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基于TCAD软件的单层多晶EEPROM器件模拟分析
被引量:
2
1
作者
邓勇
宣晓峰
+1 位作者
许高斌
杨明武
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第1期15-18,共4页
利用TCAD软件对单层多晶EEPROM器件特性进行了模拟分析,介绍了单层多晶EEPROM存储单元结构与原理的基础,针对TCAD软件中模拟分析单层多晶EEPROM器件特性时存在的困难,提出了一种两个MOS管外加电阻的等效模型来替代单层多晶EEPROM存储单...
利用TCAD软件对单层多晶EEPROM器件特性进行了模拟分析,介绍了单层多晶EEPROM存储单元结构与原理的基础,针对TCAD软件中模拟分析单层多晶EEPROM器件特性时存在的困难,提出了一种两个MOS管外加电阻的等效模型来替代单层多晶EEPROM存储单元结构进行等效模拟。通过编程模拟了单层多晶EEPROM器件性能,模拟分析得到的特性曲线与理论曲线能较好吻合,验证了等效模型方案的可行性。
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关键词
单层多晶EEPROM
tcad软件
等效模型
器件模拟
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职称材料
Silvaco TCAD仿真软件在《光电子学》课程教学中的应用
2
作者
王云姬
《进展》
2023年第2期82-83,共2页
本文主要阐述了Silvaco TCAD软件仿真在光电子学这门课程中的应用价值,并以雪崩二极管为例,说明了具体的应用。Silvaco TCAD仿真教学在光电子学中的辅助教学,可以帮助学生更好的理解光电子学中的光电探测器,提升学生的综合实践能力。
关键词
Silvaco
tcad
仿真
软件
光电子学
器件仿真
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职称材料
量子线器件电致性能模拟研究
3
作者
郭志超
吕昭
《新乡学院学报》
2010年第2期36-37,47,共3页
用硅基铂钛夹层AAO多孔模板-溶胶凝胶法成功地制备出有序的TiO2纳米线阵列;并用Synopsys TCAD微电子器件仿真软件Sen.Taurus Device模块,模拟分析了单根纳米线的电致物理性能,重点研究纳米线的直径和长度与电导和电压的关系。
关键词
硅基AAO模板
TiO2纳米线
SYNOPSYS
tcad软件
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职称材料
选择性发射极参数对太阳电池光电特性的影响
被引量:
2
4
作者
吴正军
梁海莲
顾晓峰
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2010年第4期202-206,共5页
选择性发射极太阳电池具有独特的器件结构及优异的光电特性。基于M·Tucci等人实际制作的一款选择性发射极太阳电池,利用TCAD软件MEDICI建立了其器件结构模型,在比实验更大的参数范围内分析了发射区厚度、n+区和n区掺杂浓度等物理...
选择性发射极太阳电池具有独特的器件结构及优异的光电特性。基于M·Tucci等人实际制作的一款选择性发射极太阳电池,利用TCAD软件MEDICI建立了其器件结构模型,在比实验更大的参数范围内分析了发射区厚度、n+区和n区掺杂浓度等物理量对太阳电池光电转换效率的影响。结果表明,发射区的最佳厚度约为0·6μm,该厚度下n+区的最佳掺杂浓度约为6×1020cm-3,增加n区浓度则会导致转换效率下降。在优化发射区方块电阻的基础上考虑少子寿命的优化,可获得高达19·16%的光电转换效率,接近当前较大面积同类太阳电池的最佳水平,为实际制备大面积高效单晶硅太阳电池提供了有益的参考。
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关键词
太阳电池
选择性发射极
光电转换效率
tcad软件
模拟
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职称材料
小尺寸栅极HEMT器件结温测量
被引量:
1
5
作者
高立
廖之恒
+1 位作者
李世伟
郭春生
《半导体技术》
CSCD
北大核心
2017年第11期833-837,843,共6页
用现有的红外法测量的GaN基HEMT器件结温,比实际最高温度点的温度低。而用喇曼法测量结温对设备要求高且不易于操作。针对现有技术对GaN基HEMT器件结温的测量存在一定困难的问题,设计了一款HEMT器件匹配电路。利用红外热像仪测量HEMT器...
