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高速全耗尽CMOS/SOI 2000门门海阵列
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作者 刘新宇 孙海峰 +2 位作者 海朝和 刘忠立 吴德馨 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期1129-1131,共3页
本文对全耗尽CMOS/SOI 2 0 0 0门门海进行了研究 ,阵列采用宏单元结构 ,每个宏单元包括 2× 8个基本单元和 8条布线通道 ,其尺寸为 :92 μm× 86 μm .2 0 0 0门门海阵列采用 0 8μm全耗尽工艺 ,实现了 10 1级环形振荡器和 4～... 本文对全耗尽CMOS/SOI 2 0 0 0门门海进行了研究 ,阵列采用宏单元结构 ,每个宏单元包括 2× 8个基本单元和 8条布线通道 ,其尺寸为 :92 μm× 86 μm .2 0 0 0门门海阵列采用 0 8μm全耗尽工艺 ,实现了 10 1级环形振荡器和 4～ 12 8级分频器电路 ,在工作电压为 5V时 ,0 8μm全耗尽CMOS/SOI 10 1级环振的单级延迟为 展开更多
关键词 门海阵列 薄膜全耗尽SOI CMOS SOI 集成电路
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