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Bi含量对SrBi_4Ti_4O_(15)铁电材料性能的影响 被引量:5
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作者 朱骏 毛翔宇 +3 位作者 卢网平 惠荣 陆文峰 陈小兵 《扬州大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 2003年第1期33-36,共4页
SrBi 4 Ti 4O 15 ceramics samples with different Bi content of which mole radio, n (Sr): n (Bi): n (Ti):,is 1:4(1+x):4(x=-0.05,0,0.05,0.10,0.15,0.20),are prepared by solid-state reaction method.Their structure is analy... SrBi 4 Ti 4O 15 ceramics samples with different Bi content of which mole radio, n (Sr): n (Bi): n (Ti):,is 1:4(1+x):4(x=-0.05,0,0.05,0.10,0.15,0.20),are prepared by solid-state reaction method.Their structure is analyzed by X-ray diffraction,and their dielectricity and ferroelectricity are measured.Results show that pure SrBi 4 Ti 4O 15 pahase exists in the samples whith x=0.05 and 0.10.The sintered ceramics with x=0.05 have good ferroelectric and dielectric properties:The remnant polarization (2 P r) and coercive field ( E c) are 2.86×10 -9 C·m -2 and 8.65×10 6V·m -1 .The dielectric constant (ε r) changes litter in the range from 1 kHz to 4MHz,and ε r is 425 at the frequency of 1 MHz. 展开更多
关键词 srbi4ti4o15铁电材料 介电性能 铁电性能 剩余极化强度 矫顽电场强度
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熔盐法合成SrBi_4Ti_4O_(15)片状铁电陶瓷粉末 被引量:7
2
作者 郝华 罗大兵 +1 位作者 刘韩星 欧阳世翕 《武汉理工大学学报》 CAS CSCD 2004年第1期4-6,共3页
用熔盐法合成了片状 Sr Bi4 Ti4 O1 5粉体 ,对其微观形貌进行了分析 ,讨论了不同温度对合成物相的影响。在 85 0~ 10 0 0℃之间 ,随着温度的升高 ,合成粉体的片状结构更趋明显 ,从 XRD图谱可以看出 ,和 SEM相对应 ,用熔盐法合成的粉体... 用熔盐法合成了片状 Sr Bi4 Ti4 O1 5粉体 ,对其微观形貌进行了分析 ,讨论了不同温度对合成物相的影响。在 85 0~ 10 0 0℃之间 ,随着温度的升高 ,合成粉体的片状结构更趋明显 ,从 XRD图谱可以看出 ,和 SEM相对应 ,用熔盐法合成的粉体烧结后 (0 0 1)面的取向性很明显。 展开更多
关键词 熔盐法 srbi4ti4o15 粉体 片状结构
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La掺杂SrBi_4Ti_4O_(15)结构影响研究 被引量:7
3
作者 郝华 刘韩星 +1 位作者 曹明贺 欧阳世翕 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期208-209,213,共3页
通过对La不同掺杂比例SBT的XRD、拉曼光谱测试表明La掺杂对铋层状结构材料SBT的结构没有破坏。随掺杂量增加La取代不同位置,SBT拉曼光谱中270cm-1峰和550cm-1峰先宽化然后逐渐锐化,314cm-1肩峰锐化,870cm-1峰没有太大的变化。La掺杂进... 通过对La不同掺杂比例SBT的XRD、拉曼光谱测试表明La掺杂对铋层状结构材料SBT的结构没有破坏。随掺杂量增加La取代不同位置,SBT拉曼光谱中270cm-1峰和550cm-1峰先宽化然后逐渐锐化,314cm-1肩峰锐化,870cm-1峰没有太大的变化。La掺杂进入类钙钛矿层对邻近TiO6八面体振动影响更大。 展开更多
