe，B；B为P和As）可用两个内相关角描述其结构畸变：内四面体跨角A-O-B，θ和四面体倾（斜）角δ。在非畸变四面体中，

微下拉法生长炉研制及其在BGSO混晶生长上的应用

基于垂直凝固原理设计并研制了适合中低温晶体生长的微下拉法生长炉。采用该生长设备成功生长出不同掺杂浓度的锗硅酸铋纤维晶体,讨论了工艺参数以及掺杂浓度对晶体生长的影响,所得纤维晶体的最大长度达到195 mm。测试了晶体XRD和发射光谱。结果表明,随着SiO_2含量增加,Bi_4(Ge_(1-x)Si_x)_3O_(12)单晶的晶胞参数随着Si含量增加而减小,而Si掺杂使晶体主发射峰轻微地向短波方向移动。