TIPbI和掺杂TIPbI_3晶体的光电特性

本文通过化学分析法和光电导法研究杂质对 TlPbI_3晶体光电导谱和内光电效应的影响。实验表明,钝 TlPbI_3晶体的本征光敏峰波长在515～532nm 之间;杂质 AgI、CuI、GaI_3等使光电导峰波长移到540～580nm;晶体的光敏性和导电机理受其组成的影响,符合化学计量比组成的晶体的电导率最小,偏离化学计量比使晶体的电导率增大;而光电导率的影响不明显;杂质促进晶体形成非化学计量比组成,由此产生不同的缺陷导致同一种杂质既可产生 n 型导电也可产生 p 型导电;这些杂质只使晶体的光敏性达到10~3。