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SrBi_4Ti_4O_(15)陶瓷的制备及其电学行为 被引量:2
1
作者 何开棘 邱军付 王开明 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2008年第10期29-31,34,共4页
采用高强度机械混合的特殊液相沉淀法,以Sr(NO3)3、(C4H9O)4Ti和Bi(NO3)3·5H2O、为原料,制备了SrBi4Ti4O15纳米粉体。研究了前驱体的煅烧温度,粉体结构、粒度,陶瓷的烧结温度及其电性能。结果表明:制得的纳米级SrBi4Ti4O15粉体分... 采用高强度机械混合的特殊液相沉淀法,以Sr(NO3)3、(C4H9O)4Ti和Bi(NO3)3·5H2O、为原料,制备了SrBi4Ti4O15纳米粉体。研究了前驱体的煅烧温度,粉体结构、粒度,陶瓷的烧结温度及其电性能。结果表明:制得的纳米级SrBi4Ti4O15粉体分散性好、粒径分布范围窄,显著降低了其烧结温度,较之普通固相法至少降低100℃,且粉体烧结活性较高,瓷体致密化温度在970~1000℃,成瓷效果良好。在100Hz以下,εr和tanδ随频率增加显著变小。 展开更多
关键词 无机非金属材料 srbi4ti4o15陶瓷 液相沉淀 高强度机械混合
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熔盐法合成SrBi_4Ti_4O_(15)片状铁电陶瓷粉末 被引量:7
2
作者 郝华 罗大兵 +1 位作者 刘韩星 欧阳世翕 《武汉理工大学学报》 CAS CSCD 2004年第1期4-6,共3页
用熔盐法合成了片状 Sr Bi4 Ti4 O1 5粉体 ,对其微观形貌进行了分析 ,讨论了不同温度对合成物相的影响。在 85 0~ 10 0 0℃之间 ,随着温度的升高 ,合成粉体的片状结构更趋明显 ,从 XRD图谱可以看出 ,和 SEM相对应 ,用熔盐法合成的粉体... 用熔盐法合成了片状 Sr Bi4 Ti4 O1 5粉体 ,对其微观形貌进行了分析 ,讨论了不同温度对合成物相的影响。在 85 0~ 10 0 0℃之间 ,随着温度的升高 ,合成粉体的片状结构更趋明显 ,从 XRD图谱可以看出 ,和 SEM相对应 ,用熔盐法合成的粉体烧结后 (0 0 1)面的取向性很明显。 展开更多
关键词 熔盐法 srbi4ti4o15 粉体 片状结构
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流延法制备SrBi_4Ti_4O_(15)压电陶瓷 被引量:1
3
作者 刘涛 曾令可 +4 位作者 税安泽 任雪潭 王书媚 刘艳春 顾永军 《陶瓷学报》 CAS 2007年第1期47-51,共5页
采用固相法和熔盐法(KCl-NaCl 作为熔盐)合成 SrBi_4Ti_4O_(15)陶瓷粉体,用模板晶粒定向技术(TGG)获得具有各向异性晶粒定向排列的 SrBi_4Ti_4O_(15)陶瓷。实验中,着重探讨了流延成型的工艺。分析表明,以预烧温度900℃模板和900℃固相... 采用固相法和熔盐法(KCl-NaCl 作为熔盐)合成 SrBi_4Ti_4O_(15)陶瓷粉体,用模板晶粒定向技术(TGG)获得具有各向异性晶粒定向排列的 SrBi_4Ti_4O_(15)陶瓷。实验中,着重探讨了流延成型的工艺。分析表明,以预烧温度900℃模板和900℃固相粉体在1200℃烧结合成制得的流延片的取向度(79.52%)较高,定向排列程度较高,但由于实验过程中,添加了大量有机溶剂,所以有许多缺陷存在。以900℃模板在1200℃烧结的流延陶瓷片的介电性能最好。 展开更多
关键词 srbi4ti4o15 压电陶瓷 流延法 铋层状结构
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SrBi_4Ti_4O_(15)铁电陶瓷的制备工艺研究 被引量:2
4
作者 郝华 刘韩星 +1 位作者 马麟 欧阳世翕 《现代技术陶瓷》 CAS 2004年第2期3-5,共3页
研究了回相反应合成SrBi4Ti4O15粉末的反应过程及不同预烧温度对SrBi4Ti4O15铁电陶瓷物相结构的影响。对不同工艺条件对SrBi4Ti4O15铁电陶瓷相对密度的影响进行了讨论,确定最佳工艺条件,预烧温度900℃,烧结温度为1100℃(Al2O3埋烧)。
关键词 铋层结构材料 BLSF 固相反应 合成 srbi4ti4o15粉末 预烧温度 铁电陶瓷 物相结构 烧结温度 相对密度