用现有的红外法测量的GaN基HEMT器件结温,比实际最高温度点的温度低。而用喇曼法测量结温对设备要求高且不易于操作。针对现有技术对GaN基HEMT器件结温的测量存在一定困难的问题,设计了一款HEMT器件匹配电路。利用红外热像仪测量HEMT器件的结温升高,并结合物理数值模拟仿真,提出一种小尺寸栅极结温升高测量方法。结果表明,建立正确的仿真模型,可以得到不同栅极长度范围内的温度。通过这种方法可以测量出更接近实际的结温,为之后研究加载功率与壳温对Al GaN/GaN HEMT器件热阻的影响奠定了理论基础,并且为实际工作中热特性研究提供了参考依据。
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关键词
GaN基HEMT器件
结温
红外法
防自激电路
Sentaurus
tcad软件
模拟
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职称材料
STI应力对CMOS器件影响的模拟研究
6
作者
宋雯
檀柏梅
戚帆
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第11期842-845,854,共5页
浅沟槽隔离(STI)工艺由于具有制程温度低、无鸟嘴效应、表面平坦化好等优点而成为MOS器件的主要隔离技术。使用TCAD软件分别对采用65 nm工艺具有不同STI宽度(WSTI)的nMOS/pMOS器件进行了工艺和器件仿真。结果表明,当WSTI=0.2μm时,压应...
浅沟槽隔离(STI)工艺由于具有制程温度低、无鸟嘴效应、表面平坦化好等优点而成为MOS器件的主要隔离技术。使用TCAD软件分别对采用65 nm工艺具有不同STI宽度(WSTI)的nMOS/pMOS器件进行了工艺和器件仿真。结果表明,当WSTI=0.2μm时,压应力值为-30 MPa;当WSTI=0.75μm时,压应力值为-136 MPa,沟道中的压应力随STI宽度的增加而逐渐变大;当WSTI从0.2μm增大到0.75μm时,nMOS的Idsat降低了约7.1%,pMOS的Idsat提高了约6.67%,即随着STI宽度的增加nMOS的Idsat降低,pMOS的Idsat增加。因此,在版图设计中,可以通过改变STI宽度的方法来提高器件的性能。另外,在器件模型中应考虑加入WSTI参数,以达到对电路性能更精确的仿真。
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关键词
浅沟槽隔离
应力
tcad软件
版图设计
器件建模
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职称材料
一种新型高性能FinFET的设计与特性分析
7
作者
吴頔
汤乃云
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第1期53-58,共6页
针对CMOS器件随着技术节点的不断减小而产生的短沟道效应和漏电流较大等问题,设计了一种新型直肠形鳍式场效应晶体管(FinFET),并将该新型器件与传统的矩形结构和梯形结构的FinFET通过Sentaurus TCAD仿真软件进行对比。结果表明,当栅极...
针对CMOS器件随着技术节点的不断减小而产生的短沟道效应和漏电流较大等问题,设计了一种新型直肠形鳍式场效应晶体管(FinFET),并将该新型器件与传统的矩形结构和梯形结构的FinFET通过Sentaurus TCAD仿真软件进行对比。结果表明,当栅极长度控制在10 nm时,新型器件相比于另外两种传统的FinFET具有更小的鳍片尺寸,且鳍片高度不低于抑制短沟道效应的临界值。仿真结果显示,这种新型的FinFET具有更好的开关特性和亚阈值特性。同时,该器件在射频方面的特性参数也显示出该器件具有较高性能,并有一定的实际应用价值。
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关键词
短沟道效应
鳍式场效应晶体管(FinFET)
直肠形器件
亚阈值特性
tcad
仿真
软件
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职称材料
题名
基于TCAD软件的单层多晶EEPROM器件模拟分析
被引量:
2
1
作者
邓勇
宣晓峰
许高斌
杨明武
机构
合肥工业大学理学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第1期15-18,共4页
基金
安徽省自然科学基金资助项目(05040202)
安徽省教育厅自然科学重点科研计划项目资助(2006KJ026A)
文摘
利用TCAD软件对单层多晶EEPROM器件特性进行了模拟分析,介绍了单层多晶EEPROM存储单元结构与原理的基础,针对TCAD软件中模拟分析单层多晶EEPROM器件特性时存在的困难,提出了一种两个MOS管外加电阻的等效模型来替代单层多晶EEPROM存储单元结构进行等效模拟。通过编程模拟了单层多晶EEPROM器件性能,模拟分析得到的特性曲线与理论曲线能较好吻合,验证了等效模型方案的可行性。
关键词
单层多晶EEPROM
