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纳米晶材料SrMg_xTi_(1-x)O_3的合成与表征 被引量:5
1
作者 富菊霞 邱法斌 +4 位作者 吴凤清 高伟 罗臻 徐宝琨 吴家琨 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第11期1627-1630,共4页
采用硬脂酸法合成纳米晶 Sr Mgx Ti1 - x O3( x=0 .1~ 0 .5)材料 .用 DTA,TG,XRD,IR,XPS和 TEM进行表征 .结果表明 ,粉末粒径 d随 Sr Mgx Ti1 - x O3中镁含量、烧结温度和烧结时间的改变而变化 ;烧结所产生的粉末粒度分布均匀、大小适... 采用硬脂酸法合成纳米晶 Sr Mgx Ti1 - x O3( x=0 .1~ 0 .5)材料 .用 DTA,TG,XRD,IR,XPS和 TEM进行表征 .结果表明 ,粉末粒径 d随 Sr Mgx Ti1 - x O3中镁含量、烧结温度和烧结时间的改变而变化 ;烧结所产生的粉末粒度分布均匀、大小适中 ;Mg2 + 部分替代 Sr Ti O3的 Ti4+ 后 ,O的 1 s光谱随着 Mg2 + 含量的不同而发生变化 . 展开更多
关键词 硬脂酸法 复合氧化物纳米晶材料 合成
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在LaNiO_3-Pt复合电极上Pb(Zr,Ti)O_3铁电薄膜及其成分梯度薄膜的制备和研究 被引量:1
2
作者 李建康 姚熹 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2005年第5期757-762,共6页
LaNiO3 (LNO) thin films were prepared on Pt(111) / Ti / SiO2 / Si substrate by metal-organic decomposition (MOD) method. Pb(Zr,Ti)O3 ferroelectric thin films and their compositionally graded thin films were prepared o... LaNiO3 (LNO) thin films were prepared on Pt(111) / Ti / SiO2 / Si substrate by metal-organic decomposition (MOD) method. Pb(Zr,Ti)O3 ferroelectric thin films and their compositionally graded thin films were prepared on LNO / Pt / Ti / SiO2 /Si substrates by Sol-gel method. The composition depth profile of a typical up-graded film was determined by using a combination of Auger Electron Spectroscopy (ASE) and Ar Ion Etching. The results confirm that the processing method produces graded composition changes. XRD analysis showed that the graded thin films possessed composite structure of tetragonal and rhombohedral. The dielectric constants of Up-graded and Down-graded thin films were higher than that of each thin film unit. The dielectric constants were 277 and 269 at 10 kHz, respectively. The loss tangents were 0.019 and 0.018 at 10 kHz, respectively. The Hysteresis loops showed that the remanent polarizations of graded thin films were higher than that of each thin film unit, but the coercive fields were smaller. The remanent polarizations of Up-graded and Down-graded thin films were 30.06 and 26.96 μC·cm-2, respectively. The coercive fields were 54.14, 54.23 kV·cm-1, respectively. The pyroelectric coefficients of Up-graded and Down-graded thin films were 4.62, 2.51×10-8 C·cm-2·K-1 at room temperature, respectively. They were higher than that of each thin film unit. 展开更多