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SrBi_4Ti_4O_(15)陶瓷材料介电和导热性能的研究
5
作者 于峰 王培吉 +2 位作者 李萍 范素华 张奉军 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第12期2014-2017,共4页
用溶胶-凝胶法制备了SrBi4Ti4O15陶瓷材料,研究了烧结温度、铋含量及掺杂Nd对SrBi4Ti4O15陶瓷结构、热扩散率及介电性能的影响。结果发现,SrBi4Ti4O15陶瓷材料的热扩散率和介电常数随烧结温度的升高而增大,最佳烧结温度为1100℃,铋含量... 用溶胶-凝胶法制备了SrBi4Ti4O15陶瓷材料,研究了烧结温度、铋含量及掺杂Nd对SrBi4Ti4O15陶瓷结构、热扩散率及介电性能的影响。结果发现,SrBi4Ti4O15陶瓷材料的热扩散率和介电常数随烧结温度的升高而增大,最佳烧结温度为1100℃,铋含量过量达10%时,SrBi4Ti4O15陶瓷的热扩散率和介电常数最大。随着掺杂量Nd的增加,SrBi4Ti4O15陶瓷的热扩散率和介电常数随之增大。 展开更多
关键词 srbi4ti4o15材料 热导率 ND掺杂 介电性能
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氧空位对SrBi_4Ti_4O_(15)铁电陶瓷电性能的影响 被引量:2
6
作者 王晓军 雒卫廷 《山西大同大学学报(自然科学版)》 2012年第6期20-22,25,共4页
用高温固相烧结法制备了SrBi4Ti4O15(SBTi)铁电陶瓷,用双氧水浸泡72 h进行氧处理的样品与未经过氧处理的样品进行对比研究。样品的介电损耗谱表明:氧处理使SBTi在20℃~300℃温度范围内的介质损耗明显降低,这主要是由于氧处理使样品中... 用高温固相烧结法制备了SrBi4Ti4O15(SBTi)铁电陶瓷,用双氧水浸泡72 h进行氧处理的样品与未经过氧处理的样品进行对比研究。样品的介电损耗谱表明:氧处理使SBTi在20℃~300℃温度范围内的介质损耗明显降低,这主要是由于氧处理使样品中氧空位浓度降低引起的。在温度高于300℃时,经过氧处理的样品的介质损耗迅速增大,这是因为氧处理使空穴载流子浓度增大。通过对材料的直流电导与温度关系的Arrhenius拟合,分析了SBTi的导电机理。结果表明,氧处理并未明显改变样品在300℃~650℃温度区域的载流子激活能,却使其在20℃~300℃范围内的激活能从0.52 eV变化到0.71 eV。 展开更多
关键词 氧空位 srbi4ti4o15 激活能
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SrBi_(4-x)La_xTi_4O_(15)陶瓷材料铁电、介电性能研究
7
作者 朱骏 卢网平 +3 位作者 刘秋朝 毛翔宇 惠荣 陈小兵 《哈尔滨理工大学学报》 CAS 2002年第6期82-84,共3页
按x=0.00,0.10,0.25,0.50,0.75和1.00,制备SrBi_4-xLa_xTi_4O_15的陶瓷样品.用X射线衍射对其微结构进行分析,并测量了铁电、介电性能.结果表明,La掺杂未改变SrBi_4Ti_4O_15的晶体结构;随掺杂量的增加,样品的矫顽场(E_c)减小,剩余极化(2P... 按x=0.00,0.10,0.25,0.50,0.75和1.00,制备SrBi_4-xLa_xTi_4O_15的陶瓷样品.用X射线衍射对其微结构进行分析,并测量了铁电、介电性能.结果表明,La掺杂未改变SrBi_4Ti_4O_15的晶体结构;随掺杂量的增加,样品的矫顽场(E_c)减小,剩余极化(2P_r)先增大,后减小;在x=0.25时,2P_r达到极大值24.2μC·cm^-2,这时E_c=60.8 kV·cm^-1适量La掺杂可提高SrBi_4Ti_4O_15的铁电性能.SrBi_4-xLa_xTi_4O_15的相变温度T_c随x的增加逐渐降低,x=0.25时,T_c=451℃. 展开更多
关键词 srbi4-xLaxti4o15 陶瓷材料 介电性能 LA掺杂 铁电性能 相变温度 钛酸锶铋 镧掺杂
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Bi含量对SrBi_4Ti_4O_(15)铁电陶瓷烧结特性的影响
8
