硅外延厚度稳定性控制

分析表明,外延工艺因其能够严格控制掺杂浓度及表面完美性而广泛用于Bipolar、BiCMOS、功率器件,瞬态电压抑制器及超结器件等集成电路。批量生产中的核心问题是产品参数的稳定性控制,良率的提高及成本的降低。BICMOS及超结器件集成电路中,外延层厚度的稳定直接影响到器件击穿电压性能。外延厚度的稳定性受压力和温度的影响,但影响最大的是硅源气体的流量。结合实际生产讨论了影响外延层厚度稳定的主要因素,通过控制DCS/TCS的流量稳定性,使得外延层厚度得到良好的控制,降低了产品报废率,提高了经济效益。