为了合成高热电性能的 n型 Si C基材料 ,尝试用过渡塑性相工艺对 Si C基复合材料进行了 Ti掺杂的实验。当以纳米级 Si C为原料 ,并选择合适的保温时间及温度 ,室温时功率因子 f P 可达 1.5× 10 -5W.m.K-2 ,40 0℃时上升至1.5×...为了合成高热电性能的 n型 Si C基材料 ,尝试用过渡塑性相工艺对 Si C基复合材料进行了 Ti掺杂的实验。当以纳米级 Si C为原料 ,并选择合适的保温时间及温度 ,室温时功率因子 f P 可达 1.5× 10 -5W.m.K-2 ,40 0℃时上升至1.5× 10 -4W.m.K-2 ,与聚碳硅烷浸渍法合成的样品相比 ,f P 提高约 10 0倍。X射线衍射谱及扫描电镜结果显示 ,纳米Si C原料与微米原料相比 ,更易于烧结 ,Ti掺杂入 Si C的浓度更高 ,因而 Seeback系数有显著提高。展开更多