快速生长的TGS晶体的介电、热释电性能

本文测量了生长速度为2mm/d 和7mm/d 的两种 TGS 晶体的介电常数(ε)、自发极化强度(P_s)和热释电系数(λ)随温度的变化关系。结果表明:生长速度快的晶体的介电常数增加,居里点附近的介电峰值降低,自发极化强度和热释电系数都增大,热释电优值与按正常速度生长的晶体的大致相同,最后从晶体缺陷的角度对实验结果进行了讨论。

掺三氟乙酸TGS晶体生长及其性能研究

本文以三氟乙酸作为掺质,分别按4.4mol%、9.4mol%、13.4mol%、18.4mol%的配比进行了掺质TGS晶体生长,并对其作X射线粉末衍射分析及晶体热释电性能的测试。结果表明,三氟乙酸的掺入虽然使热释电性能有一定程度下降,但却使得晶体铁电-顺电相转变延迟,提高了晶体的居里点,并产生了一定的内偏压场。

快速生长的TGS晶体缺陷的X射线形貌术研究

本文用 X 射线形貌术研究了生长速度不同的 TGS 晶体的缺陷,得到了与浸蚀法一致的结果;比较发现,快速生长的 TGS 晶体中缺陷密度较高;并对缺陷的性质和形成原因进行了讨论。文章还指出了快速生长的晶体与正常晶体性能间的差别主要是由于晶体中缺陷密度的不同引起的。

掺杂TGS晶体的生长及热释电性能研究

选择重稀土离子Dy3+为掺杂阳离子,DL-丙氨酸与L-谷氨酸部分取代甘氨酸分子,生长了不同掺杂配比的TGS晶体。生长和测试实验表明,掺杂TGS晶体较纯TGS晶体易于生长。将掺杂晶体生长溶液的pH值控制在1~4,可改变掺杂晶体的结晶习性。用ICP发射光谱测试了掺杂晶体中稀土元素的含量,用X射线粉末衍射法测定了晶格参数,结果表明:元素已进入晶体,晶格参数稍有变化,但掺杂晶体的对称性仍为C2-2。通过测量掺杂晶体的电滞回线,得到了内偏压场,还测量了各样品的热释电系数、自发极化强度,作了温度曲线,并分析了各掺杂剂对提高热释电性能和锁定极化的作用。结果表明:是有应用前景的热释电材料。

掺杂TGS晶体抑制杂晶方法的研究

首次采用二次下晶法，有效地抑制杂晶的出现，加快了晶体生长速率．同时对晶体生长过程中出现的一些问题进行了探讨．将掺杂晶体生长溶液的pH值控制在1～4，可改变掺杂晶体的结晶习性．

掺杂TGS晶体的生长及热释电性能的研究

选择稀土离子Dy^(3+)作为掺杂阳离子，DL－丙氨酸和L-谷氨酸部分取代甘氨酸分子，进行了不同掺杂配比的TGS晶体生长研究．实验表明，掺杂TGS晶体易于生长，且晶体对称性仍为C_2，易领定极化，热释电性能较纯TGS晶体有显著提高．

Nd^(3+):L-Lys:thiourea:TGS晶体的生长与性能研究

利用水溶液降温法生长了掺杂稀土离子Nd3+、L-赖氨酸和硫脲的TGS晶体。测试了掺杂TGS晶体的晶胞参数和热释电性能。实验表明,三掺杂的TGS晶体的热释电系数、热释电优值比和内偏压场大于纯TGS。

稀土和双有机取代基TGS晶体生长和性能研究

选择稀土离子Ce3+、Nd3+、Eu3+作为掺杂阳离子,采用水溶液降温法生长了7种双有机取代基TGS晶体。研究了其晶胞参数、主要的热释电和铁电性能参数。发现这几种掺杂TGS晶体的品质因子有了提高。

三氟乙酸和丙三醇双掺TGS晶体生长与性能研究

利用水溶液降温法生长了单掺4.4mol%三氟乙酸TGS晶体及双掺4.4mol%三氟乙酸和4.4mol%丙三醇TGS晶体,研究了晶体生长习性,并对其热释电系数、介电常数、居里点及电滞回线进行了测试,实验表明,单掺可将晶体的居里点提高至53.6℃,内偏压场得到一定改善,而在此基础上双掺可将晶体居里点进一步提高至55℃,同时其热释电性能得到显著提高,晶体优值可提高为纯TGS晶体的3.3倍。

TGS系列晶体生长与性质的研究

本文采用水溶液降温法系统地研究了TGS、DTGs、LATGS、TGSP和LATGSP等TGS系列晶体生长。测定了TGS和LATGS等溶液的溶解度及其准稳定区。对晶体生长期间的降温速率总结出一个经验公式。研究对比了晶体的生长习性。通过晶体的X射线粉末衍射与红外光谱对比了晶体性质。讨论了氘化、掺杂等因素对晶体生长的影响。并生长出上述五种优质大尺寸晶体。

TGS晶体生长多形性和其表面扩散生长机制

选取了TGS晶体的 (0 0 1) ,(110 ) ,(0 10 )和 (10 0 )四个面为研究对象 ,分析讨论了TGS晶体的表面扩散螺位错生长机制 ,发现生长基元的脱水化进入表面层过程与表面扩散过程相比 ,前者在TGS晶体的生长过程中起着更重要的作用 ;同时 ,在较高的相对过饱和度下 ,观察到了TGS自然结晶体的两种简单晶形 .

