具有或与开关功能的T沟道隧穿场效应管

为了应对传统CMOS器件所面临的一系列问题,本文提出了一种具有"或与"开关功能的新型TFET器件,并将其命名为具有或与开关功能的T沟道隧穿场效晶体管(T-Channel tunnel field-effect transistors with OR-AND switching behavior:TOA-TFET)。新器件具有三个独立偏置的栅极,相当于两个传统的单输入器件并联再与另外一个单输入器件串联,通过Silvaco TCAD软件仿真可以验证单个器件具有或与逻辑开关功能,极大的增强了单个晶体管的信号处理能力。我们详细分析了金属栅功函数和体硅厚度等参数对器件性能的影响并对其进行优化,最终优化出一个高性能的多功能逻辑器件。本文所提出的三输入TFET器件在电路设计中,使用单个晶体管就可以实现一些复杂的逻辑门,使电路得到简化并实现了低功耗的目标。