低电阻率高透过率TAZO透明导电膜的制备及性能

利用直流磁控溅射工艺,在水冷玻璃衬底上制备了透过率高、电阻率相对较低的钛铝共掺杂ZnO(TAZO)透明导电膜。用XRD和SEM等研究其结构、应力和光电性能与靶基距之间的关系。结果表明:TAZO薄膜为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有c轴择优取向。当靶基距为42mm时,薄膜样品晶格畸变最小,具有最小压应力(绝对值)0.270GPa,同时具有最小方块电阻4.21?/□;靶基距为48mm时,薄膜样品具有最小电阻率3.09×10–4?·cm。所有薄膜样品的可见光区平均透过率都超过了91%。

钛铝共掺杂氧化锌和钛掺杂氧化锌透明导电薄膜的制备与性能对比研究

利用直流磁控溅射法,在相同实验条件下成功沉积出了钛掺杂氧化锌(TZO)透明导电薄膜和钛铝共掺杂氧化锌(TAZO)透明导电薄膜,并对两种薄膜的结构、应力和光电性能进行了对比研究。结果表明:两种薄膜均为具有c轴择优取向的六角纤锌矿结构多晶薄膜;TAZO薄膜的导电性能优于TZO薄膜,100 W溅射功率下制备的TZO薄膜的电阻率具有其最小值5.17×10-4Ω.cm,而相同功率下TAZO薄膜的电阻率为3.88×10-4Ω.cm;同时TAZO薄膜的光学性能也优于TZO薄膜,所有TAZO薄膜样品的可见光透过率均大于91%,而TZO薄膜的可见光透过率均大于85%。

铝钛共掺杂氧化锌透明导电薄膜的制备与性能研究

用直流磁控溅射法在玻璃衬底上成功制备出了铝钛共掺杂氧化锌(TAZO)透明导电薄膜,研究了溅射压强对TAZO薄膜的微观结构和光电特性的影响。研究结果表明,所制备的TAZO薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有c轴择优取向。当溅射压强为7.5Pa时,薄膜的最小电阻率为3.34×10-4Ω.cm。薄膜的可见光区平均透过率大于89%。溅射压强对薄膜的电阻率和微观结构有显著影响。

直流磁控溅射法制备高品质钛铝共掺杂氧化锌透明导电薄膜

利用直流磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上成功制备出高品质的钛铝共掺杂氧化锌(TAZO)透明导电薄膜。XRD研究结果表明,TAZO薄膜为具有c轴择优取向的六角纤锌矿结构的多晶薄膜,偏压为-20V时制备的厚度为365nm的薄膜的方块电阻为10.15Ω/□,最小电阻率为3.70×10^(-4)Ω·cm,所有薄膜样品在500～800nm的可见光平均透过率都超过了92%。

不同衬底沉积Ti-Al共掺杂ZnO薄膜的性能对比研究

利用直流磁控溅射法,在玻璃衬底和Si片衬底上分别沉积出了Ti-Al共掺杂ZnO透明导电薄膜(TAZO),并对这两种衬底上的薄膜的应力、结构和光电性能进行了对比研究。结果表明:玻璃衬底和Si片衬底上沉积的TAZO薄膜均为具有c轴择优取向的六角纤锌矿结构多晶薄膜,Si片衬底的TAZO薄膜的导电性能优于玻璃衬底上的TAZO薄膜,53 min沉积出的两种衬底上的TAZO薄膜都具有最小电阻率,Si片衬底上薄膜的最小电阻率为5.07×10-4Ω.cm,玻璃衬底上薄膜的最小电阻率为5.48×10-4Ω.cm;玻璃衬底上的TAZO薄膜的应力小于Si片衬底上TAZO薄膜的应力。玻璃衬底上沉积TAZO薄膜样品的可见光透过率均大于90%,两种衬底上沉积TAZO薄膜的折射率都在2.0左右。

Ti-Al共掺ZnO薄膜的应力、结构和光电性能研究

利用直流磁控溅射工艺,在水冷玻璃衬底上成功沉积出了高透光、低电阻率的Ti-Al共掺ZnO（TAZO）透明导电薄膜。X射线衍射（XRD）研究结果表明,TAZO薄膜为具有c轴择优取向的六角纤锌矿结构多晶薄膜。研究了TAZO薄膜的应力、结构以及光电性能与薄膜厚度的关系,结果表明,当薄膜厚为531 nm时,薄膜晶格畸变最小,具有最小压应力（绝对值）0.726 6 Gpa,同时具有最小电阻率3.35×10-4Ω.cm,其光学带隙大约为3.58 eV。所制备薄膜附着性能良好,在波长为400~760 nm波段的可见光中平均透过率都超过了91%。