作者 黄平 崔彩娥 徐廷献 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第A01期206-209,共4页
利用固相烧结工艺制备了SrBi_4Ti_4O_(15)(SBTi)铁电陶瓷,研究了过量Bi_2O_3对SBTi陶瓷烧结特性的影响,结果表明:在1150℃以下烧结的Bi不过量的样品完全由SBTi相组成,当烧结温度提高到1175℃时,样品中出现了微量焦绿石结构(S r,Bi)_2Ti_... 利用固相烧结工艺制备了SrBi_4Ti_4O_(15)(SBTi)铁电陶瓷,研究了过量Bi_2O_3对SBTi陶瓷烧结特性的影响,结果表明:在1150℃以下烧结的Bi不过量的样品完全由SBTi相组成,当烧结温度提高到1175℃时,样品中出现了微量焦绿石结构(S r,Bi)_2Ti_2O_7相,当烧结温度提高到1200℃,样品中出现了(S r,Bi)_2Ti_2O_7和Sr_2Bi_4Ti_5O_(18)相。随着烧结温度的提高,SBTi陶瓷材料的晶粒逐渐长大,但晶粒沿a(b)-轴方向生长迅速,而沿c-轴方向晶粒的生长十分缓慢,导致材料c-轴取向度明显增强。过量Bi_2O_3的加入可在降低烧结温度的同时提高材料的密度,可补偿高温烧结过程中Bi的挥发,抑制焦绿石相(Sr,Bi)_2Ti_2O_7的生成及插入型层错的产生。在相同的烧结温度下,随着过量的Bi_2O_3量的增加,材料的c-轴取向度逐渐增大。 展开更多
关键词 srbi4ti4o15 铁电陶瓷:烧结行为
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Sr_xBa_(1-x)Bi_4Ti_4O_(15)陶瓷及SrBi_4Ti_4O_(15)/BaBi_4Ti_4O_(15)复合材料的性能研究
9
作者 黄平 徐廷献 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1226-1229,共4页
采用固相烧结工艺制备了SrxBa1-xBi4Ti4O15铁电陶瓷和SrBi4Ti4O15/BaBi4Ti4O15铁电复合材料。在固相反应过程中,680℃时SrBi4Ti4O15或BaBi4Ti4O15开始生成;800℃时材料主晶相基本形成,但是还有微量焦绿石相存在;850℃时SrBi4Ti4O15或BaB... 采用固相烧结工艺制备了SrxBa1-xBi4Ti4O15铁电陶瓷和SrBi4Ti4O15/BaBi4Ti4O15铁电复合材料。在固相反应过程中,680℃时SrBi4Ti4O15或BaBi4Ti4O15开始生成;800℃时材料主晶相基本形成,但是还有微量焦绿石相存在;850℃时SrBi4Ti4O15或BaBi4Ti4O15的主要衍射峰全部出现。随着Ba含量的增加,SrxBa1-xBi4Ti4O15陶瓷的居里温度逐渐降低。Sr0.5Ba0.5Bi4Ti4O15陶瓷的介电常数峰在高频时较宽,在100Hz时,介电常数峰被随温度升高而逐渐增大的介电常数所“屏蔽”,材料介电损耗随温度升高而增大,但在低频下增加得更快,这是高温下由氧空位引起的电子松弛极化造成的。将预烧后的SrBi4Ti4O15和BaBi4Ti4O15粉体分别造粒后再均匀混合,压片成型,经烧结制得的SrBi4Ti4O15/BaBi4Ti4O15复合陶瓷其相变弥散特性明显优于SrxBa1-xBi4Ti4O15的相变弥散特性。 展开更多
关键词 SrxBa1-xBi4ti4o15铁电陶瓷 srbi4ti4o15/BaBi4ti4o15复合材料 介电性能
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SrBi4Ti4O15铁电陶瓷A位掺杂改性研究
10
作者 王伟 朱骏 +1 位作者 毛翔宇 陈小兵 《中国材料科技与设备》 2006年第1期41-43,50,共4页
采用固相烧鲒法,以镧系元素La和Nd为掺杂离子,制备了不同掺杂量的SrBi4Ti4O15(SBTi)铁电陶瓷。X射线衍射谱显示样品呈随机取向的单一层状钙钛矿结构相。铁电测量显示适量的La和Nd掺杂使得SBTi的剩余极化(2P,)得到显著增加。对于S... 采用固相烧鲒法,以镧系元素La和Nd为掺杂离子,制备了不同掺杂量的SrBi4Ti4O15(SBTi)铁电陶瓷。X射线衍射谱显示样品呈随机取向的单一层状钙钛矿结构相。铁电测量显示适量的La和Nd掺杂使得SBTi的剩余极化(2P,)得到显著增加。对于SrBi4-xLaxTi4O15(SBLT—x),当x=0.25时,2P,达到极大值,为24.2μC/cm^2,对于SrBi4-yNdyTi4O15(SBNT—Y),当y=0.18时,2P,达到极大值,为25.8μC/cm^2,和未掺杂相比,分别增长近50%和56%。SBLT—x样品的矫顽场随掺杂量的增加而逐步减小,SBNT—Y的矫顽场在y=0.00到0.18之间几乎不变,在更大掺杂量下,随掺杂量的增加而逐步减小。掺杂引起材料中点缺陷浓度的降低和晶格畸变的减小,这两种因素的共同作用决定了刺余极化的变化。样品的变温介电谱显示,晶体的居里温度随掺杂量的增加而下降。在掺杂量大于0.75以后,SBLT—x和SBNT—y样品均出现驰豫铁电体的典型特征。 展开更多
