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冲击波作用下Pb(Zr_(0.95)Ti_(0.05))O_3铁电陶瓷去极化后电阻率动态特性 被引量:2
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作者 伍友成 刘高旻 +4 位作者 戴文峰 高志鹏 贺红亮 郝世荣 邓建军 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期229-234,共6页
在冲击波压力作用下,极化Pb(Zr_(0.95)Ti_(0.05))O_3(PZT95/5)铁电陶瓷会发生铁电-反铁电相变失去极化,由于冲击波压力高、作用时间短,伴随材料去极化相变出现的瞬态电导特性难以准确测试.本文建立了新的实验方法,采用脉冲电容器作为冲... 在冲击波压力作用下,极化Pb(Zr_(0.95)Ti_(0.05))O_3(PZT95/5)铁电陶瓷会发生铁电-反铁电相变失去极化,由于冲击波压力高、作用时间短,伴随材料去极化相变出现的瞬态电导特性难以准确测试.本文建立了新的实验方法,采用脉冲电容器作为冲击波加载铁电陶瓷脉冲电源的输出负载,在冲击波压力约3.5 GPa的实验中直接测得铁电陶瓷的漏电流,计算得到PZT95/5铁电陶瓷去极化后的电阻率,变化范围为2.2×10~4—3.5×10~4?·cm;在实验数据的基础上,建立了动态电阻模型,对冲击波传播过程中PZT95/5铁电陶瓷去极化后的电阻率进行了分析,初步揭示了冲击波作用下PZT95/5铁电陶瓷去极化后电阻率的动态特性. 展开更多
关键词 PB (Zr0.95Ti0.05) O3 冲击波 去极化 电阻率
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Sol-gel法制备(Ba_(0.95)Ca_(0.05))(Sn_(0.05)Ti_(0.95))O_3薄膜及升温速度对形貌的影响 被引量:2
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作者 何琴玉 张进修 《中山大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期34-36,共3页
用溶胶 -凝胶法制备了光滑的 (Ba0 .95Ca0 .0 5) (Sn0 .0 5Ti0 .95)O3(以下称BCST)薄膜。研究了热处理的升温速率和处理温度对薄膜形貌的影响。SEM测试结果表明快速升温和低温 (刚高出成晶温度 )有利于获得好质量的BCST薄膜。
关键词 SOL-GEL法 (Ba0.95Ca0.05)(Sn0.05Ti0.95)O3aigfeajd ym 制备 升温速度 薄膜形貌 成晶温度 钛酸钡基薄膜
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微秒脉冲电场下Pb0.99(Zr0.95Ti0.05)0.98Nb0.02O3陶瓷击穿过程电阻变化规律 被引量:1
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作者 刘艺 杨佳 +2 位作者 李兴 谷伟 高志鹏 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第11期299-304,共6页
陶瓷作为应用非常广泛的一种材料,其电击穿问题一直是研究的重点和热点.由于击穿过程涉及热、光、电多场耦合效应,目前还没有一个普适的模型能够解释陶瓷击穿问题.针对此问题进行分析,实验中采用脉冲高压发生装置击穿陶瓷,通过对陶瓷击... 陶瓷作为应用非常广泛的一种材料,其电击穿问题一直是研究的重点和热点.由于击穿过程涉及热、光、电多场耦合效应,目前还没有一个普适的模型能够解释陶瓷击穿问题.针对此问题进行分析,实验中采用脉冲高压发生装置击穿陶瓷,通过对陶瓷击穿过程中等效电阻的研究,揭示了PZT95/5陶瓷样品体击穿和沿面闪络形成过程的异同.结果显示,在两种击穿模式下,陶瓷样品内部均会在40 ns左右形成导电通道,陶瓷等效电阻急剧下降至10~5?量级;然后体击穿与沿面闪络的导电通道以不同的速率继续扩展;电阻减小速率与导电通道上载流子的浓度有关,二者的等效电阻以不同速率减小,直至导电通道达到稳定. 展开更多
关键词 Pb0.99(Zr0.95Ti0.05)0.98Nb0.02O3 脉冲高压 击穿 等效电阻
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多孔未极化Pb(Zr0.95Ti0.05)O3铁电陶瓷单轴压缩力学响应与相变 被引量:3
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作者 蒋招绣 辛铭之 +3 位作者 申海艇 王永刚 聂恒昌 刘雨生 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第13期228-237,共10页
通过添加造孔剂的方法制备了四种不同孔隙率未极化PZT95/5铁电陶瓷.采用非接触式的数字散斑相关性分析(digital image correltation,DIC)全场应变光学测量技术,对多孔未极化PZT95/5铁电陶瓷开展了单轴压缩实验研究,讨论了孔隙率对未极化... 通过添加造孔剂的方法制备了四种不同孔隙率未极化PZT95/5铁电陶瓷.采用非接触式的数字散斑相关性分析(digital image correltation,DIC)全场应变光学测量技术,对多孔未极化PZT95/5铁电陶瓷开展了单轴压缩实验研究,讨论了孔隙率对未极化PZT95/5铁电陶瓷的力学响应与畴变、相变行为的影响.多孔未极化PZT95/5铁电陶瓷的单轴压缩应力-应变关系呈现出类似于泡沫或蜂窝材料的三阶段变形特征,其变形机理主要归因于畴变和相变的共同作用,与微孔洞塌缩过程无关.多孔未极化PZT95/5铁电陶瓷的弹性模量、压缩强度都随着孔隙率的增加而明显降低,而孔隙率对断裂应变的影响较小.预制的微孔洞没有改善未极化PZT95/5铁电陶瓷材料的韧性,这是因为单轴压缩下未极化PZT95/5铁电陶瓷的断裂机理是轴向劈裂破坏,微孔洞对劈裂裂纹传播没有起到阻碍和分叉作用.准静态单轴压缩下多孔未极化PZT95/5铁电陶瓷畴变和相变开始的临界应力都随着孔隙率的增大而呈线性衰减,但相变开始的临界体积应变却不依赖孔隙率. 展开更多
关键词 未极化Pb(Zr0.95Ti0.05) O3铁电陶瓷 孔隙率 力学响应 相变
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Influence of CaxSr1-x(0≤x≤1)Substitution for Zn on Microwave Dielectric Properties of Li2ZnTi3O8 Ceramic as Temperature Stable Materials 被引量:1
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作者 TIAN Shi LIAO Zelin +1 位作者 WANG Heng WANG Weimin 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2020年第4期686-690,共5页
