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(Nd_(0.5)Ta_(0.5))^(4+)复合离子对BNT-BKT陶瓷微结构及电学性能的影响
被引量:
3
1
作者
窦闰镨
杨玲
+2 位作者
许积文
周昌荣
王华
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2019年第4期64-71,共8页
采用固相烧结法制备了(Nd_(0.5)Ta_(0.5))^(4+)复合离子调控的Bi_(0.5)(Na_(0.82)K_(0.18))_(0.5)Ti_(1-x)(Nd_(0.5)Ta_(0.5))_xO_3(BNKT-xNT)无铅陶瓷。研究了(Nd_(0.5)Ta_(0.5))^(4+)复合离子掺杂量对BNKT陶瓷的表面形貌、微观结构,...
采用固相烧结法制备了(Nd_(0.5)Ta_(0.5))^(4+)复合离子调控的Bi_(0.5)(Na_(0.82)K_(0.18))_(0.5)Ti_(1-x)(Nd_(0.5)Ta_(0.5))_xO_3(BNKT-xNT)无铅陶瓷。研究了(Nd_(0.5)Ta_(0.5))^(4+)复合离子掺杂量对BNKT陶瓷的表面形貌、微观结构,以及铁电、介电、储能、阻抗等电学性能的影响。研究结果表明:(Nd_(0.5)Ta_(0.5))^(4+)复合离子进入了BNKT陶瓷的B位并形成了单一的钙钛矿结构;晶粒分布均匀、致密,晶界清晰;(Nd_(0.5)Ta_(0.5))^(4+)复合离子的引入显著降低了BNKT陶瓷的剩余极化强度、饱和极化强度以及矫顽场,电滞回线变得瘦小、细长,储能效率随之升高,并在x=0.08和60×10~3 V/cm电场下达到了70%;储能密度先减小、后增大、再减小,在x=0.04时达到最大值0.36 J/cm^3;电致应变在x=0.03时最大为0.183%;随着掺杂含量的增加,BNKT-xNT陶瓷从铁电相与弛豫铁电相共存转变为弛豫铁电相,其介电常数峰T_m逐渐降低且平坦化;交流阻抗谱表明BNKT-xNT陶瓷在低温下具有良好的绝缘性。
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关键词
BN
t-bkt
(Nd0.5Ta0.5)^4+
储能
应变
介电
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职称材料
题名
(Nd_(0.5)Ta_(0.5))^(4+)复合离子对BNT-BKT陶瓷微结构及电学性能的影响
被引量:
3
1
作者
窦闰镨
杨玲
许积文
周昌荣
王华
机构
桂林电子科技大学材料科学与工程学院
桂林电子科技大学广西信息材料重点实验室
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2019年第4期64-71,共8页
基金
国家自然科学基金(11664006)
广西自然科学基金(2016GXNSFAA380069)
文摘
采用固相烧结法制备了(Nd_(0.5)Ta_(0.5))^(4+)复合离子调控的Bi_(0.5)(Na_(0.82)K_(0.18))_(0.5)Ti_(1-x)(Nd_(0.5)Ta_(0.5))_xO_3(BNKT-xNT)无铅陶瓷。研究了(Nd_(0.5)Ta_(0.5))^(4+)复合离子掺杂量对BNKT陶瓷的表面形貌、微观结构,以及铁电、介电、储能、阻抗等电学性能的影响。研究结果表明:(Nd_(0.5)Ta_(0.5))^(4+)复合离子进入了BNKT陶瓷的B位并形成了单一的钙钛矿结构;晶粒分布均匀、致密,晶界清晰;(Nd_(0.5)Ta_(0.5))^(4+)复合离子的引入显著降低了BNKT陶瓷的剩余极化强度、饱和极化强度以及矫顽场,电滞回线变得瘦小、细长,储能效率随之升高,并在x=0.08和60×10~3 V/cm电场下达到了70%;储能密度先减小、后增大、再减小,在x=0.04时达到最大值0.36 J/cm^3;电致应变在x=0.03时最大为0.183%;随着掺杂含量的增加,BNKT-xNT陶瓷从铁电相与弛豫铁电相共存转变为弛豫铁电相,其介电常数峰T_m逐渐降低且平坦化;交流阻抗谱表明BNKT-xNT陶瓷在低温下具有良好的绝缘性。
关键词
BN
t-bkt
(Nd0.5Ta0.5)^4+
储能
应变
介电
Keywords
t-bkt
(Nd0.5Ta0.5)^4+
energy storage
strain
dielectric
分类号
TQ174 [化学工程—陶瓷工业]
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职称材料
题名
作者
出处
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被引量
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1
(Nd_(0.5)Ta_(0.5))^(4+)复合离子对BNT-BKT陶瓷微结构及电学性能的影响
窦闰镨
杨玲
许积文
周昌荣
王华
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2019
3
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职称材料
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