关键词 srbi4ti4o15 掺杂 铋层状结构材料
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La、V掺杂对SrBi_4Ti_4O_(15)性能影响对比研究 被引量:3
4
作者 赵成 朱骏 陈小兵 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期610-612,共3页
 采用传统固相烧结工艺,制备了掺杂量分别为0.00~1.00、0.00~0.06的La、V掺杂SrBi4Ti4O15铁电陶瓷。X射线衍射结果显示,La、V对SrBi4Ti4O15的A、B位掺杂都未影响材料的晶体结构。A、B位掺杂均改善了材料的铁电性能。La掺杂量为0.25时...  采用传统固相烧结工艺,制备了掺杂量分别为0.00~1.00、0.00~0.06的La、V掺杂SrBi4Ti4O15铁电陶瓷。X射线衍射结果显示,La、V对SrBi4Ti4O15的A、B位掺杂都未影响材料的晶体结构。A、B位掺杂均改善了材料的铁电性能。La掺杂量为0.25时,SBTi的剩余极化(2Pr)增大50%,同时矫顽场(2Ec)下降了25%。少量的V取代SBTi的B位Ti离子后,2Ec虽无明显变化,但2Pr却可增大近两倍,并且不影响材料的居里温度,而A位掺杂导致了材料的居里温度的明显下降。这与A、B位掺杂对材料晶格畸变程度的影响有关。 展开更多
关键词 srbi4ti4o15 掺杂 铁电性能 居里温度
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SrBi_4Ti_4O_(15)陶瓷的制备及其电学行为 被引量:2
5
作者 何开棘 邱军付 王开明 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2008年第10期29-31,34,共4页
采用高强度机械混合的特殊液相沉淀法,以Sr(NO3)3、(C4H9O)4Ti和Bi(NO3)3·5H2O、为原料,制备了SrBi4Ti4O15纳米粉体。研究了前驱体的煅烧温度,粉体结构、粒度,陶瓷的烧结温度及其电性能。结果表明:制得的纳米级SrBi4Ti4O15粉体分... 采用高强度机械混合的特殊液相沉淀法,以Sr(NO3)3、(C4H9O)4Ti和Bi(NO3)3·5H2O、为原料,制备了SrBi4Ti4O15纳米粉体。研究了前驱体的煅烧温度,粉体结构、粒度,陶瓷的烧结温度及其电性能。结果表明:制得的纳米级SrBi4Ti4O15粉体分散性好、粒径分布范围窄,显著降低了其烧结温度,较之普通固相法至少降低100℃,且粉体烧结活性较高,瓷体致密化温度在970~1000℃,成瓷效果良好。在100Hz以下,εr和tanδ随频率增加显著变小。 展开更多
关键词 无机非金属材料 srbi4ti4o15陶瓷 液相沉淀 高强度机械混合
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熔盐法合成片状SrBi_4Ti_4O_(15)粉体 被引量:1
6
作者 张柯 黄金亮 李丽华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期809-811,708,共4页
采用NaCl-KCl熔盐法合成了生长各向异性的片状SrBi4Ti4O15粉体,用XRD分析了粉体相的结构,用SEM观察了粉体的微观形貌,讨论了不同预烧温度对合成物结构和微观形貌的影响。与固相法相比,熔盐法合成的粉体具有(001)择优生长的优点。... 采用NaCl-KCl熔盐法合成了生长各向异性的片状SrBi4Ti4O15粉体,用XRD分析了粉体相的结构,用SEM观察了粉体的微观形貌,讨论了不同预烧温度对合成物结构和微观形貌的影响。与固相法相比,熔盐法合成的粉体具有(001)择优生长的优点。在850—1050℃之间,合成粉体的片状结构趋于明显,粉体生长各向异性随温度的升高呈现出先增加后减小的趋势,各向异性明显的SrBi4Ti4O15粉体的最佳合成温度为900-1000℃。 展开更多
关键词 建词 熔盐法 srbi4ti4o15 择优生长 片状结构
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流延法制备SrBi_4Ti_4O_(15)压电陶瓷 被引量:1
7
作者 刘涛 曾令可 +4 位作者 税安泽 任雪潭 王书媚 刘艳春 顾永军 《陶瓷学报》 CAS 2007年第1期47-51,共5页