tcad软件
等效模型
器件模拟
Keywords
single poly EEPROM
tcad
software
equivalent model
device simulation
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TP343 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
Silvaco TCAD仿真软件在《光电子学》课程教学中的应用
2
作者
王云姬
机构
金陵科技学院网络与通信工程学院
出处
《进展》
2023年第2期82-83,共2页
文摘
本文主要阐述了Silvaco TCAD软件仿真在光电子学这门课程中的应用价值,并以雪崩二极管为例,说明了具体的应用。Silvaco TCAD仿真教学在光电子学中的辅助教学,可以帮助学生更好的理解光电子学中的光电探测器,提升学生的综合实践能力。
关键词
Silvaco
tcad
仿真
软件
光电子学
器件仿真
分类号
G642.0 [文化科学—高等教育学]
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职称材料
题名
量子线器件电致性能模拟研究
3
作者
郭志超
吕昭
机构
北京工业大学材料学院国家教育部功能材料重点实验室
出处
《新乡学院学报》
2010年第2期36-37,47,共3页
基金
国家重大基础科学研究973(2006CB601005)
文摘
用硅基铂钛夹层AAO多孔模板-溶胶凝胶法成功地制备出有序的TiO2纳米线阵列;并用Synopsys TCAD微电子器件仿真软件Sen.Taurus Device模块,模拟分析了单根纳米线的电致物理性能,重点研究纳米线的直径和长度与电导和电压的关系。
关键词
硅基AAO模板
TiO2纳米线
SYNOPSYS
tcad软件
Keywords
AAO film of silicon base
TiO2 nanometer wires
Synopsys
tcad
software
分类号
O482.4 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
选择性发射极参数对太阳电池光电特性的影响
被引量:
2
4
作者
吴正军
梁海莲
顾晓峰
机构
江南大学信息工程学院
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2010年第4期202-206,共5页
基金
教育部留学回国人员科研启动基金资助项目(教外司留[2008]890)
教育部新世纪优秀人才支持计划资助项目(NCET-06-0484)
文摘
选择性发射极太阳电池具有独特的器件结构及优异的光电特性。基于M·Tucci等人实际制作的一款选择性发射极太阳电池,利用TCAD软件MEDICI建立了其器件结构模型,在比实验更大的参数范围内分析了发射区厚度、n+区和n区掺杂浓度等物理量对太阳电池光电转换效率的影响。结果表明,发射区的最佳厚度约为0·6μm,该厚度下n+区的最佳掺杂浓度约为6×1020cm-3,增加n区浓度则会导致转换效率下降。在优化发射区方块电阻的基础上考虑少子寿命的优化,可获得高达19·16%的光电转换效率,接近当前较大面积同类太阳电池的最佳水平,为实际制备大面积高效单晶硅太阳电池提供了有益的参考。
关键词
太阳电池
选择性发射极
光电转换效率
tcad软件
模拟
Keywords
solar cell
selective emitter
photoelectrical conversion efficiency
tcad
software
simulation
分类号
TM914.41 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
小尺寸栅极HEMT器件结温测量
被引量:
1
5
作者
高立
廖之恒
李世伟
郭春生
机构
中国电子技术标准化研究院
北京工业大学微电子学院
出处
《半导体技术》
CSCD
北大核心
2017年第11期833-837,843,共6页
基金
核心电子器件评价和检测技术资助项目(2012ZX01022002)
文摘
用现有的红外法测量的GaN基HEMT器件结温,比实际最高温度点的温度低。而用喇曼法测量结温对设备要求高且不易于操作。针对现有技术对GaN基HEMT器件结温的测量存在一定困难的问题,设计了一款HEMT器件匹配电路。利用红外热像仪测量HEMT器件的结温升高,并结合物理数值模拟仿真,提出一种小尺寸栅极结温升高测量方法。结果表明,建立正确的仿真模型,可以得到不同栅极长度范围内的温度。通过这种方法可以测量出更接近实际的结温,为之后研究加载功率与壳温对Al GaN/GaN HEMT器件热阻的影响奠定了理论基础,并且为实际工作中热特性研究提供了参考依据。
关键词
GaN基HEMT器件
结温
红外法
防自激电路
Sentaurus
tcad软件
模拟
Keywords
GaN-based HEMT device
junction temperature
infrared method
anti-self-excitation circuit
Sentaurus