关键词 复合电极 梯度薄膜 铁电薄膜 analysis SOL-GEL profile 制备 成分 LANIO3 and The the unit room MET was Ion XRD at
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Sol-gel法制备(Ba_(0.95)Ca_(0.05))(Sn_(0.05)Ti_(0.95))O_3薄膜及升温速度对形貌的影响 被引量:2
3
作者 何琴玉 张进修 《中山大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期34-36,共3页
用溶胶 -凝胶法制备了光滑的 (Ba0 .95Ca0 .0 5) (Sn0 .0 5Ti0 .95)O3(以下称BCST)薄膜。研究了热处理的升温速率和处理温度对薄膜形貌的影响。SEM测试结果表明快速升温和低温 (刚高出成晶温度 )有利于获得好质量的BCST薄膜。
关键词 SOL-GEL法 (Ba0.95Ca0.05)(Sn0.05ti0.95)O3aigfeajd ym 制备 升温速度 薄膜形貌 成晶温度 钛酸钡基薄膜
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Gd_2O_3的掺入对BaTiO_3陶瓷的形貌及相变等性能的影响 被引量:3
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作者 何琴玉 张进修 厉志明 《中山大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期19-22,共4页
通过先制备钛酸钡 (BaTiO3 )的纳米粉 ,然后按一定质量比与Gd2 O3 混合 ,烧结成陶瓷。利用XRD、RAMAN技术研究了Gd2 O3 的掺入对BT陶瓷结构的影响。通过SEM、DSC技术分别观察了Gd2 O3 对BT陶瓷颗粒形貌、一级相变的影响。研究表明 :Gd2 ... 通过先制备钛酸钡 (BaTiO3 )的纳米粉 ,然后按一定质量比与Gd2 O3 混合 ,烧结成陶瓷。利用XRD、RAMAN技术研究了Gd2 O3 的掺入对BT陶瓷结构的影响。通过SEM、DSC技术分别观察了Gd2 O3 对BT陶瓷颗粒形貌、一级相变的影响。研究表明 :Gd2 O3 主要存在于晶界 ;由于Gd2 O3 引起的应力的作用 ,Gd2 O3 的对BT的振动模式和一级相变产生了一定的影响 ,影响最显著的是对BaTiO3 展开更多
关键词 GD2O3 BAtiO3 掺杂 微结构 相变 表面表貌 钛酸钡陶瓷 氧化钆 物理性能 纳米材料
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以SiO_2/Si为衬底的Ba_(1-x)La_xNb_yTi_(1-y)O_3薄膜的敏感特性(英文) 被引量:1
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作者 李斌 李观启 +1 位作者 黄美浅 曾绍鸿 《华南理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期13-17,共5页
通过离子束溅射技术淀积在SiO2 /Si衬底上的钛酸镧钡铌膜 (Ba1-xLaxNbyTi1- yO3) ,制成集薄膜电阻和金属 -绝缘体 -半导体 (MIS)电容为一体的传感器 .实验结果表明 ,薄膜电阻在 30 3~ 6 73K温度范围内对可见光和热具有良好的灵敏特性 ... 通过离子束溅射技术淀积在SiO2 /Si衬底上的钛酸镧钡铌膜 (Ba1-xLaxNbyTi1- yO3) ,制成集薄膜电阻和金属 -绝缘体 -半导体 (MIS)电容为一体的传感器 .实验结果表明 ,薄膜电阻在 30 3~ 6 73K温度范围内对可见光和热具有良好的灵敏特性 ,同时MIS电容对相对湿度有很高的灵敏度 .我们测试了此薄膜的光吸收特性 ,并得到了它的禁带宽度 .最后 ,我们研究了薄膜电阻的阻抗温度频率特性和频率对MIS电容湿敏特性的影响 . 展开更多
关键词 钙肽矿氧化物 钛酸镧钡铌薄膜 光敏特性 热敏特性 湿敏特性 二氧化硅/硅衬底 薄膜电阻
