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TPBTSi配合物的绿色有机发光器件研究
1
作者
于军胜
李青
+3 位作者
娄双玲
李璐
黎威志
蒋亚东
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第4期618-620,共3页
利用2,2,3,3-tetraphenyl-4,4-bisthienylsilole(TPBTSi)作为发光材料,采用真空镀膜的方法制备双层器件ITO/N,bis(1-naphthyl)(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine(NPB)/TPBTSi/Mg:Ag;在此基础上,利用N'-diphenyl-N,N'-tri-(8...
利用2,2,3,3-tetraphenyl-4,4-bisthienylsilole(TPBTSi)作为发光材料,采用真空镀膜的方法制备双层器件ITO/N,bis(1-naphthyl)(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine(NPB)/TPBTSi/Mg:Ag;在此基础上,利用N'-diphenyl-N,N'-tri-(8-hydroxyquinoline)aluminum(Alq3)作为电子传输材料,以TPBTSi为发光层制备了结构为ITO/NPB/TPBTSi/Alq3/Mg:Ag的三层有机发光器件。结果表明,与双层器件相比,三层器件的发光性能得到很大提高,发光光谱谱峰位于516nm处,即TPBTSi的特征光谱,CIE坐标为(0.275,0.448),且不随电压的改变而变化。在15V的驱动电压下,器件的最大亮度和流明效率分别为7032cd/m2和0.79lm/W。
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关键词
ALQ3
绿色
有机发光二极管
tpbtsi
下载PDF
职称材料
题名
TPBTSi配合物的绿色有机发光器件研究
1
作者
于军胜
李青
娄双玲
李璐
黎威志
蒋亚东
机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
出处
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第4期618-620,共3页
基金
部级预研基金
文摘
利用2,2,3,3-tetraphenyl-4,4-bisthienylsilole(TPBTSi)作为发光材料,采用真空镀膜的方法制备双层器件ITO/N,bis(1-naphthyl)(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine(NPB)/TPBTSi/Mg:Ag;在此基础上,利用N'-diphenyl-N,N'-tri-(8-hydroxyquinoline)aluminum(Alq3)作为电子传输材料,以TPBTSi为发光层制备了结构为ITO/NPB/TPBTSi/Alq3/Mg:Ag的三层有机发光器件。结果表明,与双层器件相比,三层器件的发光性能得到很大提高,发光光谱谱峰位于516nm处,即TPBTSi的特征光谱,CIE坐标为(0.275,0.448),且不随电压的改变而变化。在15V的驱动电压下,器件的最大亮度和流明效率分别为7032cd/m2和0.79lm/W。
关键词
ALQ3
绿色
有机发光二极管
tpbtsi
Keywords
Alq3
green
organic light-emitting diodes
tpbtsi
分类号
TN383 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
TPBTSi配合物的绿色有机发光器件研究
于军胜
李青
娄双玲
李璐
黎威志
蒋亚东
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
0
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职称材料
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