TDDI产品Mo-Al-Mo膜层腐蚀原因分析及改善

为降低TDDI产品Lead Open型线不良发生率,本文对Lead Open的发生机理进行了研究及改善验证。对TDDI产品生产数据进行了对比,对Mo-Al-Mo结构的SD膜层进行研究,根据以上结果确定改善方案并投入验证。首先,明确了Lead Open发生率与Delay Time的关系。接着,对SD膜层的微观结构进行了表征。然后,根据膜层结构和不同金属的电化学特征,建立了SD膜层电偶腐蚀模型。分析表明:Mo、Al两种金属间存在1.47V的电极电位差,具有很强的电偶腐蚀倾向性,且表层Mo中存在10nm级别的贯穿性孔洞,直径为0.4nm的水分子可轻易渗入,进而引发电偶腐蚀。表层Mo厚度增加25%后,其腐蚀速度较量产条件降低30%,Lead Open发生率降低1.4个百分点,维持在0.1%的较低水平,满足TDDI产品量产对该类不良发生率的要求。

新一代显示触控技术-TDDI浅析

手机终端需求的多样化及低成本诉求促使材料及工艺的不断技术创新。随着芯片技术的小型化、集成化要求不断提升,触控显示集成芯片TDDI营运而生。本文从TDDI优劣势、市场需求及供应商等几个角度进行分析,简述了TDDI产品演变历史。

Ag对TDDI结构电容值的影响研究

本文主要研究了Ag(银)胶涂覆对TDDI结构的电容值的影响,Ag胶的主要作用是导通CF层与TFT层(ITO)防止静电产生,避免静电累积在Cell盒内导致画面显示异常。研究表明Ag胶易渗入到Cell盒内与BM接触,使BM与外围的GND接地,与COM形成压差,导致电容值偏大。本研究为后续优化Ag胶工艺,控制Ag胶的大小及位置提供参考方向。

晶门科技研发全高清IGZO面板的单芯片内嵌式TDDI

晶门科技有限公司与南京中电熊猫平板显示科技有限公司宣布成功研发“全球首枚”支持全高清（1 080×1 920）IGZO面板的单芯片内嵌式TDDI（触控与显示驱动器集成芯片）。此突破性的产品结合了TDDI及IGZO科技的优点,设合智能手机终端用户对优质显示及触控表现、机身更薄、更轻和更时尚,和电池寿命更长的需求;以及智能手机制造商对减低系统成本、

TDDI 出坑暗纹解决方案研究

本论文通过采用算法优化控制在出坑后动态调整VGH和VGL电压,将VGH1增加到适配的VGH2电压可以借助Cp电容自举的原理使得M3打开更充分,从而提升TFT的充电,进而改善暗线不良;将VGL1电压降低到VGL2,可以将GOA Output进行快速下拉,一方面可以降低行与行之间错冲的风险,另一方面可以减小GOE的设定增加充电时间,进而改善暗线不良。实验结果表明,两种方法均能较好地改善出坑暗线不良。

Synaptics宣布推出第二代TDDI解决方案

Synaptics公司宣布,开始提供ClearPad 4300的样品,这是Synaptics第二代触控和显示驱动器集成（TDDI）产品,面向智能手机和平板电脑。Synaptics拥有一流的触摸控制器知识产权和系统级专长,并在公司的日本设计中心开发了成熟的显示驱动器技术,今天开始提供样品的这款最新单芯片解决方案首次整合了这些优势。