SuperSo8封装中的用于高效功率转换的OptiMOS2技术

英飞凌开发了一种新的MOSFET系列器件，将其业界领先的OptiMOS2 30V技术放在一个高级封装概念中实现。这种与SuperS08封装结合在一起的OptiMOS2技术专用于优化要求高效的应用设计的开关性能（例如：大功率密度的直流DC/DC转换器）。

SOP8功率MOSFET结壳热阻与封装可靠性研究

为研究SOP8双MOS芯片结壳热阻与封装可靠性,建立了封装芯片模型。运用有限元软件通过构建热-结构模块仿真了在EME-E115与CEL-1702HF两种塑封材料下的芯片结壳热阻情况,分析了热量在封装芯片内部的主要传递路径。对比分析了两种塑封仿真下塑封料外壳体、MOSFET、引线框架的变形与应力情况,研究了粘接层厚度变化对MOSFET最大等效应力的影响。研究结果表明,在SOP8双MOS芯片的内部,热量主要是沿着引线框架基板向塑封料底部进行传递。粘接焊料增厚50μm,MOSFET结温增幅未超过0.1℃,结温点到塑封料底面中心的热阻升高约1.3℃·W^(-1)。相比于EME-E115塑封料,使用CEL-1702HF塑封料进行封装仿真时,可使功率MOSFET的结壳热阻降低约20%,且芯片封装体在变形、应力方面均具有明显优势。增大粘接焊料的厚度可以有效减小MOSFET的应力。EME-E115与CEL-1702HF塑封下的MOSFEF最大等效应力在粘接焊料厚度分别超过40μm和50μm后均出现了返升的仿真结果。

环氧树脂/ZrW_2O_8封装材料的制备及其性能

将负热膨胀材料ZrW2O8粉体按一定质量比例与E-51环氧树脂混合,制备电子封装材料.测定了不同比例下封装材料的线膨胀系数、玻璃化温度、抗拉与弯曲强度、吸湿率和耐腐蚀性能.研究结果表明:采用超声波处理,可使ZrW2O8粉体均匀分散在环氧树脂E-51基体中.随着ZrW2O8质量分数的增加,封装材料的线膨胀系数下降,玻璃化温度升高,拉伸、弯曲强度与抗吸湿性提高;当ω(E-51)∶ω(ZrW2O8)=3∶2时,封装材料的耐酸性腐蚀较好,而耐碱性腐蚀的能力较差.

硅基晶圆级封装的三维集成X波段8通道变频模块

南京电子器件研究所将CMOS芯片、GaAs多功能芯片、硅基IPD芯片、TCSAW滤波器等多种工艺制程的芯片异构集成到硅基晶圆上,再采用TSV、微凸点以及晶圆低温键合等工艺在国内首次实现了基于硅基射频微系统集成工艺的三维集成微波模块。如图1所示,该模块包含了接收多功能、8通道滤波、镜像抑制混频多功能、中频多功能以及三种中频带宽可切换功能的集成。

ZrW_2O_8/E—51电子封装材料电学性能研究

采用具有负热膨胀特性的ZrW2O8粉体和SiO2粉体分别作为填料制备E-51环氧树脂电子封装材料。测试了填料对封装材料的相对介电常数、介质损耗、阻温特性和电击穿场强等电性能的影响。结果表明：在相同含量下，ZrW2O8填料效果好；随ZrW2O8量的增加，介质损耗不断减小，ZrW2O8与E-51的质量比为0．7：1时，相对介电常数最大；在室温～163℃范围内，ZrW2O8／B-51的电阻率稳定在3．03×10^6Ω·m，电击穿场强均大于10kV／m。

ZIF-8原位自封装固定化脂肪酶的研究

该研究使用沸石-咪唑框架-8(zeolitic imidazolate framework-8,ZIF-8)多孔结构材料原位自封装皱褶假丝酵母源脂肪酶(Candida rugosa lipase,CRL)制备固定化脂肪酶(CRL@ZIF-8),利用红外光谱(Fourier transform infrared spectroscopy,FT-IR)、X-射线衍射(X-ray diffraction,XRD)和扫描电子显微镜(scanning electron microscopy,SEM)等技术研究金属离子来源、反应时间、金属离子浓度和有机连接体的浓度等因素对固定化酶催化活性和形貌特征的影响。确定固定化脂肪酶的最适合成条件:2-甲基咪唑浓度为1.0 mol/L,醋酸锌浓度为0.5 mol/L,反应时间为30 min。在该条件下制备的固定化脂肪酶CRL@ZIF-8酶活力可达到9.8 U/g,其温度稳定性有显著的提高。

