美国Array Networks公司推出新型应用性能加速平台TM-X

美国Array Networks公司近日宣布，针对中端用户推出TM-X新型应用性能加速平台，并将TM系列操作系统升级至6．0版本。TM-X产品能以极好的性价比向企业用户提供具有高扩展性的性能加速方案，允许企业用户极灵活地管理应用网络。它高度集成了SSL加速，数据压缩，

Al-TM合金熔体的中程有序结构及其演化规律

用高温熔体X射线衍射仪对Al TM (TM =Fe,Ni)合金的熔体结构进行了实验研究 .在Al 1.0at%Fe(原子百分比 )合金的结构因子曲线S(Q)上 ,温度为 6 70℃时 ,存在预峰 ,即中程有序结构 ,当温度过热到 140 0℃时 ,预峰消失 .Al 2 0at%Ni合金熔体温度在≤ 130 0℃范围内 ,存在预峰 ;温度高于 140 0℃时 ,预峰逐渐消失 .这些实验结果表明 ,Al Ni,Al Fe合金熔体中除存在短程有序结构外 ,还存在中程有序结构 .这种中程有序结构的存在与消失与温度有关 .在相似的条件下 ,Al Si合金中没有发现中程有序结构 .

Dy^(3+)/Tm^(3+)共掺杂钒磷酸钇的共沉淀法合成及光谱性质

以Y2O3、Dy2O3、Tm2O3、V2O5、(NH4)2HPO4为原料,采用共沉淀化学法合成了体色纯白的Dy3+、Tm3+共掺杂YP1-xVxO4荧光粉。对合成荧光粉的V5+/P5+、Dy3+/Tm3+摩尔比等条件进行了研究。利用SEM、变温紫外激光激发下的发射光谱及紫外激发下的发射光谱,对所合成的粉体的表面形貌及发光性能进行了表征。YP1-xVxO4∶Dy3+,Tm3+荧光粉在325nm紫外激光激发下,低温时存在基质VO3-4的蓝色宽带发射,随着温度升高,VO3-4吸收的激发能量更有效地传递给Dy3+、Tm3+,使其发光逐渐增强;在254nm的紫外光激发下,YP1-xVxO4∶Dy3+,Tm3+荧光粉发白光,是一种潜在的二基色高压汞灯用荧光粉。

运用表面等离子共振(SPR)生物传感器检测转基因玉米的研究

采用自组装单分子生物膜技术(Self-assembled Monolayer,SAM),将带巯基头的35S启动子寡聚核苷酸探针修饰到镀金的Biacore芯片表面,建立了一种简单、快速、灵敏的表面等离子共振(surface Plasmon Resonance,SPR)DNA生物传感检测系统。研究结果表明,优化的表面等离子共振DNA传感器能够成功地用于转基因玉米PCR扩增样品的检测。

高温高压法合成钻石的宝石学特征

采用宝石显微镜、红外光谱仪、X荧光光谱仪、紫外荧光灯、Diamond View^(TM)等对济南某公司生长的高温高压合成的黄色、无色、蓝色钻石样品进行详细地测试与分析。结果表明,高温高压合成钻石放大观察可见内部含有棒状、柱状、细小微粒状的金属包裹体,个别样品内部相对纯净,净度级别可达VS_1;红外吸收光谱测试显示,无色合成钻石为IIa型,黄色合成钻石为Ib型,蓝色合成钻石为IIb型。X荧光光谱测试显示所有钻石都具有强烈的铁峰,无色和蓝色合成钻石未检出镍,5号样品检测出铁和镍,6号样品检测除铁和镍外还有锰。无色和蓝色合成钻石在Diamond View^(TM)下具有蓝白色荧光,并具有磷光现象且发光时间可达60多秒;合成黄色钻石在Diamond View^(TM)下具有黄绿色荧光,无磷光现象。这些高温高压合成钻石都具有"黑十字"现象,并可见四边形生长环带。紫外-可见光分光光谱仪测试合成钻石,均未检测到415nm吸收线。

