从废弃TFT-LCD面板中回收稀贵金属铟的实验研究

为了回收废弃LCD显示器中的稀贵金属铟,以TFT-LCD型液晶面板为例,分别对其CF基板和TFT基板提出研究方法。两块基板的结构和材料不同,但都有一层表面覆盖有铟与锡的复合氧化物(ITO)。针对CF基板,采用氢氧化钠溶液在加热的状态下溶解其上的彩色膜层,使ITO快速脱落,过滤溶液即可回收铟;而TFT基板采用320目耐水砂纸磨削的方法,收集磨屑可快速回收铟。实验数据表明,两块基板中铟的回收率为99.6%、100%,回收效率高且环保。

废TFT-LCD面板中主要元素溶出特性

以废TFT-LCD面板破碎料为研究对象,在使用XRF(X射线荧光光谱分析仪)分析其主要元素组成以及采用ICP-AES测试不同酸体系下主要元素浓度的基础上,研究了不同酸体系下主要元素的溶出特性.结果表明:废TFT-LCD面板由Si、Al、Sr和In等10余种元素组成,其主要组成元素在不同酸体系下的溶出特性存在明显差异,这与其赋存形态有密切关系.In在各种酸体系下溶出浓度变化较小,为2.83～3.06 mg/L.Fe的溶出特性与In相似,是主要伴随离子.Al和Sr易在浓盐酸体系下溶出.As在含有浓硝酸的体系下溶出率较高,最高溶出率为100%,而在无浓硝酸体系下的溶出率最低值仅为2.93%.Zn、Ti、Cu、Sn和Cr在各酸体系下的溶出浓度均较低(均低于1 mg/L),不宜回收.

TFT LCD技术的进步

叙述近年来ＴＦＴＬＣＤ品质的改善和技术进步以及信息系统集成在ＴＦＴＬＣＤ屏上的新技术。

TFT-LCD切割裂片条件优化对后段制程的影响

在TFT-LCD切割裂片制程中,研究了刀轮角度、切割压力、切入量等工艺条件的优化对后段cell制程和module制程的影响。切割裂片条件优化使玻璃基板表面弹出的玻璃屑大大减少。实验发现,优化后的切割裂片条件使无尘室环境得到改善,洗剂的污染程度和生产成本降低,偏光片贴附制程中的玻璃屑异物下降1%￣2%,并使LCD的连接更加安全、可靠。

安徽省TFT-LCD技术专利现状分析研究

对安徽省平板显示产业TFT-LCD重点技术领域的专利现状进行分析解读,从阵列、成盒和模组三个主要的技术阶段着手进行深度分析。为科技管理者和技术研发人员更好的了解安徽省TFT-LCD技术现状,对TFT-LCD技术的发展方向和研发重点提供参考和建议。

TFT-LCD屏亮度指标测量不确定度的分析

介绍了 TFT- LCD屏亮度指标的测量方法 ,详细分析了测量过程中的误差来源 ,进一步计算出其合成标准不确定度和扩展不确定度 。

高世代线TFT-LCD面板对盒精度的提升

对盒精度提升是高世代TFT-LCD面板生产线产品小型化、薄型化、高PPI(300+)与高开口率升级的必备核心技术。通过阵列(Array)与彩膜(CF)关键位置/尺寸匹配性优化与离散性优化,首次尝试阵列关键位置精度(TP)非线性补正功能,并钻研成盒(Cell)过程中基板翻转稳定化、封框胶设计与涂布工艺优化,实现电视机、显示器、笔记本、平板电脑等产品对盒精度由7.5μm降低至5.5μm;在解决显示器产品按压Mura与平板电脑产品像素漏光的同时,对产品开口率的贡献也随着产品PPI的升高而增加,PPI 300+产品的开口率余量提高14.8%,有效提升了高世代TFT-LCD面板生产线小尺寸/高PPI产品核心竞争力、收益性和产品群组合。另外,本文建立高世代TFT-LCD面板生产线对盒精度分析方法、对策检讨及改善的标准流程,形成新产品阵列TP非线性补正和对盒辅助封框胶的设计基准。

TFT-LCD生产线是否越大越好?

生产商飞速地建造更大的生产设备,但利润总是不可能超越成本和风险。TFT-LCD生产线的规模有实际限制吗?

TFT-LCD面板减薄废液循环利用技术探讨

通过对TFT-LCD面板减薄废液成分进行分析,提出了减薄液资源化、循环利用的途径,并对资源化利用技术进行了探讨。利用复合沉淀剂,采用分步沉淀的方法,选择性去除液晶面板减薄废液中的氟硅酸(H_2SiF_6)和氟硼酸(HBF_4),使其再生并回用于液晶面板减薄工厂,副产的Na_2SiF_6可以用作制备NaF,KF及白炭黑的原料,KBF_4可直接用于市场销售。

一种基于BCD工艺的TFT-LCD行驱动电路的设计

基于0.18μm BCD工艺,提出了一种新颖的电平转换电路结构,解决了BCD工艺中高压器件的栅源电压VGS的工作极限为5 V而无法承受40 V高压栅驱动信号的问题,避免高压信号导致器件栅击穿损毁。采用此电平转换电路,设计了270通道的TFT-LCD屏的行扫描电路。在HHNEC 0.18μm BCD工艺平台上完成芯片试制,芯片功能正确,验证了提出的电平转换电路结构的可行性。

