Swap量子门的消相干特性(英文)

利用单电子量子点的自旋态,研究了Swap量子门的量子相干特性。得到了系统的超算子,并利用超算子得出了体系的密度矩阵元,在玻恩和马尔科夫近似下,分析了体系由于磁环境所引起的消相干特性。

实现量子SWAP门的腔QED方案(英文)

提出一个基于两个三能级原子和单膜腔场大失谐相互作用来实现两比特量子SWAP门的腔QED方案。在这个方案里,两个全同三能级原子同时与单膜真空腔场发生大失谐相互作用,并辅助了经典场对原子施行单比特操作。此外,在整个作用过程中,腔场态一直处于虚激发,原子和腔场之间没有信息交换,因此对腔的品质要求大大降低。在目前的腔QED技术条件下,该方案是可以实现的。

在离子阱中实现量子SWAP门的方案(英文)

提出了一个利用处在线性阱中的两个全同的三能级离子与两个不同频率的激光脉冲共振相互作用来实现两比特量子SWAP门的方案,该方案是根据Haffner和Riebe等的实验方法与结果选择^(40)Ca^+离子S_(1/2)基态的一个塞曼能级作为基态,以亚稳态D_(5/2)的两个塞曼能级作为两个激发态来实现的,选择适当的参数如质心模的频率v=1.2 MHz,拉比频率Ω=0.1v以及Lamb-Dicke参数η=0.1,计算出实现该方案所用的总时间为T≈1.3×10^(-3)s,该时间远小于亚稳态D_(5/2)的寿命T_1≈1.16s,并且在这个方案里消相干是可以被忽略的。在目前的离子阱技术条件下,该方案是可以实现的。