采用固相法和熔盐法(KCl-NaCl 作为熔盐)合成 SrBi_4Ti_4O_(15)陶瓷粉体,用模板晶粒定向技术(TGG)获得具有各向异性晶粒定向排列的 SrBi_4Ti_4O_(15)陶瓷。实验中,着重探讨了流延成型的工艺。分析表明,以预烧温度900℃模板和900℃固相... 采用固相法和熔盐法(KCl-NaCl 作为熔盐)合成 SrBi_4Ti_4O_(15)陶瓷粉体,用模板晶粒定向技术(TGG)获得具有各向异性晶粒定向排列的 SrBi_4Ti_4O_(15)陶瓷。实验中,着重探讨了流延成型的工艺。分析表明,以预烧温度900℃模板和900℃固相粉体在1200℃烧结合成制得的流延片的取向度(79.52%)较高,定向排列程度较高,但由于实验过程中,添加了大量有机溶剂,所以有许多缺陷存在。以900℃模板在1200℃烧结的流延陶瓷片的介电性能最好。 展开更多
关键词 srbi4ti4o15 压电陶瓷 流延法 铋层状结构
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工艺参数对熔盐法制备SrBi_4Ti_4O_(15)粉体的影响 被引量:1
8
作者 张柯 黄金亮 李丽华 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期10-10,共1页
采用熔盐法制备了各向异性生长的SrBi4Ti4O15粉体,研究了工艺参数对晶粒形貌和尺寸的影响。发现煅烧温度、盐的种类和盐的用量显著影响晶粒的形貌和尺寸。晶粒平均尺寸随着温度升高而逐渐增大,由不规则片状向圆片状发育。随着盐用量的增... 采用熔盐法制备了各向异性生长的SrBi4Ti4O15粉体,研究了工艺参数对晶粒形貌和尺寸的影响。发现煅烧温度、盐的种类和盐的用量显著影响晶粒的形貌和尺寸。晶粒平均尺寸随着温度升高而逐渐增大,由不规则片状向圆片状发育。随着盐用量的增加,晶粒平均尺寸先增大后减小,且在硫酸盐中,晶粒尺寸明显大于相同条件下盐酸盐中的尺寸。和固相法相比,熔盐法合成的粉体具有(00l)择优生长的优点。通过调整工艺参数可以控制晶粒的形貌和尺寸,制备各向异性生长的SrBi4Ti4O15粉体。 展开更多
关键词 无机非金属材料 熔盐法 srbi4ti4o15 择优生长 工艺参数
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低温烧结SrBi_4Ti_4O_(15)/Ag复合材料的制备及其介电特性 被引量:1
9
作者 黄平 徐廷献 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期1154-1157,共4页
采用固相烧结工艺制备了SrBi4Ti4O15(SBTi)/Ag铁电复合材料,通过X射线衍射、光学金相显微镜和扫描电子显微镜对材料的组成和微观结构进行了研究,并测量样品的介电温度谱。结果表明:复合材料是由SBTi和Ag两相组成。微量金属Ag的加入使SBT... 采用固相烧结工艺制备了SrBi4Ti4O15(SBTi)/Ag铁电复合材料,通过X射线衍射、光学金相显微镜和扫描电子显微镜对材料的组成和微观结构进行了研究,并测量样品的介电温度谱。结果表明:复合材料是由SBTi和Ag两相组成。微量金属Ag的加入使SBTi铁电陶瓷的烧结温度从1120℃降低到950℃以下;可以适当提高铁电陶瓷从室温到200℃的介电常数,但对材料的介电损耗影响很小。同时Ag的加入压抑了介电温度曲线上的介电常数的Curie峰。 展开更多
关键词 铁电陶瓷 srbi4ti4o15 复合材料
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SrBi_4Ti_4O_(15)铁电陶瓷的制备工艺研究 被引量:2
10
作者 郝华 刘韩星 +1 位作者 马麟 欧阳世翕 《现代技术陶瓷》 CAS 2004年第2期3-5,共3页
研究了回相反应合成SrBi4Ti4O15粉末的反应过程及不同预烧温度对SrBi4Ti4O15铁电陶瓷物相结构的影响。对不同工艺条件对SrBi4Ti4O15铁电陶瓷相对密度的影响进行了讨论,确定最佳工艺条件,预烧温度900℃,烧结温度为1100℃(Al2O3埋烧)。
关键词 铋层结构材料 BLSF 固相反应 合成 srbi4ti4o15粉末 预烧温度 铁电陶瓷 物相结构 烧结温度 相对密度
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SrBi_4Ti_4O_(15)陶瓷材料介电和导热性能的研究
11
作者 于峰 王培吉 +2 位作者 李萍 范素华 张奉军 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第12期2014-2017,共4页
