Bi^(3+)气相扩散对SrTiO_3基功能陶瓷晶界的影响

用均匀设计法设计实验方案，在扩散温度为1000～1250℃，扩散后的降温速度为200～600℃／h,扩散时间为20～270min及扩散源中铋含量为25％～50％的范围内研究了用Bi2O3作为扩散源进行气相扩散时诸因素对SrTiO3半导体陶瓷进行晶界绝缘处理的影响。对实验结果进行统计回归处理的结果表明了各因素对样品的介电常数。的影响。用SEM、EPMA对陶瓷断面和晶界附近铋含量的分布测定表明，在高温下气相扩散物Bi2O3可沿晶界快速扩散进入陶瓷体内，在整个陶瓷体内分布较均匀，在晶界上会发生富集，同时部分从晶界向晶粒内扩散，扩散厚度一般小于3μm。在此条件下，Bi3＋的扩散系数为2．72×10－12cm2／s。对晶界势垒的研究表明，势垒符合叠加模型。

SrTiO_3基功能陶瓷的制备与特性研究

本文研究了气相扩散ＰｂＯ、Ｂｉ２Ｏ３、ＰｂＯ－Ｂｉ２Ｏ３使ＳｒＴｉＯ３基陶瓷基片晶界绝缘化，气相扩散ＰｂＯ－Ｂｉ２Ｏ３制备的陶瓷综合性能优良．讨论了气相扩散ＰｂＯ－Ｂｉ２Ｏ３的工艺条件对半导化ＳｒＴｉＯ３基陶瓷的介电性能（ε）、介电损耗（Ｄ）、非线性系数（α）及电阻率（ρ）的影响，用ＳＥＭ和ＥＰＡ对微观结构进行了观察和分析，结果显示ＰｂＯ和Ｂｉ２Ｏ３主要集中在晶界附近。用ＳｒＴｉＯ３气相扩散法成功地获得了ε＞３００００、Ｄ＜０．０１、α＞６．０、ρ＞５．０×１０１１的ＳｒＴｉＯ３基多功能陶瓷。

PbO气相热扩散条件对SrTiO_3基多功能陶瓷性能的影响

本文研究了PbO气相扩散及其热扩散工艺条件对半导化SrTiO3基陶瓷的介电性能(ε)、介电损耗 (D)、非线性系数 (α)及电阻率 (ρ)的影响 .用SEM和EPMA对微观结构进行了观察和分析 ,结果显示PbO主要集中在晶界附近 .用PbO气相扩散法成功地获得了εapp>50 0 0 0、D <0 .0 35、α >6 .5、ρ >4× 1 0

后续处理对SrTiO_(3)基晶界层电容器绝缘电阻的影响

采用二步法制备SrTiO_(3)晶界层电容器,并对其进行后续热、电和液氮处理,研究处理前后电容器电学性能的变化.实验结果表明,在50 V直流电压和200℃条件下对SrTiO_(3)晶界层电容器进行后续快速退火和液氮处理后,其介电常数和介电损耗在基本保持不变的情况下,其绝缘电阻值可得到大幅提升,从最初30 GΩ上升至200 GΩ.通过处理,最后可获得平均介电常数为30000,损耗为0.003,绝缘电阻(50 V测量)为200 GΩ的高性能SrTiO_(3)晶界层电容器.

Bi_2O_3气相热扩散及其工艺条件对SrTiO_3基多功能陶瓷性能的影响

研究了Ｂｉ２Ｏ３气相扩散及其热扩散工艺条件对半导化ＳｒＴｉＯ３基陶瓷的介电性能（ε）、介电损耗（Ｄ）、非线性系数（α）及电阻率（ρ）的影响，用ＳＥＭ和ＥＰＡ对微观结构进行了观察和分析，结果显示Ｂｉ２Ｏ３主要集中在晶界附近．用ＳｒＴｉＯ３气相扩散法成功地获得了εａｐｐ＞５００００，Ｄ＜０．０１，α＞６．０，ρ＞５×１０１０Ω·ｃｍ的ＳｒＴｉＯ３基多功能陶瓷．

Ta^（5＋）掺杂的SrTiO_3系复合功能陶瓷的半导化和晶界层的研究

采用一次烧成法制备了Ｔａ５＋掺杂的ＳｒＴｉＯ３系复合功能陶瓷，测试了样品的介电性能，分析了晶粒的半导化机理，并讨论了晶界层对样品复合功能效应的影响。