TALD与ITALD:伊拉克战争中的战术空射诱饵

3月22日美国空袭伊拉克首都后，伊拉克电视台播出了在巴格达发现的“以色列制造的导弹”碎片。电视画面上清晰地显示了轰炸后找到的金属碎片上的“塔斯-耶路撒冷”（TAAS JERUSALEM)字样。伊拉克国家电视台宣称，这是一片盟军发射的导弹碎片。

热型和等离子体原子沉积低温生长TiO_2研究

选择TiCl_4作为前驱体,使用热型原子沉积(TALD)设备,研究了低温(350℃以下)制备TiO_2的生长速率和晶格结构;使用等离子沉积(PEALD)设备,通过等离子H_2还原出Ti单质,再通过O_3氧化Ti单质层的方法,低温下(300℃以下)制备TiO_2。试验发现,衬底、等离子H_2的曝光时间对TiO_2的生长速率有很大影响,而增加Ti单质层厚度直接导致Ti单质层氧化成锐钛矿TiO_2所需要的时间大大增加。PEALD制备的TiO_2,结晶性能与Ti单质层厚度和O_3曝光时间有很大关系,在不外加能量的情况下,300℃以下无法制备纯金红石相的TiO_2。

热ALD和等离子增强ALD沉积HfO2薄膜的比较（英文）

以四(甲乙胺)铪(TEMAHf)作为前驱体,采用热原子层沉积(TALD)技术和等离子体增强原子层沉积(PEALD)技术分别在硅衬底上沉积二氧化铪(HfO2)薄膜。分别研究了水和臭氧作为共反应物对TALD HfO2薄膜性能的影响及采用电容耦合等离子体(CCP)PEALD HfO2薄膜的最佳工艺条件。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光电子能谱(XPS)对不同工艺制备的HfO2薄膜的微观结构、表面形貌进行了表征。结果表明,反应温度为300℃时,TALD 50 nm厚的HfO2薄膜为单斜相晶体;PEALD在较低反应温度(150℃)下充分反应,所沉积的50 nm厚的HfO2薄膜杂质含量较低,薄膜未形成结晶态;PEALD工艺得到的HfO2薄膜的界面层最厚,主要为硅的亚氧化物或铪硅酸盐。电流-电压(I-V)和电容-电压(C-V)测试结果表明,以水作为氧源且反应温度300℃的TALD工艺所得到的HfO2薄膜,其金属-绝缘体-半导体(MIS)器件的漏电流及电滞回线最小。

TALO,TAVI和TASP——浅析英语课堂上教材的使用

在语言教学过程中,教材是实施课程教学的重要手段和工具,承载着语言知识、语言信息、文化信息以及教学理念与方法等诸多内容,是语言课程的重要组成部分。在不同的教学指导思想的影响下,随着课堂上使用的教学法的发展变化,采用的教材也在不断改进。纵观英语课堂上使用的教材,尤其是在大学基础阶段,从教学目的的角度看大致可分为三类:以语言知识为教学目的设计的教材(TALO)、作为获取信息的方式来设计的教材(TAVI)和以刺激语言输出为目的而设计的教材(TASP)。