关键词 srbi4-xLaxti4o5 srbi4-yNdyti4o15 铁电性能 居里温度 铁电驰豫
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锰对改善CaBi_4Ti_4O_(15)高温压电陶瓷性能的研究 被引量:13
11
作者 顾大国 李国荣 +3 位作者 郑嘹赢 曾江涛 丁爱丽 殷庆瑞 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期626-630,共5页
采用固相法制备了Mn改性的CaBi4Ti4O15(CBT+xmol%MnCO3)层状压电陶瓷.介电温谱显示所有样品居里点在780℃附近,并且发现该材料在110K处有一介电弛豫峰.Mn的加入显著降低了高温下的介电损耗,剩余极化轻微降低,室温介电常数从173减小到... 采用固相法制备了Mn改性的CaBi4Ti4O15(CBT+xmol%MnCO3)层状压电陶瓷.介电温谱显示所有样品居里点在780℃附近,并且发现该材料在110K处有一介电弛豫峰.Mn的加入显著降低了高温下的介电损耗,剩余极化轻微降低,室温介电常数从173减小到162,同时机械品质因子由2700增加到4400,显示了硬性掺杂的效果.在100~600℃范围内,x=1.0的样品比纯组分的电阻率提高了一个数量级以上,500℃的电阻率提高了约2个数量级(10^8Ω·cm),电阻率对温度的Arrhenius拟合由两段过渡到三段,压电系数d33由7提高到14.5.实验结果表明,Mn改性的CBT在高温传感器等领域具有应用前景. 展开更多
关键词 压电陶瓷 硬性掺杂 电阻率 CaBi4ti4o15
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Bi含量对SrBi_4Ti_4O_(15)铁电材料性能的影响 被引量:5
12
作者 朱骏 毛翔宇 +3 位作者 卢网平 惠荣 陆文峰 陈小兵 《扬州大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 2003年第1期33-36,共4页
SrBi 4 Ti 4O 15 ceramics samples with different Bi content of which mole radio, n (Sr): n (Bi): n (Ti):,is 1:4(1+x):4(x=-0.05,0,0.05,0.10,0.15,0.20),are prepared by solid-state reaction method.Their structure is analy... SrBi 4 Ti 4O 15 ceramics samples with different Bi content of which mole radio, n (Sr): n (Bi): n (Ti):,is 1:4(1+x):4(x=-0.05,0,0.05,0.10,0.15,0.20),are prepared by solid-state reaction method.Their structure is analyzed by X-ray diffraction,and their dielectricity and ferroelectricity are measured.Results show that pure SrBi 4 Ti 4O 15 pahase exists in the samples whith x=0.05 and 0.10.The sintered ceramics with x=0.05 have good ferroelectric and dielectric properties:The remnant polarization (2 P r) and coercive field ( E c) are 2.86×10 -9 C·m -2 and 8.65×10 6V·m -1 .The dielectric constant (ε r) changes litter in the range from 1 kHz to 4MHz,and ε r is 425 at the frequency of 1 MHz. 展开更多
