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CuO气相扩散及其热处理制度对SrTiO_3 BLC性能的影响
被引量:
6
1
作者
金玉琢
李龙土
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
1990年第6期19-22,共4页
本文研究了CuO气相扩散及其热处理制度对半导化SrTiO_3陶瓷介电性能的影响。用SEM和TEM对显微结构进行了分析,发现CuO被限制在晶界层中,并富集和离析。用CuO气相扩散法成功地获得了ε(app)>60000、tgδ<0.02、ρ>10^(10)Ω...
本文研究了CuO气相扩散及其热处理制度对半导化SrTiO_3陶瓷介电性能的影响。用SEM和TEM对显微结构进行了分析,发现CuO被限制在晶界层中,并富集和离析。用CuO气相扩散法成功地获得了ε(app)>60000、tgδ<0.02、ρ>10^(10)Ω·cm、|ΔC/C|≤9.1(-25~+85℃)的SrTiO_3基晶界层电容器。
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关键词
CXuo
srtio-blc
半导体陶瓷
热处理
下载PDF
职称材料
题名
CuO气相扩散及其热处理制度对SrTiO_3 BLC性能的影响
被引量:
6
1
作者
金玉琢
李龙土
机构
建材研究院高技术陶瓷所
清华大学材料科学工程系
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
1990年第6期19-22,共4页
文摘
本文研究了CuO气相扩散及其热处理制度对半导化SrTiO_3陶瓷介电性能的影响。用SEM和TEM对显微结构进行了分析,发现CuO被限制在晶界层中,并富集和离析。用CuO气相扩散法成功地获得了ε(app)>60000、tgδ<0.02、ρ>10^(10)Ω·cm、|ΔC/C|≤9.1(-25~+85℃)的SrTiO_3基晶界层电容器。
关键词
CXuo
srtio-blc
半导体陶瓷
热处理
分类号
TM283 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
CuO气相扩散及其热处理制度对SrTiO_3 BLC性能的影响
金玉琢
李龙土
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
1990
6
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职称材料
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