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真空沉积TCNQ薄膜的手性分形结构 被引量:1
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作者 李建昌 薛增泉 +3 位作者 张浩 曾燕 刘惟敏 吴全德 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2000年第7期579-582,共4页
The unique two dimensional chiral “seahorse” like fractal aggregates of pure tetracyanoquinodimethane (TCNQ) and PANI TCNQ complex thin films,deposited by vacuum evaporation,were observed and reported.The influence ... The unique two dimensional chiral “seahorse” like fractal aggregates of pure tetracyanoquinodimethane (TCNQ) and PANI TCNQ complex thin films,deposited by vacuum evaporation,were observed and reported.The influence of some experimental factors,such as electrostatic field,substrates and deposition rate,on the fractal pattern formation was discussed in detail.It was found that the electrostatic effects,induced by charged particles,do not play a crucial role in the pattern growth process.We suggest that the key to the formation of the patterns lies in the special molecular structure and the unique process of the crystal growth of TCNQ thin films,and a new growth model was proposed. 展开更多
关键词 tcnq薄膜 手性分形结构 真空沉积 分形
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Ag/TCNQ薄膜中的传质行为研究 被引量:1
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作者 刘平 蒋益明 +2 位作者 郭峰 谢亨博 李劲 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1073-1075,共3页
采用真空蒸发的方法在玻璃基板上交替蒸发Ag和TCNQ(四氰基对醌二甲烷),形成不同厚度的双层膜,经Ag的固体化学扩散与TCNQ反应,形成金属有机络合物.利用透射光谱作为表征,研究了Ag的传质规律,给出了60 ̄110℃温度下的恒温传质系数k和对应... 采用真空蒸发的方法在玻璃基板上交替蒸发Ag和TCNQ(四氰基对醌二甲烷),形成不同厚度的双层膜,经Ag的固体化学扩散与TCNQ反应,形成金属有机络合物.利用透射光谱作为表征,研究了Ag的传质规律,给出了60 ̄110℃温度下的恒温传质系数k和对应的激活能,并对传质机制进行了探讨. 展开更多
关键词 Ag/tcnq薄膜 激活能 传质系数
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K(TCNQ)薄膜的制备及其电双稳特性 被引量:6
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作者 蔡亲佳 陈国荣 +6 位作者 莫晓亮 范智勇 顾海华 姚彦 杨剑 华中一 徐华华 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2001年第5期364-367,共4页
在真空环境下 ,首次利用固态化学置换反应制备了K(TCNQ)薄膜 ,其分子结构与已报道过的K(TCNQ)单晶、多晶相同。但不同的是 ,在 30 0K以上 ,K(TCNQ)薄膜具有可逆的双稳特性。
关键词 固态化学置换反应 K(tcnq)薄膜 电双稳特性 电荷转移络合物 7 7 8 8-四氰基苯酯二甲烷
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纳米尺度的Ag(TCNQ)薄膜的电特性
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作者 范智勇 陈国荣 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第B12期5-7,共3页
研究了金属有机电双稳薄膜材料Ag(TCNQ)在STM针尖下的电特性,观察在纳米尺度下Ag(TCNQ)从高阻态跃迁到低阻态的微分负阻现象,阻态间的跃迁可以重复进行,其阈值电压比交叉电极“三明治”结构的情况要低得多。另外,研究了Ag(TCNQ)... 研究了金属有机电双稳薄膜材料Ag(TCNQ)在STM针尖下的电特性,观察在纳米尺度下Ag(TCNQ)从高阻态跃迁到低阻态的微分负阻现象,阻态间的跃迁可以重复进行,其阈值电压比交叉电极“三明治”结构的情况要低得多。另外,研究了Ag(TCNQ)电存储特性,包括写入,读出和擦除特性,结果表明Ag(TCNQ)可以作为超高密度的随机存储器的材料。 展开更多
关键词 Ag(tcnq)薄膜 电特性 有机金属电双稳材料 STM 微分负阻 超高密度随机存储器 RAM 纳米材料
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Ag-TCNQ金属/有机双层膜中的扩散机制 被引量:1
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作者 刘平 蒋益明 +2 位作者 谢亨博 郭峰 李劲 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期606-610,共5页
研究了用真空分层蒸镀法获得的金属/有机双层膜(Ag-TCNQ)中的层间扩散行为.根据Cu、Ag在与TCNQ形成络合物时表现出的相似性,建立了异质元素标志法,以Cu为标志元素,研究了金属有机络合物Ag-TCNQ形成过程中Ag扩散的微观机制.使用二次离子... 研究了用真空分层蒸镀法获得的金属/有机双层膜(Ag-TCNQ)中的层间扩散行为.根据Cu、Ag在与TCNQ形成络合物时表现出的相似性,建立了异质元素标志法,以Cu为标志元素,研究了金属有机络合物Ag-TCNQ形成过程中Ag扩散的微观机制.使用二次离子质谱(SIMS)分析了Cu、Ag元素在不同样品膜中的浓度分布及变化情况.结果表明,不同于纯金属薄膜中Cu、Ag清晰的界面,在络合物中的Cu与Ag之间存在交叉,说明两种离子之间存在着交换现象.由此可以推断,薄膜中的扩散机制是Ag离子在Ag-TCNQ络合物中的换位扩散. 展开更多
关键词 材料科学基础学科 换位扩散 异质元素标志法 SIMS AG tcnq薄膜
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