面向三维集成封装的硅通孔电特性分析

主要针对三维集成封装中的关键技术之一的硅通孔互连技术进行电性能研究。首先简要介绍了硅通孔互连技术的背景,利用三维全波电磁仿真软件建立地-信号-地TSV模型,对其TDR阻抗和时域TDR/TDT信号进行分析,同时仿真分析了TSV互连线及介质基板所使用的材料和TSV半径、高度、绝缘层厚度等物理尺寸对三维封装中TSV信号传输性能的影响。研究结果可为工程设计提供有力的技术参考,有效地用于改善互连网络的S21,提高三维集成电路系统的性能。

一种新型IC保护单元ESD评价方式——TLP测试

集成电路的抗ESD能力主要是通过端口的保护结构组合来实现,如何评价保护结构自身的抗ESD能力,被广大的设计人员所越发重视。文章主要介绍一种新型的集成电路ESD保护结构的抗ESD能力测试方式-TLP(传输线测试)测试方式,文章介绍了TLP测试原理、主要的测试机理以及通过测试实例来解释TLP测试方法的优点,该方法能够准确评价每种ESD保护结构的抗ESD水平,为设计人员提供帮助。文章还把TLP并与常用的器件级ESD评价方法做比较,说明两种方法的不同之处以及相互间的关系。

时域反射仪和时域传输仪在盐渍化土壤中的适用性分析

为了探讨在盐渍化土壤中时域反射仪(Time Domian Refractometer,TDR)和时域传输仪(Time domain transmission,TDT)测定土壤含水量的精度,通过室内模拟试验,对盐渍化土壤在不同容重和含盐量水平下的土壤含水量进行标定分析。结果表明,在不同容重条件下TDR和TDT的土壤含水量测定结果与烘干法测定的结果均达到极显著水平。土壤含盐量在2 g kg-1时TDR和TDT的测定结果与实际烘干测定的结果相一致,达到极显著水平。土壤含盐量在12 g kg-1时TDR出现读数消失的情况,TDT能够正常读数,并达到极显著水平。因此,低于12 g kg-1的盐渍化土壤中TDT可以测定实际土壤含水量。