LCD用光学薄膜市场最新发展动态

本文综述了薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)面板及其生产所用材料和零组件(尤其是光学薄膜)的国内外生产和市场的最新发展动态。液晶面板的上游原材料成本大约占液晶面板的70—80%,制作液晶面板需要采用各种光学薄膜,如偏光片、彩色滤色片、扩散膜、反射膜、微透镜膜片、棱镜膜、增亮膜等。本文对这些薄膜和生产偏光片的基材TAC膜、PVA膜等的发展动态分别进行叙述和分析。

LCD及其功能膜的市场概况

近年来,LCD技术不断发展,其成本不断降低,平板电视开始进入中国城镇居民家中。本文从LCD的结构入手对其构造和相关功能膜的成本进行分析讲解,对LCD部分功能膜的制造和中国市场,以及相关功能膜和面板的国际市场给了一个总体介绍。

裸眼立体显示液晶屏的光学结构及设计

裸眼立体显示液晶屏以液晶像素作为立体视图的载体,使用特殊的光学元件改变显示器和人眼的成像系统来获取立体视觉效果。狭缝背光照明的裸眼立体显示液晶屏的光学结构包括狭缝照明板、液晶盒及背光组件。设计了可以完成面光源照明和线光源照明相互转换的可控光栅,研究了一种行之有效的立体显示液晶屏的装配方法———动态装配法,利用装配组件的工作特性产生莫尔条纹,完成立体显示液晶屏的精密装配。研制的裸眼立体显示液晶屏可以方便地在2D和3D显示模式之间转换。

电感耦合等离子体发射光谱在分析废液晶显示器面板主要元素中的应用

采用电感耦合等离子体发射光谱(ICP-AES)法对废液晶显示器(TFT-LCD)面板主要元素含量进行了测定。结果表明:(1)在酸体系下回收废TFT-LCD面板中In时,尽管不同酸体系下各元素浓度变化较大,但是主要伴随元素以Al、Fe为主。(2)绝大多数元素测定结果的相对标准偏差低于3%。(3)不同元素加标回收率基本在86%～110%。ICP-AES法具有灵敏度高、检出限较低、多元素同时测定等优点,能满足元素测定误差要求,可有效应用于废TFT-LCD面板中主要元素的测定。

平板显示技术的发展

介绍了平板显示发展动态 ,重点介绍液晶显示发展动态。TFT LCD发展速度符合西村 北原规则 ,其规则指出TFT LCD增长速度为 3年增长 4倍 ,其数值是玻璃基板尺寸增长速度为 1 8倍 /3年 ,屏幕尺寸增长速度为 1 44倍 /3年 ,分辨率增长速度为 2 5倍 /3年及灰度增长速度为 1 7倍 /3年等相乘而得的。该结果表明TFT LCD增长速度相当于遵守摩尔规则的微电子发展速度。

有源矩阵液晶显示器的薄膜晶体管技术

全文描述了应用于有源矩阵液晶显示器领域的各种薄膜晶体管技术,本期主要介绍多晶硅薄膜晶体管技术,给出了其主要类型、工作原理及性能,以及生产制作中的关键性技术。

有源矩阵液晶显示器的薄膜晶体管技术

全文描述了应用于有源矩阵液晶显示器领域的各种薄膜晶体管(TFT)技术,本期主要介绍非晶硅TFT和氢化微晶硅TFT技术,给出了它们的主要类型、工作原理、主要性能以及生产制作中的关键性技术,同时还对几种AMLCD-TFT驱动电路作了详细说明。

温度系数可调的基准电压产生电路研究与设计

由于TFT～LCD显示屏的物理特性随温度而发生变化，驱动电路必须提供具有相同温度特性的驱动电压，以补偿显示屏的温度特性，进而提高显示画质。文章研究并设计了一种用于TFT—LCD彩屏手机驱动芯片的基准电压产生电路，其输出电压的绝对值与温度系数可编程调节，从而可实现与液晶显示屏的温度特性相匹配。介绍了该电路的各子模块电路，包括偏置电路、带隙基准电路和输出电压调节电路，详细分析了带隙基准电路所产生的基准电压的温度系数及其调节原理。用Hspice对采用0．25μmCMOS工艺设计的电路进行了仿真。仿真结果表明，基准电压的温度系数可从-1.24～1．13mV／℃变化，输出电压的绝对值可从1．8～2.1V调节，最大可提供负载电流40mA。

液晶显示器件及其应用——信息记录材料在成像领域的技术进展(六)

回顾了液晶显示器件的发展历史,阐述了液晶显示的原理、液晶的各种类型以及主要性能指标和特点。介绍了液晶显示器件的应用前景。

无线通讯技术结合液晶触控屏幕未来之应用与发展

运用于数字生活中的下一代科技产品系由新一代无线通讯技术(WiMAX)结合液晶触控屏幕(TFT-LCD与Touch Panel)而成。应用情境分析法预测至2013年时此类产品之发展趋势,藉由相关技术数据、市场信息、台湾有关规定与产业专家的访谈寻找影响该科技产品发展的不确定因素,并据此建构其与相关产业未来发展之情境。研究发现,影响产业发展的不确定因素包含:全球经济复苏程度、新时代性产品技术发展之不确定性以及产品应用之扩散普及程度。而依据市场需求、技术发展变化、产业环境结构变化等三轴面,结合专家问卷调查,提出"竞争激烈"为未来之情境,并提出策略联盟合作、自有品牌营销、企业整合并购(水平整并)等建议供相关单位参考。