溶胶-凝胶法SrIn_xTi_(1-x)O_3薄膜的制备及表征

以Sr（OOCCH3）2·H2O,In（NO3）3.41/2H2O及Ti（OC4H9）4为原料,用溶胶-凝胶工艺制备了SrInx-Ti1-xO3（SITO）薄膜。SITO凝胶薄膜经过575~725℃/60 min退火形成立方钙钛矿结构。用XRD、SEM对薄膜结构和形貌表征。霍尔测定表明In-STO薄膜属于空穴导电的p-型半导体。SITO薄膜形貌与溶胶的陈化时间有关,最佳陈化时间为5~20 h。

湿化学工艺SrNb_xTi_(1-x)O_3导电薄膜的制备及性能

采用湿化学工艺在硅衬底上成功地制备了结构致密、均匀且无龟裂的SrNb_xTi_(1-x)O_3薄膜。金属盐的冰醋酸溶液经回流再加入乙酸酐除去无机阴离子和结晶水,形成的金属醋酸盐与适当的络合剂形成的多配体络合物经部分水解生成的羟基化合物M(OH)_(n-x)(L)_x(L=C_4H_6O_6或AcAc,M=Sr或Ti或Nb)经羟基聚合形成SrNb_x-Ti_(1-x)O_3簇状溶胶。丙三醇抑制了羟基金属过度聚合,甲基纤维素(MCL)使SrNb_xTi_(1-x)O溶胶具有网状结构。SrNb_(0.1)Ti_(0.9)O_3(SNTO)凝胶薄膜经过650～750℃/30min退火形成假立方钙钛矿结构。应用XRD、SEM和TEM对薄膜结构和形貌进行表征。室温下SNTO薄膜的电阻率为54μΩ·cm,而在160K到室温之间薄膜电阻率随温度的变化遵从ρ=ρ_0+AT^2。分析结果表明:Nb^(5+)离子的施主掺杂改变了禁带宽度,实现了SrTiO_3的n-型半导体化。SNTO(100)/Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上的Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3(PZT)薄膜的择优取向明显,较之于Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上的PZT薄膜有良好的铁电性,其剩余极化强度也比PZT/Pt(111)/Ti/SiO_2/Si的大。

压电薄膜自适应变形微反射镜阵列研究

介绍了自适应光学系统中的一种全新的基于Pb(ZrxTi1-xO3)(PZT)薄膜的微反射镜阵列。通过控制PZT薄膜两端电压实现微镜单元的微量形变,改变反射镜局部面形,校正畸变波面的波差,改善成像质量。该方案在重掺杂Si片基底上依次制备PbTiO3(PT)、PZT,最后镀Al作为反射面,形成Si/PT/PZT/Al的膜层结构。对制备完全的试片在数字波面干涉仪上进行了形变测试,尽管受到了薄膜热形变作用的影响,仍实现了约1.2μm的可控形变,证明该方案用做自适应变形反射镜的可行性。