Yb^(3+)/Nd^(3+)掺杂对Sr_(9)Ga(PO_(4))_(7)∶Cr^(3+)发光性能的影响

近红外荧光粉由于其独特的物理特性和广阔的应用前景吸引了人们极大的研究兴趣。本文通过高温固相反应法合成Sr_(9)Ga(PO_(4))_(7)∶0.8Cr^(3+)近红外荧光粉,使用460 nm蓝光激发样品的发射波长位于833 nm,半峰宽为117 nm。随后引入稀土离子合成Sr_(9)Ga(PO_(4))_(7)∶0.8Cr^(3+),Yb^(3+)和Sr_(9)Ga(PO_(4))_(7)∶0.8Cr^(3+),Nd^(3+)近红外荧光粉。相比Sr_(9)Ga(PO_(4))_(7)∶0.8Cr^(3+),460 nm蓝光激发的Sr_(9)Ga(PO_(4))_(7)∶0.8Cr^(3+),Yb^(3+)同时出现Cr^(3+)和Yb^(3+)特征发射峰,经过光谱分析和荧光寿命变化证明Cr^(3+)-Yb^(3+)存在能量传递通道,最高使Cr^(3+)-Yb^(3+)能量传递效率达80.2%,得益于Yb^(3+)卓越的热稳定性促使整体荧光光谱热稳定性提高约3.7倍。设计合成的Sr_(9)Ga(PO_(4))_7∶0.8Cr^(3+),Nd^(3+)样品调制出833,876,1 060 nm的多峰发射,显著拓宽了近红外光谱范围。最终,讨论了荧光粉在温度传感和无损检测领域的应用,证明该系列荧光粉具有广阔的应用前景。

用于宽谱带发射白色发光二极管的黄色荧光粉Sr_(8)MgAl(PO_(4))_(7)∶xEu^(2+)的制备及发光性能

通过高温固相反应合成了一系列宽谱带发射黄色荧光粉Sr_(8)MgAl(PO_(4))_(7)∶xEu^(2+)(SMAP∶xEu^(2+)),并对其物质结构、发光性能及其在白色发光二极管(WLED)领域的应用进行了探究。X射线衍射(XRD)测试结果表明,SMAP∶xEu^(2+)系列荧光粉具有单斜结构和C2/m空间群,激活剂Eu^(2+)离子能够很好地进入SMAP基质中并占据Sr2+离子的晶格位点。漫反射光谱分析显示SMAP基质属于宽带隙材料,带隙宽度为3.60 eV。此外,SMAP∶xEu^(2+)具有较宽的激发范围(280~500 nm),对应于Eu^(2+)离子的4f 7→4f 65d1跃迁;在380 nm近紫外光激发下,呈现出450~800 nm的多发光中心的非对称黄光发射,发射峰位于590 nm处。基于高斯多峰拟合结果,得到3个发光中心,分别位于528、600和680 nm。最后,将已制备的黄色荧光粉SMAP∶0.05Eu^(2+)与商业化蓝粉BaMgAl_(10)O_(17)∶Eu^(2+)混合涂覆到400 nm芯片上制得色温较好(3344 K)、显色指数较高(90.1)的WLED。

Sr_(7)Zr(PO_(4))_(6):xEu^(2+)蓝色荧光粉的合成及其发光特性

通过高温固相反应合成了新型的蓝色荧光粉Sr_(7)Zr(PO_(4))_(6):xEu^(2+)。通过X射线粉末衍射(XRD)、紫外可见(UV-Vis)吸收光谱、荧光光谱研究了Sr_(7)Zr(PO_(4))_(6):xEu^(2+)材料的相纯度及荧光性质。结果表明,Eu^(2+)掺杂获得的Sr_(7)Zr(PO_(4))_(6):xEu^(2+)荧光粉为纯相,且200-400 nm范围内的近紫外(NUV)光均能对其进行有效的激发。在315 nm的激发下,Sr_(7)Zr(PO_(4))_(6):xEu^(2+)荧光粉发射出峰值位于415 nm左右的蓝光,且Eu^(2+)在Sr_(7)Zr(PO_(4))_(6)基质中的最佳掺杂浓度为0.05,相应的CIE色度坐标为(0.164,0.021),比商用BaMgAl_(10)O_(17)∶Eu^(2+)(BAM)蓝色荧光粉具有更高的色纯度。