TGS和ATGSP晶体溶液状态的研究

本文报道了不同 pH 值下 TGS 和 ATGSP 晶体的溶解度曲线。研究了不同 pH 值下 TGS 和ATGSP 晶体的(010)面的生长速度随过饱和度的变化关系和 pH 值对溶液亚稳区的影响,并从溶液结构、晶体的溶解度和溶液粘度等方面进行了讨论。给出了实现 TGS 和 ATGSP 晶体快速生长的最佳溶液条件。

双有机取代基TGS系列晶体的研究

本文采用水溶液缓慢降温法生长了 4种双有机取代基TGS系列晶体。双有机取代基分别为L α 丙氨酸 +乙酸 ,L α 丙氨酸 +丙酸 ,L α 丙氨酸 +乳酸 ,L α 丙氨酸 +异丙醇胺。系统地研究了有机双取代基TGS系列晶体的生长形态、晶胞参数、主要的介电、热释电和铁电性能参数等 ,发现这几种双有机取代基TGS晶体的品质因子有不同程度地提高。并从结构的角度出发探讨了双有机取代基对晶体生长形态和晶体性能的影响机制 ,提出了有机取代基分子本身的结构特征和有机取代基中的功能基团是影响TGS晶体形态和性能的两大因素。

ATGSP晶体缺陷的X射线形貌术研究

用X射线形貌术研究了ATGSP晶体的缺陷。讨论了缺陷的性质、产生的原因和对晶体性能的影响。发现该晶体的缺陷分布比较特殊,即缺陷集中于晶体的-b方向区域。同时我们与TCS晶体作了貌相比较,研究了它们之间的差别。

Sm^(3+) :TGS 晶体的生长习性、结构及铁电、热电性能

选择Ｓｍ３＋为掺杂阳离子，ＤＬ丙氨酸和Ｌ－谷氨酸部分取代甘氨酸分子，生长了掺杂ＴＧＳ晶体。生长和测试实验表明，Ｓｍ３＋：ＴＧＳ晶体较纯ＴＧＳ晶体易于生长，且对称性不变，是有应用前景的热释电材料。

两种TGS晶体在低温下的热电和介电性

测量了TGS、ATGSP两种晶体在室温至20K温度范围内的介电常数K_(22)和热电系数p_2。这两种参数都随温度降低而单调下降,不显示相变的迹象。在此范围内的任一温度,ATGSP的热电系数p_2和优值p_2/K_(22)均较TGS的大。优值p_2/K_(22)随温度下降而减小,与自发极化的温度特性不相一致。

一种改性的TGS:Be^(2+)热释电单晶体

本文报道了在ＴＧＳ中掺入适量的金属铍离子的新晶体生长特性，晶体形貌分析，同时测定了新晶体的热释电系数（Ｐ）、介电常数（ε）、居里温度（Ｔｃ）。实验表明，在ＴＧＳ中掺入金属铍离子生成的ＴＧＡＳ：Ｂｅ２＋晶体的优值比明显提高。

TGS系列晶体的研究进展概况

随着热释电传感器应用的不断扩大,具有优异热释电性能的TOS系列晶体的研究日益引起重视.本文将从TGS系列晶体的生长、改性及应用等方面,对其国内外研究进展加以简要概述.

双有机取代基TGS系列晶体生长与性能的研究

采用水溶液缓慢降温生长了一系列双有机取代基TGS晶体。系统地研究了此一系列晶体的生长形态 ,并分别与纯TGS的作了对比。测定了所生长晶体的单位晶胞参数、热释电性能参数 (热释电系数、介电常数、介电损耗、居里温度、自发极化强度及品质因子等 )、电滞回线和内偏压场。实验结果发现 :双有机取代基均成功地进入了晶体。晶体的生长形态、热释电性能、铁电性能均随双有机取代基种类以及浓度的变化而发生变化。探讨了双有机取代基对晶体生长形态、晶体热释电和铁电性能的影响机制 ,提出了掺质分子本身的特性和掺质中的功能基团是影响TGS晶体生长形态与性能的两大主要因素。晶体性能测试结果表明 ,多种双有机取代基TGS系列晶体性能较纯TGS晶体的有显著的提高 ,诸如 :掺质为 5 %L α 丙氨酸 + 5 %正丙醇和掺质为 5 %L α 丙氨酸 + 5 %异丙醇胺的TGS晶体的介电常数很小 ,品质因子约为纯TGS晶体的 3倍 ;5 %L α 丙氨酸 + 5 %正丙醇和掺 5 %L α 丙氨酸 + 5 %乳酸的TGS晶体的热释电系数是纯TGS晶体的 2倍左右 ,品质因子也变大。可见双有机取代基TGS系列晶体是一类有应用前景的热释电晶体材料 ,值得进一步更深入地研究。

TGS铁电相变的时域方法研究

利用时域方法在 TGS 单晶居里点附近以±0.001℃的恒温精度研究了铁电相变的过程,观察到驰豫机构可分为晶格和电子云畸变、电畴运动、和自发极化电偶极矩的屏蔽电荷的激发三种成分.介电损耗在10^(-3)—10~3Hz 频程的峰值表明,在铁电相变过程中晶体和外界的能量交换主要来自屏蔽电荷的激发.