TFT-LCD表面Mura缺陷的AOI检测研究进展

液晶显示屏幕的表面缺陷检测是保证TFT-LCD等液晶显示屏质量稳定性的关键。得益于在检测表面缺陷方面高效率、低成本的优势,机器视觉技术目前已经成为TFT-LCD质量检测的主要手段。本文首先概述了液晶屏的发展历程,列举了常见Mura缺陷的类型,分别介绍了基于传统图像处理和基于深度学习的Mura缺陷检测方法,概述了图像滤波和图像亮度校正等图像预处理技术的研究动态。本文重点阐述了监督学习、无监督学习和迁移学习等人工智能技术在TFT-LCD表面Mura缺陷检测领域的应用,并对基于机器视觉的TFT-LCD表面Mura缺陷检测的技术发展趋势进行了展望。

栅极绝缘层工艺优化对氢化非晶硅TFT特性的改善

在TFT小型化趋势下,需要进一步提高氢化非晶硅薄膜晶体管的TFT特性,尤其是开态电流特性。本文结合生产实际,阐述了工艺上改善氢化非晶硅开态电流特性的方法,包括提高单位面积栅绝缘层电容和改善载流子迁移率。实验结果表明,降低高速沉积栅绝缘层的气压和厚度,能有效提高单位面积栅极绝缘层电容。增加低速沉积栅绝缘层的Si/N比及优化氢等离子体处理工艺,可以有效改善载流子迁移率。

TFT用掩模版与TFT-LCD阵列工艺

薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)产业经过20年的发展,其规模已经远远超出10年前的预想,技术发展也呈现出加速进步的趋势。各种新一代光刻技术的出现显著提升了掩模版的制作精度,对其市场价格也造成了不小的冲击。在TFT-LCD阵列基板制造方面,4掩模版光刻工艺技术逐渐成为当今主流,而3掩模版光刻工艺因其技术难度大、良品率低,目前还掌握在少数几家TFT-LCD厂商手中。通过对掩模版的国内外市场行情、技术进展以及掩模版数目与TFT-LCD阵列工艺的关系作全面的阐述,指出加强TFT-LCD掩模版等配套材料的自主研发、采用更加先进的制造技术是简化生产工艺、降低生产成本的有效手段,也是我国TFT-LCD产业下一步努力发展的方向。

7.5cm 372×276象素a-Si TFT有源矩阵的优化设计及制作工艺研究

研究了7.5cm372×276象素a－SiTFT有源矩阵的优化设计理论，讨论了材料物理参数和器件结构参数时器件性能的影响，并对其制作工艺进行了系统研究。

10万象素a-Si TFT有源矩阵的优化技术

本文研究了3英寸372×276象素a—Si TFT有源矩阵的优化设计理论,讨论了材料物理参数和器件结构参数对器件性能的影响,并对其制作工艺进行了系统研究。

聚焦TFT-LCD用玻璃基板发展与市场(连载一)

针对TFT-LCD(显示器)用玻璃基板的国内外发展概况、生产工艺以及市场新动态等方面作了较详细的介绍,对采用浮法、熔融溢流(法)以及流孔(铂金)下引(法)等3种成形技术的不同特点、发展与应用状况进行了较详细的对比,并对TFT-LCD(显示器)用玻璃基板在当今国际、国内市场需求作了预测。

聚焦TFT-LCD用玻璃基板发展与市场(连载二)

针对TFT-LCD(显示器)用玻璃基板的国内外发展概况、生产工艺以及市场新动态等方面作了较详细的介绍,对采用浮法、熔融溢流(法)以及流孔(铂金)下引(法)等3种成形技术的不同特点、发展与应用状况进行了较详细的对比,并对TFT-LCD(显示器)用玻璃基板在当今国际、国内市场需求作了预测。

高负偏光照稳定性的溶液法像素级IZTO TFT

采用溶液法制备了铟锌锡氧化物(indium-zinc-tin-oxide,IZTO)有源层薄膜和铪铝氧化物(hafnium-aluminum oxide,HAO)绝缘层薄膜,并成功应用于背沟道刻蚀结构(back-channel etched,BCE)IZTO薄膜晶体管(thinfilm transistor,TFT)像素阵列.利用N_(2)O等离子体表面处理钝化IZTO缺陷态,提升溶液法像素级IZTO TFT器件性能,特别是光照负偏压稳定性.结果表明,经N_(2)O等离子体处理后,器件饱和迁移率提升了接近80%,达到51.52 cm^(2)·V^(–1)·s^(–1).特别是3600 s光照负偏压稳定性从–0.3 V提升到–0.1 V,满足显示驱动的要求.这进一步说明经N_(2)O等离子体处理后能够得到良好的溶液法像素级IZTO TFT阵列.