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胶束法制备Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3超细粉
6
作者 杨昆山 戴亚堂 +1 位作者 陈种菊 马红霞 《四川大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期307-309,共3页
用胶束法制得了Pb(Zr0.53Ti0.47)O3超细粉末,避免了在热处理过程中的硬团聚现象,用X-射线衍射分析、透射电镜等测试手段对粉料进行了表征.制得的超细粉属四方晶系,单颗粒的形貌近似球形,单颗粒平均粒径小于0... 用胶束法制得了Pb(Zr0.53Ti0.47)O3超细粉末,避免了在热处理过程中的硬团聚现象,用X-射线衍射分析、透射电镜等测试手段对粉料进行了表征.制得的超细粉属四方晶系,单颗粒的形貌近似球形,单颗粒平均粒径小于0.1μm. 展开更多
关键词 超细粉 胶束法 锆钛酸铅陶瓷 制备
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(Na_(0.5)Bi_(0.5))_(0.94)Ba_(0.06)Ti_(1-x)Zr_xO_3(x=0-0.05)压电陶瓷的制备及其电学性能研究 被引量:1
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作者 陈维鑫 孙力 +3 位作者 牛键 刘青梅 陶玲玲 付鹏 《聊城大学学报(自然科学版)》 2018年第3期31-37,共7页
采用固相合成法制备了(Na_(0.5)Bi_(0.5))_(0.94)Ba_(0.06)Ti_(1-x)Zr_xO_3(x=0-0.05)压电陶瓷,通过XRD、SEM和电学性能测试方法研究了不同含量ZrO_2对陶瓷样品结构和性能的影响.XRD分析发现,ZrO_2的掺杂没有改变陶瓷的钙钛矿结构,但Zr... 采用固相合成法制备了(Na_(0.5)Bi_(0.5))_(0.94)Ba_(0.06)Ti_(1-x)Zr_xO_3(x=0-0.05)压电陶瓷,通过XRD、SEM和电学性能测试方法研究了不同含量ZrO_2对陶瓷样品结构和性能的影响.XRD分析发现,ZrO_2的掺杂没有改变陶瓷的钙钛矿结构,但Zr元素的掺杂使得晶胞参数减小;SEM图片显示,随着ZrO_2的加入,样品平均晶粒尺寸减小,且晶粒尺寸分布更加均匀;ZrO_2的加入显著影响了样品的电学性能,随着ZrO_2的加入,室温剩余极化强度(P_r)、矫顽场(E_c)和压电常数(d_(33))都先增加后减小,当x=0.01时P_r和E_c分别达到最大值35.7μC/cm^2和4.72kV/mm,当x=0.03时d_(33)达到最大值144pC/N;随着ZrO_2的加入,陶瓷样品常温介电常数增大,退极化温度T_d逐渐下降,且各样品都具有典型的弛豫特性. 展开更多
关键词 (Na0.5 Bi0.5)0.94 Ba0.06 ti1-x Zrx O3压电陶瓷 结构 压电性能 铁电性能 介电性能
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非晶态Bi3.15Nd0.85Ti3O12薄膜的低波动阻变特性研究
8
作者 宋宏甲 薛旦 +1 位作者 钟向丽 王金斌 《湘潭大学学报(自然科学版)》 CAS 2019年第3期55-63,共9页
基于化学溶液法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了非晶态Bi3.15Nd0.85Ti3O12薄膜,研究了其表面形貌、介电特性和阻变特性.结果表明:非晶态Bi3.15Nd0.85Ti3O12薄膜无明显晶界存在,其P-E和C-V曲线无滞后特征,其I-V曲线展示了双极性阻变行为.高... 基于化学溶液法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了非晶态Bi3.15Nd0.85Ti3O12薄膜,研究了其表面形貌、介电特性和阻变特性.结果表明:非晶态Bi3.15Nd0.85Ti3O12薄膜无明显晶界存在,其P-E和C-V曲线无滞后特征,其I-V曲线展示了双极性阻变行为.高低阻态的导电机制研究表明该双极性阻变行为由氧缺陷导电细丝断开/连接主导.通过与氧缺陷导电细丝主导的晶态Bi3.15Nd0.85Ti3O12薄膜基阻变行为对比,发现非晶态Bi3.15Nd0.85Ti3O12薄膜阻变的波动性较小,这与其无晶界密切相关.该研究可为开发低波动的阻变器件提供一定指导. 展开更多
关键词 Bi3.15Nd0.85ti3O12薄膜 非晶态 阻变特性 波动性
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BCZT陶瓷的Nd^(3+)掺杂机制与介电性能研究