tcad
software simulation
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
STI应力对CMOS器件影响的模拟研究
6
作者
宋雯
檀柏梅
戚帆
机构
河北工业大学微电子技术与材料研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第11期842-845,854,共5页
文摘
浅沟槽隔离(STI)工艺由于具有制程温度低、无鸟嘴效应、表面平坦化好等优点而成为MOS器件的主要隔离技术。使用TCAD软件分别对采用65 nm工艺具有不同STI宽度(WSTI)的nMOS/pMOS器件进行了工艺和器件仿真。结果表明,当WSTI=0.2μm时,压应力值为-30 MPa;当WSTI=0.75μm时,压应力值为-136 MPa,沟道中的压应力随STI宽度的增加而逐渐变大;当WSTI从0.2μm增大到0.75μm时,nMOS的Idsat降低了约7.1%,pMOS的Idsat提高了约6.67%,即随着STI宽度的增加nMOS的Idsat降低,pMOS的Idsat增加。因此,在版图设计中,可以通过改变STI宽度的方法来提高器件的性能。另外,在器件模型中应考虑加入WSTI参数,以达到对电路性能更精确的仿真。
关键词
浅沟槽隔离
应力
tcad软件
版图设计
器件建模
Keywords
STI
stress
tcad
software
layout design
device modeling
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
一种新型高性能FinFET的设计与特性分析
7
作者
吴頔
汤乃云
机构
上海电力大学电子与信息工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第1期53-58,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(52001194)。
文摘
针对CMOS器件随着技术节点的不断减小而产生的短沟道效应和漏电流较大等问题,设计了一种新型直肠形鳍式场效应晶体管(FinFET),并将该新型器件与传统的矩形结构和梯形结构的FinFET通过Sentaurus TCAD仿真软件进行对比。结果表明,当栅极长度控制在10 nm时,新型器件相比于另外两种传统的FinFET具有更小的鳍片尺寸,且鳍片高度不低于抑制短沟道效应的临界值。仿真结果显示,这种新型的FinFET具有更好的开关特性和亚阈值特性。同时,该器件在射频方面的特性参数也显示出该器件具有较高性能,并有一定的实际应用价值。
关键词
短沟道效应
鳍式场效应晶体管(FinFET)
直肠形器件
亚阈值特性
tcad
仿真
软件
Keywords
short channel effect
fin field effect transistor(FinFET)
rectzoidal device
sub-threshold characteristic
tcad
simulation software
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于TCAD软件的单层多晶EEPROM器件模拟分析
邓勇
宣晓峰
许高斌
杨明武
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008
2
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职称材料
2
Silvaco TCAD仿真软件在《光电子学》课程教学中的应用
王云姬
《进展》
2023
0
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职称材料
3
量子线器件电致性能模拟研究
郭志超
吕昭
《新乡学院学报》
2010
0
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职称材料
4
选择性发射极参数对太阳电池光电特性的影响
吴正军
梁海莲
顾晓峰
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2010
2
下载PDF
职称材料
5
小尺寸栅极HEMT器件结温测量
高立
廖之恒
李世伟
郭春生
《半导体技术》
CSCD
北大核心
2017
1
下载PDF
职称材料
6
STI应力对CMOS器件影响的模拟研究
宋雯
檀柏梅
戚帆
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012
0
下载PDF
职称材料
7
一种新型高性能FinFET的设计与特性分析
吴頔
汤乃云
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021
0
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职称材料
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