关键词 srbi4ti4o15铁电材料 介电性能 铁电性能 剩余极化强度 矫顽电场强度
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La掺杂SrBi_4Ti_4O_(15)结构影响研究 被引量:7
13
作者 郝华 刘韩星 +1 位作者 曹明贺 欧阳世翕 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期208-209,213,共3页
通过对La不同掺杂比例SBT的XRD、拉曼光谱测试表明La掺杂对铋层状结构材料SBT的结构没有破坏。随掺杂量增加La取代不同位置,SBT拉曼光谱中270cm-1峰和550cm-1峰先宽化然后逐渐锐化,314cm-1肩峰锐化,870cm-1峰没有太大的变化。La掺杂进... 通过对La不同掺杂比例SBT的XRD、拉曼光谱测试表明La掺杂对铋层状结构材料SBT的结构没有破坏。随掺杂量增加La取代不同位置,SBT拉曼光谱中270cm-1峰和550cm-1峰先宽化然后逐渐锐化,314cm-1肩峰锐化,870cm-1峰没有太大的变化。La掺杂进入类钙钛矿层对邻近TiO6八面体振动影响更大。 展开更多
关键词 srbi4ti4o15 掺杂 铋层状结构材料
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(Ba_(1-x)Sr_x)La_4Ti_4O_(15)(x=0.8~0.95)陶瓷的微结构及微波介电性能研究 被引量:5
14
作者 刘林 方有维 +3 位作者 邓新峰 庄文东 唐斌 张树人 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期281-284,共4页
采用固相反应法制备了(Ba1-xSrx)La4Ti4O15(x=0.8~0.95)复合体系微波介质陶瓷,并对其进行物相组成、晶体结构分析以及微波介电性能的研究.研究结果表明,(Ba1-xSrx)La4Ti4O15陶瓷主晶相为SrLa4Ti4O15,并伴随有第二相SrLa8Ti9O15.SE... 采用固相反应法制备了(Ba1-xSrx)La4Ti4O15(x=0.8~0.95)复合体系微波介质陶瓷,并对其进行物相组成、晶体结构分析以及微波介电性能的研究.研究结果表明,(Ba1-xSrx)La4Ti4O15陶瓷主晶相为SrLa4Ti4O15,并伴随有第二相SrLa8Ti9O15.SEM观察表明,Ba0.2Sr0.8La4Ti4O15陶瓷内部微观结构致密,晶粒尺寸在10~20μm之间,晶界清晰.随着x值逐渐增大,(Ba1-xSrx)La4Ti4O15陶瓷中晶粒形态发生变化,气孔增多.在x=0.8时,(Ba1-xSrx)La4Ti4O15陶瓷具有优良的微波介电性能,即εr=40.86,Q×f≈62806 GHz,τf=20×10 6/℃.随着Ba2+的含量逐渐增加,该陶瓷的介电常数εr单调上升,品质因子Q×f值增加,说明适量的Ba2+替代Sr2+能改善陶瓷的微波介电性能. 展开更多
关键词 微波介质陶瓷 类钙钛矿结构 微波介电性能 SrLa4ti4o15
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La、V掺杂对SrBi_4Ti_4O_(15)性能影响对比研究 被引量:3
15
作者 赵成 朱骏 陈小兵 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期610-612,共3页
 采用传统固相烧结工艺,制备了掺杂量分别为0.00~1.00、0.00~0.06的La、V掺杂SrBi4Ti4O15铁电陶瓷。X射线衍射结果显示,La、V对SrBi4Ti4O15的A、B位掺杂都未影响材料的晶体结构。A、B位掺杂均改善了材料的铁电性能。La掺杂量为0.25时...  采用传统固相烧结工艺,制备了掺杂量分别为0.00~1.00、0.00~0.06的La、V掺杂SrBi4Ti4O15铁电陶瓷。X射线衍射结果显示,La、V对SrBi4Ti4O15的A、B位掺杂都未影响材料的晶体结构。A、B位掺杂均改善了材料的铁电性能。La掺杂量为0.25时,SBTi的剩余极化(2Pr)增大50%,同时矫顽场(2Ec)下降了25%。少量的V取代SBTi的B位Ti离子后,2Ec虽无明显变化,但2Pr却可增大近两倍,并且不影响材料的居里温度,而A位掺杂导致了材料的居里温度的明显下降。这与A、B位掺杂对材料晶格畸变程度的影响有关。 展开更多
