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硅基外延SrRuO_3/PbZr_(0.5)Ti_(0.5)O_3/SrRuO_3电容器的结构和性能研究
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作者 朱慧娟 刘保亭 +2 位作者 代秀红 郭建新 周阳 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期428-431,451,共5页
传统的方法很难直接在硅衬底上制备外延的氧化物铁电电容器,本实验采用生长在硅衬底上的外延SrTiO3为模板,直接生长了SrRuO3/PbZr0.5Ti0.5O3/SrRuO3电容器异质结,并对其结构及性能进行了研究。X射线衍射表明所制备的SrRuO3/PbZr0.5Ti0.5... 传统的方法很难直接在硅衬底上制备外延的氧化物铁电电容器,本实验采用生长在硅衬底上的外延SrTiO3为模板,直接生长了SrRuO3/PbZr0.5Ti0.5O3/SrRuO3电容器异质结,并对其结构及性能进行了研究。X射线衍射表明所制备的SrRuO3/PbZr0.5Ti0.5O3/SrRuO3异质结实现了在硅衬底上的外延生长。在5 V测试电压下,铁电电容器的剩余极化强度和矫顽电压分别为19.6μC/cm2和0.8 V。当极化翻转次数达到1010时,铁电电容器的极化强度没有明显的衰减,表明SrRuO3/PbZr0.5Ti0.5O3/SrRuO3电容器具有良好的抗疲劳性能。 展开更多
关键词 硅衬底 外延生长 srru03 PbZro5Ti0503 srru03异质结
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