A temperature stable Li2Zn0.95(SrxCa1-x)0.05Ti3O8(0≤x≤1)ceramics were fabricated using a conventional solid-state route sintered at 1100℃for 4 h.The XRD results indicate that the main phase Li2ZnTi3O8 and secondary... A temperature stable Li2Zn0.95(SrxCa1-x)0.05Ti3O8(0≤x≤1)ceramics were fabricated using a conventional solid-state route sintered at 1100℃for 4 h.The XRD results indicate that the main phase Li2ZnTi3O8 and secondary phase including SrxCa1-xTiO3(0≤x≤1)solid solution and TiO2 co-exist in composite and form a stable composite system when the(CaxSr1-x)(0≤x≤1)substitutes for Zn of Li2ZnTi3O8 ceramic.As x is increased from 0 to 1,the relative permittivity(εr)increases from 26.65 to 27.12,and the quality factor(Q×f)increases from 63300 to 66600 GHz.With the increased of x,the temperature coefficient of resonant frequency(τf)increases from 0.27 to 8.23 ppm/℃,and then decreases to 3.51 ppm/℃.On the whole,the Li2Zn0.95(SrxCa1-x)0.05Ti3O8(0≤x≤1)ceramics show excellent comprehensive properties of middleεr=25-27,higher Q×f≥60000 GHz andτf≤±8.5 ppm/℃. 展开更多
关键词 Li2Zn0.95(SrxCa1-x)0.05Ti3O8(0≤x≤1) microwave dielectric properties temperature stable materials SUBSTITUTION
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Effect of Sn-doping on the structural,electrical and magnetic properties of(In_(0.95-x)Sn_xFe_(0.05))_2O_3 films 被引量:2
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作者 邢鹏飞 陈延学 孙少华 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2013年第2期15-18,共4页
Room-temperature ferromagnetism was observed in (In0.95-xSnxFe0.05)203 (x = 0-0.09) films deposited by pulsed laser deposition. XRD results give a direct proof that both Sn and Fe ions have been incorporated into ... Room-temperature ferromagnetism was observed in (In0.95-xSnxFe0.05)203 (x = 0-0.09) films deposited by pulsed laser deposition. XRD results give a direct proof that both Sn and Fe ions have been incorporated into the In2O3 lattice. The carrier concentration in the films is obviously increased by the Sn-doping, while the ferromagnetic properties are rarely changed. We think that in our Fe-doped In2O3 films, the oxygen vacancy-related bound magnetic polaron model, rather than the carrier-mediated RKKY coupling, is the main mechanism for the observed ferromagnetism. 展开更多
关键词 pulsed laser deposition room-temperature ferromagnetism (In0.95-xSnxFe0.05)2O3 films carrier concentration bound magnetic polaron model
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冲击波加载下孔隙率对Pb_(0.99)(Zr_(0.95)Ti_(0.05))_(0.98)Nb_(0.02)O_3铁电陶瓷去极化性能的影响 被引量:1
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作者 冯宁博 谷岩 +5 位作者 刘雨生 聂恒昌 陈学锋 王根水 贺红亮 董显林 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期8897-8902,共6页
制备了四种不同孔隙率的Pb0.99(Zr0.95Ti0.05)0.98Nb0.02O3铁电陶瓷,并研究了冲击波作用下孔隙率对陶瓷去极化性能的影响.研究表明:短路负载条件下陶瓷的放电波形不随孔隙的加入而改变,均为方波.多孔陶瓷的放电脉冲幅度较低,脉冲宽度较... 制备了四种不同孔隙率的Pb0.99(Zr0.95Ti0.05)0.98Nb0.02O3铁电陶瓷,并研究了冲击波作用下孔隙率对陶瓷去极化性能的影响.研究表明:短路负载条件下陶瓷的放电波形不随孔隙的加入而改变,均为方波.多孔陶瓷的放电脉冲幅度较低,脉冲宽度较长.释放的电荷量随着孔隙率的增加而减小,与静态电滞回线测试结果一致.多孔陶瓷具有较低的冲击阻抗,改善了与封装介质的阻抗匹配.用Lysne模型拟合了材料在高电阻负载条件下的放电行为,并指出高电阻负载条件下材料的介电常数是静态介电常数的4—5倍,而且材料的介电常数随孔隙率的增加而减小.冲击波通过样品以后,电路的放电时间常数随着孔隙率的增大而增大.随着电阻的增大,样品负载电压增高,材料铁电-反铁电相变受到抑制,电流上升沿变缓,致密陶瓷出现了击穿现象. 展开更多
关键词 Pb0.99(Zr0.95Ti0.05)0.98Nb0.02O3铁电陶瓷 孔隙率 冲击波 去极化
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