9
作者 丁士华 彭勇 +1 位作者 宋天秀 那文菊 《西华大学学报(自然科学版)》 CAS 2018年第4期68-73,共6页
采用固相合成法制备了(Ba_(0.92-x)Ca_(0.08)Nd_x)(Ti_(0.82)Zr_(0.18))O_3(0≤x≤0.02)陶瓷样品,借助XRD、LCR等手段对该陶瓷的结构和介电性能进行了研究。结果表明:当x=0.015时,陶瓷样品出现第二相。通过GULP软件模拟计算并结合实验... 采用固相合成法制备了(Ba_(0.92-x)Ca_(0.08)Nd_x)(Ti_(0.82)Zr_(0.18))O_3(0≤x≤0.02)陶瓷样品,借助XRD、LCR等手段对该陶瓷的结构和介电性能进行了研究。结果表明:当x=0.015时,陶瓷样品出现第二相。通过GULP软件模拟计算并结合实验数据分析可知:随着Nd^(3+)浓度增加,Ti^(4+)空位补偿机制优先发生,可能伴有少量自我补偿。增大Nd^(3+)掺杂量,介电常数与介电损耗均呈现下降趋势,介电峰值扩展并向低温移动。随着Nd^(3+)掺杂量增加,陶瓷样品呈现弛豫型铁电体特征,这与偏离平衡位置Nd^(3+)和缺陷偶极子[4Nd_(Ba)~·+V_(Ti)~″″]产生的无规场有关。 展开更多
关键词 (Ba0.92-xCa0.08Ndx)(ti0.82Zr0.18)O3陶瓷 掺杂机制 溶解能 介电性能
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γ-Fe_(2)O_(3)抗As_(2)O_(3)中毒能力的分子模拟 被引量:2
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作者 周文波 牛胜利 +3 位作者 刘思彤 王栋 韩奎华 王永征 《中国环境科学》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第8期3600-3609,共10页
采用密度泛函理论研究了γ-Fe_(2)O_(3)表面As_(2)O_(3)的吸附以及掺杂改性提高抗As_(2)O_(3)中毒性能的作用机理.计算了As_(2)O_(3)在完整以及O缺陷γ-Fe_(2)O_(3)(001)表面的吸附性能,包括吸附位点、吸附结构、吸附能、PDOS等.同时建... 采用密度泛函理论研究了γ-Fe_(2)O_(3)表面As_(2)O_(3)的吸附以及掺杂改性提高抗As_(2)O_(3)中毒性能的作用机理.计算了As_(2)O_(3)在完整以及O缺陷γ-Fe_(2)O_(3)(001)表面的吸附性能,包括吸附位点、吸附结构、吸附能、PDOS等.同时建立了Mo、Ti、Mg掺杂的γ-Fe_(2)O_(3)模型,探讨了助剂掺杂对抗砷中毒能力的作用机制,并考虑了掺杂量的影响.结果表明:As_(2)O_(3)倾向于以O端化学吸附在γ-Fe_(2)O_(3)(001)表面Feoct位,吸附过程发生强烈的相互作用和电荷转移.当表面存在O缺陷时,As_(2)O_(3)的吸附能得到提高.Mo、Ti、Mg倾向于掺杂在Feoct位,增强了对As_(2)O_(3)的吸附能力,并且增大Mo的掺杂量可以强化As_(2)O_(3)的吸附.As_(2)O_(3)倾向于与活性较强的Mo、Ti、Mg发生反应,从而保护活性Fe位不受砷中毒,Ti和Mg的掺杂还抑制了相邻Fe位对As_(2)O_(3)的吸附.Mo、Ti、Mg的掺杂还促进了催化剂表面对NH_(3)的吸附,增强了表面酸性强度,有利于SCR反应.Mo、Ti、Mg原子的掺杂有利于提高γ-Fe_(2)O_(3)催化剂的抗砷中毒性能. 展开更多
关键词 As_(2)O_(3) 吸附 γ-Fe_(2)O_(3) O缺陷 Mo、ti、Mg掺杂 密度泛函理论
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Defect types and room-temperature ferromagnetism in undoped rutile TiO_2 single crystals 被引量:1
11
作者 李东翔 秦秀波 +5 位作者 郑黎荣 李玉晓 曹兴忠 李卓昕 杨静 王宝义 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第3期491-494,共4页
