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混合应变多量子阱有源材料及其增益偏振特性
被引量：
1
1
作者
段子刚
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第12期1453-1455,共3页
采用MOCVD外延交替生长了压应变、张应变InxGa1-xAsyP1- y多量子阱材料 ,对应1.3μm波段 平均应变量 - 0 .16 % ,周期 11nm 采用三个周期外延材料的芯片制作的LD 。
关键词
SOA
偏振无关
tm模增益
混合应变量子阱
下载PDF
职称材料
混合应变量子阱SOA的增益特性
2
作者
段子刚
《深圳大学学报（理工版）》
EI
CAS
2004年第1期30-32,共3页
报道了基于混合应变多量子阱有源材料的半导体光放大器及其增益特性.引入张应变量子阱的SOA器件,增益带宽约为50nm,偏振相关损耗小于1dB,峰值增益随偏置电流增大蓝移.在高偏置条件下,芯片剩余反射和外腔反馈引起的受激发射造成增益带谱...
报道了基于混合应变多量子阱有源材料的半导体光放大器及其增益特性.引入张应变量子阱的SOA器件,增益带宽约为50nm,偏振相关损耗小于1dB,峰值增益随偏置电流增大蓝移.在高偏置条件下,芯片剩余反射和外腔反馈引起的受激发射造成增益带谱收缩,增益下降.高性能SOA必须克服芯片剩余反射和抑制外腔反馈.
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关键词
混合应变量子阱
SOA
偏振无关
tm模增益
外腔反馈
半导体光放大器
下载PDF
职称材料
题名
混合应变多量子阱有源材料及其增益偏振特性
被引量：
1
1
作者
段子刚
机构
深圳大学光电子学研究所
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第12期1453-1455,共3页
文摘
采用MOCVD外延交替生长了压应变、张应变InxGa1-xAsyP1- y多量子阱材料 ,对应1.3μm波段 平均应变量 - 0 .16 % ,周期 11nm 采用三个周期外延材料的芯片制作的LD 。
关键词
SOA
偏振无关
tm模增益
混合应变量子阱
Keywords
SOA
Polarization independence
tm
mode gain
Mix strained quantum wells
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
混合应变量子阱SOA的增益特性
2
作者
段子刚
机构
深圳大学光电子学研究所
出处
《深圳大学学报（理工版）》
EI
CAS
2004年第1期30-32,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目(60377012)
文摘
报道了基于混合应变多量子阱有源材料的半导体光放大器及其增益特性.引入张应变量子阱的SOA器件,增益带宽约为50nm,偏振相关损耗小于1dB,峰值增益随偏置电流增大蓝移.在高偏置条件下,芯片剩余反射和外腔反馈引起的受激发射造成增益带谱收缩,增益下降.高性能SOA必须克服芯片剩余反射和抑制外腔反馈.
关键词
混合应变量子阱
SOA
偏振无关
tm模增益
外腔反馈
半导体光放大器
Keywords
SOA
polarization independence
tm
mode gain
mix strained quantum wells
external cavity feedback
分类号
TN722 [电子电信—电路与系统]
TN303 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
混合应变多量子阱有源材料及其增益偏振特性
段子刚
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
1
下载PDF
职称材料
2
混合应变量子阱SOA的增益特性
段子刚
《深圳大学学报（理工版）》
EI
CAS
2004
0
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职称材料
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