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CuO气相扩散及其热处理制度对SrTiO_3 BLC性能的影响 被引量:6
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作者 金玉琢 李龙土 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1990年第6期19-22,共4页
本文研究了CuO气相扩散及其热处理制度对半导化SrTiO_3陶瓷介电性能的影响。用SEM和TEM对显微结构进行了分析,发现CuO被限制在晶界层中,并富集和离析。用CuO气相扩散法成功地获得了ε(app)>60000、tgδ<0.02、ρ>10^(10)Ω... 本文研究了CuO气相扩散及其热处理制度对半导化SrTiO_3陶瓷介电性能的影响。用SEM和TEM对显微结构进行了分析,发现CuO被限制在晶界层中,并富集和离析。用CuO气相扩散法成功地获得了ε(app)>60000、tgδ<0.02、ρ>10^(10)Ω·cm、|ΔC/C|≤9.1(-25~+85℃)的SrTiO_3基晶界层电容器。 展开更多
关键词 CXuo srtio-blc 半导体陶瓷 热处理
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