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磁阻随机存取存储器(MRAM)的原理与研究进展
被引量:
5
1
作者
吴晓薇
郭子政
《信息记录材料》
2009年第2期52-57,共6页
磁阻式随机存取存储器(MRAM)已被公认为一种前景非常广阔的存储器。本文综述了MRAM的概念和原理,以及它和目前常见的静态随机存储器(SRAM)、动态随机存储器(DRAM)、闪存(FLASH)等类型的存储器的差别。实用型MRAM主要利用隧道磁阻(TMR)效...
磁阻式随机存取存储器(MRAM)已被公认为一种前景非常广阔的存储器。本文综述了MRAM的概念和原理,以及它和目前常见的静态随机存储器(SRAM)、动态随机存储器(DRAM)、闪存(FLASH)等类型的存储器的差别。实用型MRAM主要利用隧道磁阻(TMR)效应,所以目前MRAM的研究重点之一就是如何提高传统的TMR材料的性能。MRAM的另外一个研究方向是发展新原理和新结构的MRAM。本文重点介绍了目前2种主要的MRAM,即toggle-MRAM和SST-MRAM的发展情况。
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关键词
MRAM
tmr效应
自旋转矩
效应
旋档切换开关
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职称材料
题名
磁阻随机存取存储器(MRAM)的原理与研究进展
被引量:
5
1
作者
吴晓薇
郭子政
机构
内蒙古农业大学理学院
内蒙古师范大学物理与电子信息学院
出处
《信息记录材料》
2009年第2期52-57,共6页
基金
国家自然科学基金资助(10765003)
文摘
磁阻式随机存取存储器(MRAM)已被公认为一种前景非常广阔的存储器。本文综述了MRAM的概念和原理,以及它和目前常见的静态随机存储器(SRAM)、动态随机存储器(DRAM)、闪存(FLASH)等类型的存储器的差别。实用型MRAM主要利用隧道磁阻(TMR)效应,所以目前MRAM的研究重点之一就是如何提高传统的TMR材料的性能。MRAM的另外一个研究方向是发展新原理和新结构的MRAM。本文重点介绍了目前2种主要的MRAM,即toggle-MRAM和SST-MRAM的发展情况。
关键词
MRAM
tmr效应
自旋转矩
效应
旋档切换开关
Keywords
MRAM
tmr
effect
spin-transfer torques
toggle-mode switching
分类号
TQ581 [化学工程—精细化工]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
磁阻随机存取存储器(MRAM)的原理与研究进展
吴晓薇
郭子政
《信息记录材料》
2009
5
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