血栓吸除导管X-sizer^(TM)治疗血栓性病变的疗效和安全性

目的总结血栓吸除导管X-sizerTM减轻血栓负荷,改善经皮冠状动脉成形术(PCI)的疗效及安全性。方法21例患者(心肌梗死12例,不稳定性心绞痛9例;7例为静脉桥)行PCI同时X-sizerTM导管血栓吸除。结果X-sizerTM导管血栓吸除操作成功率为95.2%(20/21),PCI成功率85.7%(18/21);X-sizerTM导管治疗后心肌梗死溶栓治疗(TIMI)血流平均由(1.08±1.08)增至(2.01±0.97)级(P<0.05),手术结束时为(2.53±1.07)级;术中内膜撕裂2例,远端栓塞1例,导丝穿孔1例,短暂无血流2例,导丝远段断在血管内1例,导丝缠住X-sizerTM导管1例。结论X-sizerTM血栓吸除导管可改善PCI治疗的TIMI血流,但不能完全预防冠脉远端栓塞和无血流现象;使用时应注意病例选择和防范并发症。

济南高压高温合成钻石的宝石学特征

采用宝石显微镜、红外光谱仪、X射线荧光光谱仪、紫外荧光灯、DiamondView^(TM)等对济南某公司生长的高压高温合成的黄色、无色、蓝色钻石样品进行详细地测试与分析。结果表明,高压高温合成钻石放大观察可见内部含有棒状、柱状、细小微粒状的金属包裹体,个别样品内部相对纯净,净度可达VS1;红外吸收光谱测试显示,无色合成钻石为IIa型,黄色合成钻石为Ib型,蓝色合成钻石为IIb型。X射线荧光光谱测试显示所有钻石都具有强烈的Fe峰,无色和蓝色合成钻石未检出Ni,5号样品检测出Fe和Ni,6号样品检测出Fe和Ni外还有Mn。无色和蓝色合成钻石在DiamondView^(TM)下具有蓝白色荧光,并具有磷光现象且发光时间可达60多秒;合成黄色钻石在DiamondView^(TM)下具有黄绿色荧光,无磷光现象。这些高压高温合成钻石都具有"黑十字"现象,并可见四边形生长环带。紫外-可见分光光谱仪测试合成钻石,均未检测到415nm吸收线。

LiMgAlF_6 : Tm^(3+) 的合成与光谱特性

采用高温固相反应法，ＬｉＦ／ＭｇＦ２／ＡｌＦ３＝１２０／１１０／１００，烧结温度为１００８Ｋ，烧结时间为４ｈ，在流动的高纯Ａｒ中合成了ＬｉＭｇＡｌＦ６：Ｔｍ３＋。对其结构和发光特性进行了研究。

Cδ掺杂Al_xGa_(1-x)A_s多层外延与超晶格的MOVPE生长及其霍耳评估

使用自动变温霍耳测试系统测定了减压 MOVPE外延生长的 Cδ掺杂 Alx Ga1-x As多层外延与pipi Alx Ga1-x As超晶格 .结果表明 ,以 TMAl为掺杂源的 Cδ掺杂 Alx Ga1-x As多层外延样品的二维空穴浓度可达到 1.1× 10 13 / cm2 ,比以 TMG为掺杂源的样品提高一个数量级 ,且其掺杂浓度对 Al摩尔分数的依赖程度远较使用 TMG为低 .实验还发现具有 10 15/ cm2二维空穴浓度的 Cδ掺杂 pipi Alx Ga1-x As超晶格的迁移率与具有 10 13 / cm2二维空穴浓度的 Cδ掺杂 Alx Ga1-x As多层外延的迁移率几乎没有差别 ,证实了 pipi Alx Ga1-x As超晶格中各δ掺杂层的电子云交叠大大减弱了电离杂质散射 ,使迁移率得到显著提高 .