电子束蒸发在Si衬底上制备MgB_2超导薄膜

利用电子束蒸发法在 Si(111)衬底上制备了 Mg B2 超导薄膜。首先在衬底上按照 1∶ 2的原子比交替蒸发 Mg和 B,所形成的夹层先驱膜在 15 0 Pa99.99% Ar气氛下进行原位热处理 6 30℃× 30 m in。实验发现超导薄膜在正常态下无半导体电阻特性 ,超导起始转变温度为 2 4 .7K,零电阻温度为 16 .5 K。

电子束蒸发法在Al_2O_3衬底上制备MgB_2超导薄膜

利用电子束蒸发法在Al203(0001)衬底上制备MgB2超导薄膜。首先在衬底上按照1:2的原子比交替蒸发Mg和B,所形成的夹层先驱膜在150Pa纯度为99.99%的Ar气氛中,在630℃的温度下原位热处理30分钟。超导薄膜的起始转变温度为30.6K,零电阻温度为30.5K。

预处理气氛对电子束蒸发制备YBCO薄膜性能和结构的影响

采用先电子束沉积后退火的两步法制备YBCO超导薄膜;根据薄膜的超导临界电流密度、X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)的测试结果,研究了不同预处理气氛对YBCO薄膜结构、表面形貌及超导性能的影响。