基于无定形沸石-咪唑框架-8材料固定米根霉源脂肪酶研究

多级孔沸石-咪唑框架-8(zeolitic imidazolate framework-8,ZIF-8)材料相较于传统的ZIF-8材料具有更大的孔径,在固定化酶领域展现了较好的应用前景。目前,利用多级孔ZIF-8材料固定米根霉源脂肪酶(Rhizopus oryzae lipase,ROL)的效果仍不清楚。通过调节ZIF-8材料前驱体的初始物质的量比例,制备得到一种无定形ZIF-8(amorphous zeolitic imidazolate framework-8,aZIF-8)材料,基于ZIF-8和aZIF-8材料,采用原位自封装法制备得到固定化脂肪酶ROL@ZIF-8和ROL@aZIF-8。利用红外光谱仪、X-射线衍射仪和扫描电子显微镜等研究了ZIF-8、aZIF-8、ROL@ZIF-8及ROL@aZIF-8的形貌及结构差异,比较了在不同ROL质量浓度条件下制备的ROL@aZIF-8与相同质量浓度ROL的酶活力,考察了ROL和ROL@aZIF-8的酸碱稳定性、温度耐受性、储藏稳定性以及对邻苯二甲酸二丁酯(dibutyl phthalate,DBP)和邻苯二甲酸二异丁酯(diisobutyl phthalate,DIBP)的水解能力。结果表明,aZIF-8材料呈现出包含十字花形、正方形、球形等多种形态的无定形形貌,是一种具有微孔和介孔的多级孔材料。在ROL的质量浓度为4 mg/mL的条件下制备的ROL@aZIF-8呈现最大酶活力,为5.69 U/mg。在相同的ROL质量浓度条件下,aZIF-8材料的疏水性及多级孔特性促使ROL@aZIF-8的酶活力比ROL高。ROL@aZIF-8比ROL具有更好的碱稳定性、温度耐受性、储藏稳定性以及更高的对DBP和DIBP的水解能力。

魅族M8手机EDB数据封装类

本文以魅族m8手机中短信为例,主要讲解了WINCE上EDB数据库的读写操作的方法,思路和具体步骤。从而使读者对EDB数据库有一个感性的认识,并能掌握开发有关EDB数据库的基本方法。

北京莱姆电子推出用于绝缘电流测量的SO-8封装MiniSensi ASIC传感器

2007年12月7日——北京莱姆电子宣布，推出一款微型集成电路传感器——Minisens，用于高达100kHz的AC与DC绝缘电流测量。这种新元件提供无插入损耗的完全绝缘（无需光耦）和高灵敏度（每安培初级电流20mV到200mV）。它可以作为一个SMD器件直接安装在印刷电路板上，降低制造成本。

北京莱姆电子推出用于绝缘电流测量的SO-8封装Minisens ASIC传感器

北京莱姆电子今天宣布，推出一款微型集成电路传感器-Minisens，用于高达100kHz的AC与DC绝缘电流测量。这种新元件提供无插入损耗的完全绝缘（无需光耦）和高灵敏度（每安培初级电流20mV到200mV）。它可以作为一个SMD器件直接安装在印刷电路板上，降低制造成本。

北京莱姆电子推出SO-8封装MinisensASIC传感器

北京莱姆电子近日宣布，推出一款微型集成电路传感器——Minisens，用于高达100kHz的AC与DC绝缘电流测量。这种新元件提供无插入损耗的完全绝缘（无需光耦）和高灵敏度（每安培初级电流20mV到200mv）。它可以作为一个SMD器件直接安装在印刷电路板上，降低制造成本。

PI面向LED灯泡供应SO-8封装的LinkSwitch产品系列

Power Integrations公司日前宣布所有LinkSwitch-TN，LP与-XT系列产品ICs都可提供SO-8封装货品，以支持LED灯泡、小型充电器等新兴应用产品的设计。

三星开发出全球首例8籽芯芯片封装技术

全球最大的芯片制造商三星电子称，它已开发出全球首款应用于高端移动设备的8籽芯芯片封装(mcp)技术。

-30VSO-8封装P沟道MOSFET系列：P沟道MOSFET

IR推出新系列．30V器件，采用IR新的SO-8封装P沟道MOSFET硅组件，适用于电池充电和放电开关，以及直流应用的系统／负载开关。

Microchip推出采用6～20引脚封装的集成可配置逻辑8位单片机

Microchip（美国微芯科技公司）宣布推出全新的8位PIC单片机（MCU）。此类MCU采用6～20引脚封装,集成了可配置逻辑和高级外设。PIC10F（LF）32X和PIC1XF（LF）150X MCU均具备全新外设,包括可配置逻辑单元（CLC）、

三星开发出8晶粒多芯片封装技术

最近，三星电子开发出世界首款8晶粒多芯片封装技术。这款技术将应用于高性能移动设备，例如3G手机以及越来越多的超小型移动设备。通过这种技术，8晶粒多芯片封装的解决方法将在1.4mm厚度的芯片上达到3.2Gb的容量。

飞利浦推出超小型8位微控制器系列产品——新型小巧器件采用3mm×3mm×0.85mm封装

飞利浦电子公司日前推出两款新型的LPC900系列8位微控制器。这些新器件体积小巧，同时兼顾功能与性能。采用10引脚HVSON封装，体积仅为3．0×3．0×0．85mm^3，堪称业界最小的8位微控制器。LPC9102和LPC9103是专为空间受限的应用而设计的，集成了许多系统级芯片功能，如高精度内部RC振荡器、掉电监测、上电复位及8位模数转换器(ADC)、比较器和UART等，减少了系统中器件的数量。