Room-temperature ferromagnetism has been experimentally observed in annealed rutile TiO2 single crystals when a magnetic field is applied parallel to the sample plane.By combining X-ray absorption near the edge struct... Room-temperature ferromagnetism has been experimentally observed in annealed rutile TiO2 single crystals when a magnetic field is applied parallel to the sample plane.By combining X-ray absorption near the edge structure spectrum and positron annihilation lifetime spectroscopy,Ti^3+-V O defect complexes(or clusters) have been identified in annealed crystals at a high vacuum.We elucidate that the unpaired 3d electrons in Ti^3+ ions provide the observed room-temperature ferromagnetism.In addition,excess oxygen ions in the TiO2 lattice could induce a number of Ti vacancies which obviously increase magnetic moments. 展开更多
关键词 ANNEALING oxygen vacancies ti^3+-V O defect complexes FERROMAGNEtiSM
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Comparison of Properties of Pt/PZT/Pt and Ru/PZT/Pt Ferroelectric Capacitors
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作者 贾泽 任天令 +4 位作者 刘天志 胡洪 张志刚 谢丹 刘理天 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2006年第4期1042-1045,共4页
Pb(Zr0.4Ti0.6)O3 film prepared by sol-gel spin coating on a Pt/Ti/SiO2/Si substrate is applied to ferroelectric capacitors with Pt or Ru as the top electrode. For the Pt/PZT/Pt and Ru/PZT/Pt ferroelectric capacitors... Pb(Zr0.4Ti0.6)O3 film prepared by sol-gel spin coating on a Pt/Ti/SiO2/Si substrate is applied to ferroelectric capacitors with Pt or Ru as the top electrode. For the Pt/PZT/Pt and Ru/PZT/Pt ferroelectric capacitors, although with the same ferroelectric film, different top electrode materials incur different properties of PZT capacitors, such as fatigue, leakage, remanent and saturated polarization, except the similar crystal orientations of the PZT film. After 10^10 switch cycles, the remanent polarizations of the Ru/PZT/Pt and Pt/PZT/Pt capacitors decrease to 70% and 84%, respectively. The leakage current density of the latter increases obviously at positive bias after 108 switch cycles, compared with the former. Different materials for the top electrode bring different conditions at the PZT/top electrode interface. The influence of oxygen-vacancy concentration at the PZT/electrode interface and the influence of oxides of the electrode material at the PZT/electrode interface to charge injection can explain the difference of properties of the PZT capacitors with Pt or Ru as the top electrodes. 展开更多