用溶胶-凝胶法制备了SrBi4Ti4O15陶瓷材料,研究了烧结温度、铋含量及掺杂Nd对SrBi4Ti4O15陶瓷结构、热扩散率及介电性能的影响。结果发现,SrBi4Ti4O15陶瓷材料的热扩散率和介电常数随烧结温度的升高而增大,最佳烧结温度为1100℃,铋含量... 用溶胶-凝胶法制备了SrBi4Ti4O15陶瓷材料,研究了烧结温度、铋含量及掺杂Nd对SrBi4Ti4O15陶瓷结构、热扩散率及介电性能的影响。结果发现,SrBi4Ti4O15陶瓷材料的热扩散率和介电常数随烧结温度的升高而增大,最佳烧结温度为1100℃,铋含量过量达10%时,SrBi4Ti4O15陶瓷的热扩散率和介电常数最大。随着掺杂量Nd的增加,SrBi4Ti4O15陶瓷的热扩散率和介电常数随之增大。 展开更多
关键词 srbi4ti4o15材料 热导率 ND掺杂 介电性能
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氧空位对SrBi_4Ti_4O_(15)铁电陶瓷电性能的影响 被引量:2
12
作者 王晓军 雒卫廷 《山西大同大学学报(自然科学版)》 2012年第6期20-22,25,共4页
用高温固相烧结法制备了SrBi4Ti4O15(SBTi)铁电陶瓷,用双氧水浸泡72 h进行氧处理的样品与未经过氧处理的样品进行对比研究。样品的介电损耗谱表明:氧处理使SBTi在20℃~300℃温度范围内的介质损耗明显降低,这主要是由于氧处理使样品中... 用高温固相烧结法制备了SrBi4Ti4O15(SBTi)铁电陶瓷,用双氧水浸泡72 h进行氧处理的样品与未经过氧处理的样品进行对比研究。样品的介电损耗谱表明:氧处理使SBTi在20℃~300℃温度范围内的介质损耗明显降低,这主要是由于氧处理使样品中氧空位浓度降低引起的。在温度高于300℃时,经过氧处理的样品的介质损耗迅速增大,这是因为氧处理使空穴载流子浓度增大。通过对材料的直流电导与温度关系的Arrhenius拟合,分析了SBTi的导电机理。结果表明,氧处理并未明显改变样品在300℃~650℃温度区域的载流子激活能,却使其在20℃~300℃范围内的激活能从0.52 eV变化到0.71 eV。 展开更多
关键词 氧空位 srbi4ti4o15 激活能
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SrBi_(4-x)La_xTi_4O_(15)陶瓷材料铁电、介电性能研究
13
作者 朱骏 卢网平 +3 位作者 刘秋朝 毛翔宇 惠荣 陈小兵 《哈尔滨理工大学学报》 CAS 2002年第6期82-84,共3页
按x=0.00,0.10,0.25,0.50,0.75和1.00,制备SrBi_4-xLa_xTi_4O_15的陶瓷样品.用X射线衍射对其微结构进行分析,并测量了铁电、介电性能.结果表明,La掺杂未改变SrBi_4Ti_4O_15的晶体结构;随掺杂量的增加,样品的矫顽场(E_c)减小,剩余极化(2P... 按x=0.00,0.10,0.25,0.50,0.75和1.00,制备SrBi_4-xLa_xTi_4O_15的陶瓷样品.用X射线衍射对其微结构进行分析,并测量了铁电、介电性能.结果表明,La掺杂未改变SrBi_4Ti_4O_15的晶体结构;随掺杂量的增加,样品的矫顽场(E_c)减小,剩余极化(2P_r)先增大,后减小;在x=0.25时,2P_r达到极大值24.2μC·cm^-2,这时E_c=60.8 kV·cm^-1适量La掺杂可提高SrBi_4Ti_4O_15的铁电性能.SrBi_4-xLa_xTi_4O_15的相变温度T_c随x的增加逐渐降低,x=0.25时,T_c=451℃. 展开更多
关键词 srbi4-xLaxti4o15 陶瓷材料 介电性能 LA掺杂 铁电性能 相变温度 钛酸锶铋 镧掺杂
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Bi含量对SrBi_4Ti_4O_(15)铁电陶瓷烧结特性的影响
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作者 黄平 崔彩娥 徐廷献 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第A01期206-209,共4页
利用固相烧结工艺制备了SrBi_4Ti_4O_(15)(SBTi)铁电陶瓷,研究了过量Bi_2O_3对SBTi陶瓷烧结特性的影响,结果表明:在1150℃以下烧结的Bi不过量的样品完全由SBTi相组成,当烧结温度提高到1175℃时,样品中出现了微量焦绿石结构(S r,Bi)_2Ti_... 利用固相烧结工艺制备了SrBi_4Ti_4O_(15)(SBTi)铁电陶瓷,研究了过量Bi_2O_3对SBTi陶瓷烧结特性的影响,结果表明:在1150℃以下烧结的Bi不过量的样品完全由SBTi相组成,当烧结温度提高到1175℃时,样品中出现了微量焦绿石结构(S r,Bi)_2Ti_2O_7相,当烧结温度提高到1200℃,样品中出现了(S r,Bi)_2Ti_2O_7和Sr_2Bi_4Ti_5O_(18)相。随着烧结温度的提高,SBTi陶瓷材料的晶粒逐渐长大,但晶粒沿a(b)-轴方向生长迅速,而沿c-轴方向晶粒的生长十分缓慢,导致材料c-轴取向度明显增强。过量Bi_2O_3的加入可在降低烧结温度的同时提高材料的密度,可补偿高温烧结过程中Bi的挥发,抑制焦绿石相(Sr,Bi)_2Ti_2O_7的生成及插入型层错的产生。在相同的烧结温度下,随着过量的Bi_2O_3量的增加,材料的c-轴取向度逐渐增大。 展开更多
