用TLM法模拟二维三维电磁散射近场和远场

数值模拟二维等腰直角三角形导电柱体和三维方形导电柱体对高斯脉冲平面波的电磁散射近场和远场分布。数值结果表明在三角柱体的电磁散射近场中镜面反射并不明显 ,但在远场却非常明显并且成为最主要的散射方向。三维电磁散射的数值结果表明 ,二次辐射是电磁散射的主要机理。并且在多个导体目标情况下 ,各自的散射场将互相干涉形成总的散射场。

一种新的吸收边界条件及其在TLM法中的应用

基于 Z变换透射边界条件的统一理论 ,构成出一种新的能够适用于对称压缩顶点传输线矩阵法的吸收边界条件 ,并将它应用于导波问题的计算 .与 Higdon吸收边界条件相比 ,这种新的吸收边界条件不会产生假模 ,不需对时间偏移因子作任何修改而且更加精确有效 .

TLM法及其一维模型的构造方法

详细介绍了传输线模型法建立一维模型的方法及过程 。

TLM法在线性动态电路中的应用

详细介绍了采用TLM法求解线性动态电路的过程 ,指出了TLM法具有物理概念清晰 ,计算稳定。

异质结双极晶体管(HBT)热电耦合特性的准二维TLM法数值分析

通过建立基于耗尽层等效的准二维模型。模拟了异质结双极晶体管（HeterojuctionBipolarTransistorHBT）的热电耦合特性。在模型中，器件内的温度和少数载流子分布都采用传输线矩阵（TransmissionLineMatrix．TLM）法求得。计算结果表明该模型能有效、方便地分析器件的热电耦合特性，同时能减少对计算的时间占用和内存空间。

用TLM法求解线性电路动态过程

详细介绍了传输线模型法求解线性电路动态响应过程，并通过与传统的龙格－库塔法做对比，指出ＴＬＭ 法具有概念上的优势和计算稳定。

半导体器件中金刚石散热器热性能的传输线矩阵(TLM)法分析

本文将传输线矩阵（ＴｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎＬｉｎｅＭａｔｒｉｘ，ＴＬＭ）法运用到热扩散问题的求解中，通过对模型的建立、迭代算法的步骤、边界的处理等问题的讨论，详细阐述了传输线矩阵（ＴＬＭ）法用于分析热扩散问题时的基本理论．最后以半导体器件中金刚石薄膜散热器为例进行了实例分析．

波干涉和波衍射的传输线矩阵(TLM)法模拟

本文对标量波的干涉和衍射现象用TLM（TransmissionLineMatrix）方法进行了数值模拟．数值结果表明基于惠更斯原理的TLM方法可以较好地模拟各种波的干涉和衍射现象。

用TLM方法计算TEM小室高次模的截止波长

本文用TLM方法计算TEM小室高次模的截止波长,计算结果和其它文献给出的结果进行比较,对某些结果提出了看法。

有耗传输线的TLM模型法

本文从传输线理论出发 ,介绍了一种解决传输线问题的新方法—— TL

有孔矩形腔屏蔽效能的传输线法分析

首先介绍了用传输线法(transmissionlinemethod,TLM)分析有孔矩形腔屏蔽效能的基本原理,然后将基本公式作进一步扩展,使其能计算圆孔、多孔洞以及在任意极化方向时的情形。仿真结果表明:当频率低于主谐振频率时,离孔缝越近,耦合进的电磁能量越大;当处于谐振频率时,屏蔽腔与孔形成共振,屏蔽效能很低甚至为负,而且腔体内任何空间都如此;屏蔽效能随极化角度的递增而递减,低频段的屏蔽比高频段要好;对于相同面积的孔洞,单孔洞的屏蔽效能比多孔洞的屏蔽效能要差,孔洞越多,屏蔽效果越好,而圆形孔(等同于方形孔)的屏蔽效果最好。

有孔双层屏蔽腔体屏蔽效能的多模分析方法

用扩展为可分析腔内多种传输模式的等效传输线方法研究了有孔双层屏蔽腔体的屏蔽效能,进一步把单个孔缝推广为孔缝阵列,这可以考虑腔内较宽的微波频率范围和腔体上排列规则的孔缝阵列。双层屏蔽腔内电场的屏蔽系数与单层屏蔽腔内的屏蔽系数的比较表明:双层屏蔽可以使腔体的整体屏蔽效能明显提高;双层屏蔽腔体中和单层屏蔽腔体中一样,在腔内各个模式的谐振点上屏蔽效能很差。对于双层屏蔽腔体的孔缝改进为孔阵后的屏蔽效能的分析表明:保持孔缝总面积不变时,随着孔阵中孔缝数量的增加,腔体的屏蔽效能也逐步提高;把屏蔽腔体的单层孔阵改进为双层孔阵后,腔体的屏蔽效能也有明显提高。对内孔缝位置和腔体尺寸的分析表明:内孔缝位置对屏蔽系数的影响不明显,但随着腔体尺寸的递增,屏蔽系数的统计均值有递增趋势。