关键词 srbi4ti4o15 掺杂 铁电性能 居里温度
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Nb5+掺杂改性CaBi4Ti4O15压电陶瓷的研究 被引量:3
16
作者 洪燕 李月明 +4 位作者 沈宗洋 王竹梅 廖润华 李润润 刘虎 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2011年第2期224-227,共4页
采用传统固相烧结法,制备了CaBi4Ti(1-x)NbxO1(5x=0.00-0.05,CBT-N)系铋层状结构无铅压电陶瓷。研究了Nb5+掺杂对CBT压电陶瓷压电与介电性能的影响。研究结果表明:添加Nb5+离子,改善了CBT陶瓷的烧结特性,提高了瓷体的致密度。Nb2O5的引... 采用传统固相烧结法,制备了CaBi4Ti(1-x)NbxO1(5x=0.00-0.05,CBT-N)系铋层状结构无铅压电陶瓷。研究了Nb5+掺杂对CBT压电陶瓷压电与介电性能的影响。研究结果表明:添加Nb5+离子,改善了CBT陶瓷的烧结特性,提高了瓷体的致密度。Nb2O5的引入降低了CBT系列陶瓷的介质损耗,改善了陶瓷的压电与介电性能。当掺入量x=0.04(CaBi4Ti0.96Nb0.04O15)时制备的CBT基铋层状压电陶瓷具有优异的压电性能:d33=14pC/N,Qm=3086,εr=212,tanδ=0.0041,kt/kp=1.681。 展开更多
关键词 铋层状 介电性能 压电性能 CaBi4ti4o15
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Sr_x(Na_(0.5)Bi_(0.5))_(1-x)Bi_4Ti_4O_(15)高温压电陶瓷的研究 被引量:2
17
作者 傅小龙 江向平 +2 位作者 陈超 李小红 涂娜 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2013年第9期17-21,共5页
采用传统固相法制备了Sr x(Na0.5Bi0.5)1-x Bi4Ti4O15(SNBT-100x,0≤x≤0.200)层状压电陶瓷。系统地研究了Sr2+对(Na0.5Bi0.5)Bi4Ti4O15基陶瓷的显微结构和电性能的影响。结果表明,所有陶瓷样品均为单一的正交铋层状结构相。适量Sr的掺... 采用传统固相法制备了Sr x(Na0.5Bi0.5)1-x Bi4Ti4O15(SNBT-100x,0≤x≤0.200)层状压电陶瓷。系统地研究了Sr2+对(Na0.5Bi0.5)Bi4Ti4O15基陶瓷的显微结构和电性能的影响。结果表明,所有陶瓷样品均为单一的正交铋层状结构相。适量Sr的掺入能明显改善陶瓷的机械性能和电性能。当x=0.100时,样品获得了最佳性能:机械品质因素Q m=3519,压电常数d33=20 pC/N,平面机电耦合系数k p=5.192%,厚度机电耦合系数k t=6.240%,相对介电常数εr=162,介电损耗tanδ=0.657%,居里温度T C=626℃。此外,热稳定性能研究显示SNBT-10陶瓷具有良好的压电稳定性,具有在高温领域下应用的前景。 展开更多
关键词 压电陶瓷 Srx(Na0 5Bi0 5)1-xBi4ti4o15 微观结构 介电性能 机电性能
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W^6+掺杂SrBi4Ti4O(15)-Bi4Ti3O(12)共生铋层状压电陶瓷的结构与电学性能 被引量:1
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作者 黄立伟 江向平 +2 位作者 陈超 黄枭坤 聂鑫 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2021年第1期24-29,35,共7页