关键词 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSItiON PB(ZR ti)o-3 THIN-FILMS ELECTRODES FAtiGUE MEMORY POLARIZAtiON tiTANATE SILICON
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具有三维传输通道的化学键合Ti_(3)C_(2) MXene@C复合材料促进混合电容器中的锂离子存储 被引量:1
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作者 冯敏 王万里 +7 位作者 胡兆伟 范呈 赵晓冉 王朋 李慧芳 杨磊 王晓君 刘治明 《Science China Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第3期944-954,共11页
锂离子电容器(LICs)是一种很有前途的储能装置,因为它们同时具有锂离子电池的高能量密度和超级电容器的高功率密度的特点.然而,由于锂离子电容器中阳极和阴极之间电化学反应动力学的不匹配使得探索具有快速离子扩散和电子转移通道的阳... 锂离子电容器(LICs)是一种很有前途的储能装置,因为它们同时具有锂离子电池的高能量密度和超级电容器的高功率密度的特点.然而,由于锂离子电容器中阳极和阴极之间电化学反应动力学的不匹配使得探索具有快速离子扩散和电子转移通道的阳极材料面临挑战.在此,通过静电纺丝策略将具有可控末端基团的二维Ti_(3)C_(2)MXene引入一维碳纳米纤维中,形成三维导电网络.在这种Ti_(3)C_(2)MXene和碳基复合材料(称为KTi-400@CNFs)中,二维纳米片结构赋予了Ti_(3)C_(2)MXene更多Li+存储活性位点,而碳骨架则有利于提高复合材料的导电性.更值得一提的是,在Ti_(3)C_(2)MXene和碳骨架的界面上形成了Ti–O–C键.复合材料中的这种化学键为电子的快速传输和离子在层与层之间纵向的快速扩散建立了桥梁.因此,优化后的KTi-400@CNFs复合材料在电流密度为5 A g-1的情况下,500次循环后仍保持235 mA h g-1的良好容量.由KTi-400@CNFs//AC组成的锂离子电容器实现了高能量密度(114.3 W h kg-1)和高功率密度(12.8 kW kg-1).KTi-400@CNFs的这种独特结构和优异的电化学性能为二维材料制备提供了参考. 展开更多
关键词 锂离子电容器 锂离子电池 超级电容器 混合电容器 阳极材料 高能量密度 碳基复合材料 电化学性能
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La调节Pb(Zr,Sn,Ti)O_3反铁电陶瓷的相变与电学性质 被引量:15
14
作者 刘鹏 姚熹 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第7期1621-1627,共7页
利用X射线衍射、弱场介电温度谱、强场极化强度研究了不同La含量 (Pb1 -xLa2x 3) (Zr0 6 Sn0 3Ti0 1 )O3(0 0 0≤x≤ 0 12 ) (PLZSnT)陶瓷的相变与电学特性 .实验发现 ,随La含量增大 ,室温下材料由铁电三方相 (x =0 0 0 )转变为... 利用X射线衍射、弱场介电温度谱、强场极化强度研究了不同La含量 (Pb1 -xLa2x 3) (Zr0 6 Sn0 3Ti0 1 )O3(0 0 0≤x≤ 0 12 ) (PLZSnT)陶瓷的相变与电学特性 .实验发现 ,随La含量增大 ,室温下材料由铁电三方相 (x =0 0 0 )转变为反铁电四方相 (0 0 3≤x≤ 0 0 9)和立方相 (x=0 12 ) .介电测试表明 ,La含量增大 ,反铁电→顺电相变温度降低 ,峰值介电常量减小 .在x =0 0 6的PLZSnT三元相图中 ,反铁电四方相区扩大到Ti含量约为 18at% ,该系统反铁电陶瓷具有“窄、斜”型双电滞回线和“三电滞回线” ;在高Zr、高Sn区 ,反铁电→顺电相变呈现弥散相变和介电频率色散特征 ,即反铁电极化弛豫现象 .从ABO3钙钛矿结构的容忍因子 (t)和反铁电相的结构特征出发 ,讨论了La对Pb(Zr,Sn ,Ti)O3相变与电学性质的影响机理 . 展开更多
