掺杂TGS晶体的生长及热释电性能研究

选择重稀土离子Dy3+为掺杂阳离子,DL-丙氨酸与L-谷氨酸部分取代甘氨酸分子,生长了不同掺杂配比的TGS晶体。生长和测试实验表明,掺杂TGS晶体较纯TGS晶体易于生长。将掺杂晶体生长溶液的pH值控制在1~4,可改变掺杂晶体的结晶习性。用ICP发射光谱测试了掺杂晶体中稀土元素的含量,用X射线粉末衍射法测定了晶格参数,结果表明:元素已进入晶体,晶格参数稍有变化,但掺杂晶体的对称性仍为C2-2。通过测量掺杂晶体的电滞回线,得到了内偏压场,还测量了各样品的热释电系数、自发极化强度,作了温度曲线,并分析了各掺杂剂对提高热释电性能和锁定极化的作用。结果表明:是有应用前景的热释电材料。

稀土和双有机取代基TGS晶体生长和性能研究

选择稀土离子Ce3+、Nd3+、Eu3+作为掺杂阳离子,采用水溶液降温法生长了7种双有机取代基TGS晶体。研究了其晶胞参数、主要的热释电和铁电性能参数。发现这几种掺杂TGS晶体的品质因子有了提高。