采用固相法制备了SrBi8Ti(7-x)WxO(27)(SBT-BIT-xW^6+,x=0.00,0.02,0.04,0.06,0.08,0.10)共生铋层状压电陶瓷材料,系统研究了W^6+掺杂对陶瓷样品的微观结构、介电、压电及铁电性能的影响。研究发现所有样品均为单一的m=3.5的共生铋层状... 采用固相法制备了SrBi8Ti(7-x)WxO(27)(SBT-BIT-xW^6+,x=0.00,0.02,0.04,0.06,0.08,0.10)共生铋层状压电陶瓷材料,系统研究了W^6+掺杂对陶瓷样品的微观结构、介电、压电及铁电性能的影响。研究发现所有样品均为单一的m=3.5的共生铋层状结构,且所有陶瓷均有较高致密性,烧结效果较好。拉曼结果表明引入W^6+后优化晶体结构,降低了晶格畸变程度。施主掺杂能有效地降低氧空位浓度,使陶瓷样品介电损耗大幅降低,同时显著地增强了样品的铁电性能和压电性能;当掺杂量x=0.08时,样品的压电常数d(33)由11 pC/N提高到24.1 pC/N,剩余极化强度2Pr由3.72 μC/cm~2提至5.54 μC/cm^2,居里温度Tc由595℃降至554℃。并且当退火温度为500℃时,其d(33)仍保持23.2 pC/N,约为初始值的96.3%。表明该材料在高温领域具有潜在应用价值。 展开更多
关键词 共生结构 施主掺杂 微观结构 电学性能 氧空位 srbi4ti4o(15)-Bi4ti3o(12)
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Nb、Ta掺杂Na_(0.5)Bi_(4.5)Ti_4O_(15)铋层状陶瓷的性能研究 被引量:2
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作者 邵虹 江向平 +2 位作者 傅小龙 涂娜 李小红 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2015年第2期307-310,共4页
采用固相烧结法制备了Na0.5Bi4.5Ti4-2xNbxTaxO15(NBTNT-x,0≤x≤0.06)铋层状压电陶瓷材料,研究了不同量Nb、Ta掺入对Na0.5Bi4.5Ti4O15陶瓷结构和电性能的影响。结果表明,所有样品均为单一的铋层状结构。适量Nb,Ta掺入能细化陶瓷晶粒,... 采用固相烧结法制备了Na0.5Bi4.5Ti4-2xNbxTaxO15(NBTNT-x,0≤x≤0.06)铋层状压电陶瓷材料,研究了不同量Nb、Ta掺入对Na0.5Bi4.5Ti4O15陶瓷结构和电性能的影响。结果表明,所有样品均为单一的铋层状结构。适量Nb,Ta掺入能细化陶瓷晶粒,提高其致密性,降低电导率σ和介电损耗tanδ;同时,居里温度TC随Nb、Ta掺入量的增加而降低,但均高于610℃;当x=0.02时,陶瓷样品电性能最佳,即压电常数d33=17pC/N,机电耦合常数kp=4.19%,kt=18.10%,品质因数Qm=3 527,剩余极化强度Pr=10.50μC/cm2。 展开更多
关键词 铋层状 介电性能 压电性能 铁电性能 Na0.5Bi4.5ti4o15
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Sr_(1-x)Ba_xBi_4Ti_4O_(15)铁电陶瓷性能研究 被引量:2
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作者 张志德 林霖 金玲 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期12-14,共3页
采用传统固相反应法制备了Sr1–xBaxBi4Ti4O15(x=0~1.0)铁电陶瓷,研究了Ba取代量对其烧结性能和介电性能的影响。结果表明,适量Ba取代促使陶瓷样品烧结温度由1240℃降至1130℃左右,tanδ降至20×10–4,体积电阻率ρv提高一个数量级... 采用传统固相反应法制备了Sr1–xBaxBi4Ti4O15(x=0~1.0)铁电陶瓷,研究了Ba取代量对其烧结性能和介电性能的影响。结果表明,适量Ba取代促使陶瓷样品烧结温度由1240℃降至1130℃左右,tanδ降至20×10–4,体积电阻率ρv提高一个数量级,同时居里峰显著展宽,居里温度tC下降。当x=0.7时,在1130℃烧结6h获得的陶瓷样品综合介电性能较好:εr≈150,tanδ=53×10–4,ρv=1.7×109Ω·m,tC≈430℃。 展开更多
关键词 srbi4ti4o15 铁电陶瓷 A位取代 体积电阻率
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