关键词 La调节 反铁电陶瓷 电学性质 场诱相变 驰豫型反铁电体 介电性能 钙矿结构 镧调节
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Pb(Zr,Sn,Ti)O_3反铁电陶瓷的低温相变扩散与极化弛豫 被引量:3
15
作者 刘鹏 杨同青 +1 位作者 张良莹 姚熹 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第11期2300-2303,共4页
用弱场介电温谱、热释电流谱、强场电滞回线和变温X射线衍射谱研究了微量La掺杂Pb(Zr ,Sn ,Ti)O3(PZST)反铁电 (AFEt)陶瓷在 - 10 0— 180℃温区内的结构与电学特性 .弱场介电温谱显示 ,AFEt陶瓷在低温段(- 10 0— 5 0℃ )呈现介电频率... 用弱场介电温谱、热释电流谱、强场电滞回线和变温X射线衍射谱研究了微量La掺杂Pb(Zr ,Sn ,Ti)O3(PZST)反铁电 (AFEt)陶瓷在 - 10 0— 180℃温区内的结构与电学特性 .弱场介电温谱显示 ,AFEt陶瓷在低温段(- 10 0— 5 0℃ )呈现介电频率弥散 (0 1— 10 0kHz)和扩散型相变的特征 ,而变温X射线衍射谱却表明材料在这一温区内保持四方相结构 ;低温下经强场作用后 ,AFEt被诱导为亚稳三方铁电态 ,介电频率弥散消失 .基于多元复杂化合物的组分起伏理论 ,讨论了PZSTAFEt陶瓷的相变扩散与极化弛豫新现象 . 展开更多
关键词 反铁电陶瓷 PZST 低温相变扩散 极化驰豫
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钙钛矿型复合氧化物在甲烷部分氧化反应中催化性能的研究 被引量:5
16
作者 楚文玲 杨维慎 林励吾 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第9期1787-1789,共3页
Ba\-\{0.5\}Sr\-\{0.5\}Co\-\{0.8\}Fe\-\{0.2\}O\-\{3-\%δ\%\} and Ba\-\{0.5\}Sr\-\{0.5\}Co\-\{0.8\}Ti\-\{0.2\}O\-\{3-\%δ\%\} oxides were synthesized by a combined EDTA\|citrate complexing method. The catalytic behavior... Ba\-\{0.5\}Sr\-\{0.5\}Co\-\{0.8\}Fe\-\{0.2\}O\-\{3-\%δ\%\} and Ba\-\{0.5\}Sr\-\{0.5\}Co\-\{0.8\}Ti\-\{0.2\}O\-\{3-\%δ\%\} oxides were synthesized by a combined EDTA\|citrate complexing method. The catalytic behavior of these two oxides with the perovskite structure was studied during the reaction of methane oxidation. The pre\|treatment with methane has different effect on the catalytic activities of both the oxides. The methane pre\|treatment has not resulted in the change of the catalytic activity of BSCFO owing to its excellent reversibility of the perovskite structure resulting from the excellent synergistic interaction between Co and Fe in the oxide. However, the substitution with Ti on Fe\|site in the lattice makes the methane pre\|treatment have an obvious influence on the activity of the formed BSCTO oxide. 展开更多
关键词 钙钛矿型复合氧化物 催化性能 甲烷 部分氧化 催化活性 催化剂
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采用MOD工艺制备PZT压电薄膜及其性能的研究
17
作者 张之圣 王玉东 刘如净 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2000年第7期12-14,共3页
