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长周期掺杂超晶格GaAs/Al_xGa_(1-x)As红外吸收的研究
1
作者
杨晓峰
许丽萍
温廷敦
《华北工学院学报》
2000年第3期198-201,共4页
目的 研究长周期掺杂超晶格 Ga As/Alx Ga1 - x As红外吸收的特性 ,尤其在 1 0 .6μm处的红外吸收 .方法 在有效质量的基础上 ,计算 Ga As/Alx Ga1 - x As系列超晶格材料能带及带间光吸收谱 .结果 发现当 Ga As/Al0 .3Ga0 .7As的周...
目的 研究长周期掺杂超晶格 Ga As/Alx Ga1 - x As红外吸收的特性 ,尤其在 1 0 .6μm处的红外吸收 .方法 在有效质量的基础上 ,计算 Ga As/Alx Ga1 - x As系列超晶格材料能带及带间光吸收谱 .结果 发现当 Ga As/Al0 .3Ga0 .7As的周期层厚为 1 8nm,Ga As层厚为 3nm时 ,在 1 0 .6μm处有一强的红外吸收峰 .
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关键词
红外吸收
GAAS/ALXGA1-XAS
tn213
超晶格
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职称材料
题名
长周期掺杂超晶格GaAs/Al_xGa_(1-x)As红外吸收的研究
1
作者
杨晓峰
许丽萍
温廷敦
机构
华北工学院理学系
出处
《华北工学院学报》
2000年第3期198-201,共4页
基金
兵科院预研基金
山西省自然科学基金联合资助项目
文摘
目的 研究长周期掺杂超晶格 Ga As/Alx Ga1 - x As红外吸收的特性 ,尤其在 1 0 .6μm处的红外吸收 .方法 在有效质量的基础上 ,计算 Ga As/Alx Ga1 - x As系列超晶格材料能带及带间光吸收谱 .结果 发现当 Ga As/Al0 .3Ga0 .7As的周期层厚为 1 8nm,Ga As层厚为 3nm时 ,在 1 0 .6μm处有一强的红外吸收峰 .
关键词
红外吸收
GAAS/ALXGA1-XAS
tn213
超晶格
Keywords
energy bands
effective mass
infrared absorption
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
长周期掺杂超晶格GaAs/Al_xGa_(1-x)As红外吸收的研究
杨晓峰
许丽萍
温廷敦
《华北工学院学报》
2000
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