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PDP介质保护膜材料的研究进展
1
作者
张鹏
刘国宇
胡文波
《真空电子技术》
2010年第4期55-61,共7页
由于AC PDP介质保护膜与放电气体直接接触,因而对PDP的工作特性如工作寿命、发光效率、发光亮度、着火电压及放电时间延迟等有重要影响,其性能的提升对提高AC PDP的工作特性有重要意义。本文综述了介质保护膜材料的最新发展状况,包括五...
由于AC PDP介质保护膜与放电气体直接接触,因而对PDP的工作特性如工作寿命、发光效率、发光亮度、着火电压及放电时间延迟等有重要影响,其性能的提升对提高AC PDP的工作特性有重要意义。本文综述了介质保护膜材料的最新发展状况,包括五种掺杂MgO保护膜和两种新型材料的介质保护膜,并将其发光效率、发光亮度、维持电压、记忆系数等工作特性同传统MgO保护膜进行了对比、分析。
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关键词
介质保护膜
掺杂MgO
srcao
等离子聚合物薄膜
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职称材料
题名
PDP介质保护膜材料的研究进展
1
作者
张鹏
刘国宇
胡文波
机构
西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室
出处
《真空电子技术》
2010年第4期55-61,共7页
文摘
由于AC PDP介质保护膜与放电气体直接接触,因而对PDP的工作特性如工作寿命、发光效率、发光亮度、着火电压及放电时间延迟等有重要影响,其性能的提升对提高AC PDP的工作特性有重要意义。本文综述了介质保护膜材料的最新发展状况,包括五种掺杂MgO保护膜和两种新型材料的介质保护膜,并将其发光效率、发光亮度、维持电压、记忆系数等工作特性同传统MgO保护膜进行了对比、分析。
关键词
介质保护膜
掺杂MgO
srcao
等离子聚合物薄膜
Keywords
Protecting layer, Doping MgO,
srcao
,Plasma polymerized thin film
分类号
O484.8 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
PDP介质保护膜材料的研究进展
张鹏
刘国宇
胡文波
《真空电子技术》
2010
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