关于TFT-LCD工艺过程中ESD改善的研究

在显示器件薄膜晶体管(thinfilmtransistor,TFT)以及半导体制造工艺过程中,各个环节都有可能产生静电放电(electrostaticdischarge,ESD)现象,引起器件性能下降,甚至破坏器件。本文结合生产工艺的实际情况,采用统计方法首先对某工艺环节的ESD现象进行定位,在此基础上结合聚焦离子束(focusionbond,FIB)等试验结果,对其机理进行认真的分析研究,从设计和工艺改善两个方面出发,提出解决方案,收到了良好的改善效果,取得巨大的经济效益。

TFT-LCD生产中毛刷清洗工艺的研究

以玻璃基板表面残留的各种微粒(Particles)的去除率为依据,研究TFT-LCD生产清洗工艺中毛刷的旋转方向、旋转速度和毛刷相对玻璃的压入量等因素对玻璃基板表面particles清洗效果的影响,探讨这些因素的作用机理,为TFT-LCD生产以提供最佳的清洗工艺方法。

a-Si TFT-LCD制造工艺中的ITO返修工艺研究

列举了不同的a-SiTFT-LCD制造工艺中的ITO返修工艺,详细分析了在五次光刻工艺中的电化学腐蚀问题的反应机理,并对各种返修工艺的优点和缺点进行了简要地说明。

IGZO TFT详解

论述了IGZO TFT技术的背景、技术优势和应用。详细介绍了IGZO TFT的结构,性能和生产工艺,并对IGZO TFT生产线存在的问题和发展趋势做出了展望。

电子化学品在TFT-LCD阵列和彩膜工艺中的应用

薄膜晶体管显示器是目前市场上的主流显示器,其制造过程中的阵列工艺和彩膜工艺是决定产品质量的两个重要环节。本文综述了电子化学品在这两个工艺中的功能及应用,并对TFT-LCD的行业背景及制造过程进行了介绍。可供从事面板行业、电子化学品行业以及相关研究人员参考。

TFT-LCD用黑色光刻胶材料对曝光过程Mark读取的影响

大尺寸薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)显示器为节省黑色矩阵(Black Matrix,BM)制程降低面板成本,使用黑色膜柱(Black Photo Spacer,BPS)技术替代BM和PS(Photo Spacer)制程,同时为兼顾对组精度提升的需求,采用BOA(BPS on Array)技术,将BPS转移至阵列基板侧。原BM制程是第一道制作,而新的BPS制程则位于阵列最后一道制程。BPS曝光成型需使用阵列前制程的金属标(Metal Mark)进行精准对位,实现精细化图案。BPS的透过率低,致使CCD摄像机透过BPS抓取前制程的金属标进行对位非常困难。针对该技术难题,对曝光设备抓标的原理进行了分析,通过调整材料颜料组成,获取了不同透过率BPS材料。将不同透过率的BPS材料进行曝光成型,研究曝光对位过程对材料透过率的最低要求,同时遮光度尽可能大。实验结果表明,NSK曝光机对位灯源波长位于780~1000 nm红外区域,在该波段BPS材料透过率低于23%时会导致对位失败。通过使用有机-无机混合颜料组成取代有机混合颜料,在红外波段可获得接近90%的透过率,满足对位需求。同时固化成型后可获得1.2/μm光学密度,满足BPS产品遮光特性需求。以此制作的BPS面板光学指标满足产品规格。

TFT制程曝光色差研究

在TFT制程中,曝光工艺直接影响到薄膜的最终图案质量。为了分析与解决曝光色差问题,需对面板的点灯现象与制备工艺进行调查与研究。首先,通过扫描电子显微镜分析、错位曝光试验、数据分析等方法进行不良原因调查。同时,借助开源软件GIMP和Fiji进行图像处理得到面板灰度数据,对色差程度进行定量评价。然后,通过调整曝光设备照度均一性与管控最优生产路径,曝光色差发生率从10%以上降至1%以内,有效改善面板显示品质。最后,结合ExpertLCD光学模拟数据与电容耦合效应分析,进一步阐述曝光色差的形成机理。研究发现,像素电极临界尺寸应管控在一定范围并且需保证较好的均一性,像素电极临界尺寸过小、过大都会使曝光色差更易显现。同时,各导电层的临界尺寸也需保证较好的均一性,以减小耦合电容对显示的影响。