文中比较详细地研究了采用金属有机化合物热分解 (MOD)法制备锆钛酸铅Pb(Zr0 52Ti0 4 8)O3铁电薄膜的工艺及PZT薄膜的介电性能。利用XRD分析了薄膜的结晶过程 ,制得具有钙钛矿结构的PZT薄膜 ,铂电极有利于钙钛矿相形成。薄膜的介电... 文中比较详细地研究了采用金属有机化合物热分解 (MOD)法制备锆钛酸铅Pb(Zr0 52Ti0 4 8)O3铁电薄膜的工艺及PZT薄膜的介电性能。利用XRD分析了薄膜的结晶过程 ,制得具有钙钛矿结构的PZT薄膜 ,铂电极有利于钙钛矿相形成。薄膜的介电温谱研究结果表明 :薄膜的居里温度约为 43 0℃ (1kHz)。 展开更多
关键词 金属有机化合物 锆钛酸铅 铁电薄膜 MOD工艺
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PLCT系列热释电薄膜的最新研究进展
18
作者 袁小武 朱建国 肖定全 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期295-299,共5页
热释电红外探测器广泛应用于辐射测温、红外光谱测量、安全警戒、红外热成像等领域。掺杂钛酸铅薄膜是性能优异、应用广泛的热释电薄膜 ,文章主要介绍了镧、钙双掺的钛酸铅薄膜的性能。比较了不同组分的 PCT、PL T、PL CT铁电材料的制... 热释电红外探测器广泛应用于辐射测温、红外光谱测量、安全警戒、红外热成像等领域。掺杂钛酸铅薄膜是性能优异、应用广泛的热释电薄膜 ,文章主要介绍了镧、钙双掺的钛酸铅薄膜的性能。比较了不同组分的 PCT、PL T、PL CT铁电材料的制备方法、结晶性、铁电性、介电性及热释电性能与分组的关系 ,并对 PL 展开更多
关键词 热释电薄膜 介电性能 铁电性能 结晶性能 热释电红外探测器
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溶胶-凝胶工艺参数对 PLT10 薄膜显微结构的影响
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作者 赵新伟 田长生 +1 位作者 裴志斌 方晓华 《西北工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期644-648,共5页
研究了溶胶-凝胶工艺中溶胶陈化时间,热处理工艺条件和衬底材料对PLT10(Pb0.9La0.1Ti0.975O3的简称)薄膜显微结构的影响。结果表明,在(100)Si单晶基片上制备的PLT10薄膜为钙钛矿结构的多晶陶... 研究了溶胶-凝胶工艺中溶胶陈化时间,热处理工艺条件和衬底材料对PLT10(Pb0.9La0.1Ti0.975O3的简称)薄膜显微结构的影响。结果表明,在(100)Si单晶基片上制备的PLT10薄膜为钙钛矿结构的多晶陶瓷膜;在(100)SrTiO3衬底上制备的PLT10薄膜为(001)择优取向的具有钙钛矿结构的单晶膜,(001)择优取向度高达0.95。溶胶陈化时间愈长,薄膜择优取向度愈高。热处理温度越高,PLT10薄膜钙钛矿结构发展越充分,薄膜晶粒尺寸越大。 展开更多
关键词 PLT10 薄膜 溶胶-凝胶法 多晶陶瓷 显微结构
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PZT薄膜的相转变与晶格参数的研究 被引量:1
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作者 何锦林 谭红 汪大成 《贵州科学》 2000年第1期11-15,共5页
研究 Sol- gel制备 PZT薄膜材料相结构与晶格参数 ,研究 PZT薄膜相变、衬底与温度关系和不同 Zr/ Ti比Pb(Zrx Ti1-x) O3 (x=0 .2~ 0 .8)。结果表明 :PZT薄膜从烧绿石相向钙钛矿相转变的温度在 Pt衬底上为 6 0 0°C,在不锈钢上为 6 ... 研究 Sol- gel制备 PZT薄膜材料相结构与晶格参数 ,研究 PZT薄膜相变、衬底与温度关系和不同 Zr/ Ti比Pb(Zrx Ti1-x) O3 (x=0 .2~ 0 .8)。结果表明 :PZT薄膜从烧绿石相向钙钛矿相转变的温度在 Pt衬底上为 6 0 0°C,在不锈钢上为 6 50°C。PZT铁电体薄膜的晶格参数和晶格畸变随 Zr/ Ti比的不同而变化 ;在铁电四方相区 ,随 Zr含量增加 ,a=b轴逐渐增大 ,c轴稍有缩短 ,四方晶系发生畸变 ;当 x>0 .5时 ,没有检测到单位晶胞的畸变 ;在准同型相界附近 ,晶胞参数发生突变。 展开更多
关键词 PZT薄膜 相转变 晶格参数 铁电材料 压电材料
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