关键词 srbi4ti4o15 铁电陶瓷:烧结行为
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Sr_xBa_(1-x)Bi_4Ti_4O_(15)陶瓷及SrBi_4Ti_4O_(15)/BaBi_4Ti_4O_(15)复合材料的性能研究
15
作者 黄平 徐廷献 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1226-1229,共4页
采用固相烧结工艺制备了SrxBa1-xBi4Ti4O15铁电陶瓷和SrBi4Ti4O15/BaBi4Ti4O15铁电复合材料。在固相反应过程中,680℃时SrBi4Ti4O15或BaBi4Ti4O15开始生成;800℃时材料主晶相基本形成,但是还有微量焦绿石相存在;850℃时SrBi4Ti4O15或BaB... 采用固相烧结工艺制备了SrxBa1-xBi4Ti4O15铁电陶瓷和SrBi4Ti4O15/BaBi4Ti4O15铁电复合材料。在固相反应过程中,680℃时SrBi4Ti4O15或BaBi4Ti4O15开始生成;800℃时材料主晶相基本形成,但是还有微量焦绿石相存在;850℃时SrBi4Ti4O15或BaBi4Ti4O15的主要衍射峰全部出现。随着Ba含量的增加,SrxBa1-xBi4Ti4O15陶瓷的居里温度逐渐降低。Sr0.5Ba0.5Bi4Ti4O15陶瓷的介电常数峰在高频时较宽,在100Hz时,介电常数峰被随温度升高而逐渐增大的介电常数所“屏蔽”,材料介电损耗随温度升高而增大,但在低频下增加得更快,这是高温下由氧空位引起的电子松弛极化造成的。将预烧后的SrBi4Ti4O15和BaBi4Ti4O15粉体分别造粒后再均匀混合,压片成型,经烧结制得的SrBi4Ti4O15/BaBi4Ti4O15复合陶瓷其相变弥散特性明显优于SrxBa1-xBi4Ti4O15的相变弥散特性。 展开更多
关键词 SrxBa1-xBi4ti4o15铁电陶瓷 srbi4ti4o15/BaBi4ti4o15复合材料 介电性能
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SrBi4Ti4O15铁电陶瓷A位掺杂改性研究
16
作者 王伟 朱骏 +1 位作者 毛翔宇 陈小兵 《中国材料科技与设备》 2006年第1期41-43,50,共4页
采用固相烧鲒法,以镧系元素La和Nd为掺杂离子,制备了不同掺杂量的SrBi4Ti4O15(SBTi)铁电陶瓷。X射线衍射谱显示样品呈随机取向的单一层状钙钛矿结构相。铁电测量显示适量的La和Nd掺杂使得SBTi的剩余极化(2P,)得到显著增加。对于S... 采用固相烧鲒法,以镧系元素La和Nd为掺杂离子,制备了不同掺杂量的SrBi4Ti4O15(SBTi)铁电陶瓷。X射线衍射谱显示样品呈随机取向的单一层状钙钛矿结构相。铁电测量显示适量的La和Nd掺杂使得SBTi的剩余极化(2P,)得到显著增加。对于SrBi4-xLaxTi4O15(SBLT—x),当x=0.25时,2P,达到极大值,为24.2μC/cm^2,对于SrBi4-yNdyTi4O15(SBNT—Y),当y=0.18时,2P,达到极大值,为25.8μC/cm^2,和未掺杂相比,分别增长近50%和56%。SBLT—x样品的矫顽场随掺杂量的增加而逐步减小,SBNT—Y的矫顽场在y=0.00到0.18之间几乎不变,在更大掺杂量下,随掺杂量的增加而逐步减小。掺杂引起材料中点缺陷浓度的降低和晶格畸变的减小,这两种因素的共同作用决定了刺余极化的变化。样品的变温介电谱显示,晶体的居里温度随掺杂量的增加而下降。在掺杂量大于0.75以后,SBLT—x和SBNT—y样品均出现驰豫铁电体的典型特征。 展开更多
关键词 srbi4-xLaxti4o5 srbi4-yNdyti4o15 铁电性能 居里温度 铁电驰豫
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LaNiO_3衬底上SrBi_4Ti_4O_(15)薄膜的sol-gel方法制备
17
作者 王秀章 《湖北师范学院学报(自然科学版)》 2007年第1期21-23,43,共4页
采用溶胶-凝胶法在S i(111)衬底上制备了LaN iO3薄膜,采用相同方法在LaN iO3/S i(111)上制备了SrB i4Ti4O15(SBT)薄膜,对SrB i4Ti4O15(SBT)薄膜的结晶性,厚度和电性能进行了研究.