TFT-LCD玻璃基板用海相沉积型天然石英砂的工艺矿物学研究

利用ICP、XRD、光学显微镜、EPMA和Raman等手段对国外某地海相沉积型天然石英砂进行了系统地分析研究,结果表明,SiO2含量为99.7668%,粒度集中分布在0.15~0.4 mm,含少量长石、金红石、黑云母、褐帘石、浸染粘土等脉石矿物。石英内可见少量矿物包裹体(褐帘石、金红石及黑云母),流体包裹体为气相、液相、气液两相以及三相包裹体,其盐度不高且均为易挥发成分,可推断该类流体包裹体在TFT-LCD玻璃基板熔融过程中大部分均会爆裂,对TFT-LCD玻璃基板粘度及气泡数指标均无明显影响;通过ICP、粒度组成及SEM对比测试分析,海相沉积型天然石英砂制备出的TFT-LCD玻璃基板用石英原料与Sibelco公司参比样在重要理化指标方面无明显差距,可作为TFT-LCD玻璃基板用石英原料,为国内同类矿物成因的天然石英砂的高值化利用提供了参考依据,可降低高端硅基玻璃材料对高品质石英原料的依赖程度。

TFT-LCD生产废水深度处理组合工艺优化研究

采用臭氧氧化预处理和生物强化技术对E-A/O工艺处理某液晶面板厂区尾水进行优化,考察不同组合工艺对污染物的去除效果。结果表明,臭氧氧化和生物强化手段均可使工艺对废水中COD的去除能力得到提升,去除率可达60%,出水COD可降低至18.0 mg/L,达到GB 3838-2002地表水Ⅲ类标准。2种强化方式对氮指标的去除效果影响不大,NH4+^-N、NO3-^-N和TN去除率保持稳定,NH4+^-N去除率约为50%,NO3-^-N和TN去除率约为70%。生物强化处理与物化手段相比具有低成本、高效率的优点,而且易操作、针对性强。

TFT-LCD一种黑Mura机理分析及工艺验证改善

TFT-LCD面板生产过程中会出现各种Mura,尤其是电视大尺寸产品,对显示均一性要求很高。Mura现象种类多,原因差异性大,本文分析的Mura属于电视面板的特殊不良。为解决此黑Mura,首先进行了实物分析研究,通过液晶盒特性、表面微观以及电学分析确认实物未见明显异常,为极微观异常。采用目前实际可操作方法很难进行深入分析,需依靠工艺验证来明确,因此通过工艺验证确认到不良为配向膜清洗机相关,而清洗机独立单元繁多。依据不良可能的原因以及实际生产线的运营状况,设计了5项相关可行性实验清洗速度降低,清洗后增加静置时间,紫外光清洗强度提升,毛刷远离基板以及清洗机高压二流体喷淋压力调整。通过以上工艺验证结果,推理出不良形成原因为电荷残留,并提出两个合理可行的改善方向,首先是减少基板在高压二流体喷淋下的停留,其次为增加监控或关闭高压二流体喷淋,使不良从0.94%降低至0.00%,提升了产品品质。

基于精益六西格玛管理法在TFT-LCD彩膜工艺段产品Yield提升的应用

文章针对TFT-LCD彩膜工艺段产品顽固性不良的改善,运用精益六西格玛方法进行剖析、改善。对彩膜工艺段存在的可能造成品质不良的风险点进行界定。运用六西格玛管理基本工具等方法查找相关影响因素,并制定有效改善措施,有效的提升了该工艺段Yield。

浅谈TFT液晶玻璃基板冷端加工Adhered Glass(ADG)缺陷管控办法

国内各大液晶面板厂家对玻璃基板表面品质有着严格的要求。以TFT液晶玻璃基板冷端加工生产工艺为研究对象,结合相关实践工作经验,针对TFT-LCD液晶玻璃基板在冷端加工中Adhered Glass缺陷管控进行分析,旨在提升我国TFT液晶玻璃基板加工水平。