关键词 溶胶-凝胶法 铁电薄膜 LANIo3 srbi4ti4o15(sbt)
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溶胶-凝胶法制备SrBi_(4-x)La_xTi_4O_(15)铁电薄膜及其性能研究 被引量:1
18
作者 周卫东 孙慧 陈小兵 《电子显微学报》 CAS CSCD 2006年第B08期97-98,共2页
关键词 抗疲劳性能 铁电薄膜 溶胶-凝胶法 层状钙钛矿结构 制备 srbi2Ta2o9 剩余极化强度 BI4ti3o12
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La掺杂对SrBi_4Ti_4O_(15)铁电介电性能影响
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作者 陈轶平 包志豪 +1 位作者 朱劲松 王业宁 《哈尔滨理工大学学报》 CAS 2002年第6期39-40,43,共3页
研究了La掺杂对SrBi_4Ti_4O_15铁电介电性能影响.当La含量为0.75时得到剩余极化2Pr 极大值为17.8μC/cm^2,同时介电常数呈现极大.随La掺杂浓度升高,相变温度T_c降低.
关键词 LA掺杂 介电性能 srbi4ti4o15 镧掺杂 钛酸锶铋铁电体
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W^6+掺杂SrBi4Ti4O(15)-Bi4Ti3O(12)共生铋层状压电陶瓷的结构与电学性能 被引量:1
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作者 黄立伟 江向平 +2 位作者 陈超 黄枭坤 聂鑫 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2021年第1期24-29,35,共7页
采用固相法制备了SrBi8Ti(7-x)WxO(27)(SBT-BIT-xW^6+,x=0.00,0.02,0.04,0.06,0.08,0.10)共生铋层状压电陶瓷材料,系统研究了W^6+掺杂对陶瓷样品的微观结构、介电、压电及铁电性能的影响。研究发现所有样品均为单一的m=3.5的共生铋层状... 采用固相法制备了SrBi8Ti(7-x)WxO(27)(SBT-BIT-xW^6+,x=0.00,0.02,0.04,0.06,0.08,0.10)共生铋层状压电陶瓷材料,系统研究了W^6+掺杂对陶瓷样品的微观结构、介电、压电及铁电性能的影响。研究发现所有样品均为单一的m=3.5的共生铋层状结构,且所有陶瓷均有较高致密性,烧结效果较好。拉曼结果表明引入W^6+后优化晶体结构,降低了晶格畸变程度。施主掺杂能有效地降低氧空位浓度,使陶瓷样品介电损耗大幅降低,同时显著地增强了样品的铁电性能和压电性能;当掺杂量x=0.08时,样品的压电常数d(33)由11 pC/N提高到24.1 pC/N,剩余极化强度2Pr由3.72 μC/cm~2提至5.54 μC/cm^2,居里温度Tc由595℃降至554℃。并且当退火温度为500℃时,其d(33)仍保持23.2 pC/N,约为初始值的96.3%。表明该材料在高温领域具有潜在应用价值。 展开更多
关键词 共生结构 施主掺杂 微观结构 电学性能 氧空位 srbi4ti4o(15)-Bi4ti3o(12)
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