TVS二极管用于半导体桥静电安全性研究

为了加强半导体桥(SCB)的静电安全性,利用TVS二极管抗浪涌特性,分别对经TVS二极管加固前、后的SCB进行静电安全性研究。研究结果发现:并联TVS二极管后,SCB的发火时间无显著性变化;在500 p F、不串电阻条件下,SCB在6 k V条件下均未发火,在8 k V条件下均发火;在500 p F、不串电阻条件下,TVS二极管加固后的SCB在9 k V条件下均未发火,在13 k V条件下均发火;9 k V静电作用后,TVS加固后SCB的发火时间无显著性变化。因此,TVS二极管既能不影响SCB的正常发火性能,又能有效提高SCB的静电安全性。

TVS二极管HEMP响应特性统计分析

针对瞬态电压抑制(TVS)二极管对高空核爆炸产生的电磁脉冲(HEMP)的防护问题,研究了不同类型脉冲传导注入至被测电路,分别测得了限幅电压、损伤阈值电压、损毁阈值电压和损毁阈值电流,计算出了不同类型脉冲作用下损伤概率和损毁概率。结果表明被测电路受到了注入脉冲次数累积效应的影响,脉冲次数越多,其阈值电压和阈值电流会越低。研究结果为微电子设备的电磁脉冲防护及HEMP防护中的器件选择提供了参考。

TVS二极管性能优化指南

瞬态电压抑制器（TVS）二极管是一种保护敏感电子器件免受ESD和EMI浪涌脉冲的有效低成本选择。本文将提供TVS二极管浪涌最大抑制的PCB布局指南。同时将举例说明在不同电路配置中如何取舍TVS二极管。

TVS二极管的应用

1.TVS二极管的介绍:TVS是由硅通过扩散工艺形成P-N结的半导体二极管器件,包含有齐讷击穿(低压)和雪崩击穿(高压)击穿机制。主要用来在极短的时间内(约1p秒=1×10^(-12)秒)吸收过压,大功率冲脉的冲击而将电压箝位在一定的范围内以保护别的元器件免受冲击。TVS有两种类形:一种是单向的TVS(Unidirectional)符号表示为(?),用来保护直流电压,它的阴极应接在电压的正端;另一种是双向TVS(Bi-directional)符号表示为(?),它等同于由两只单向TVS反向串接而成,在使用时可以不考虑电压的正和负端。

罗姆半导体RASMID产品阵容新增TVS二极管

日前,罗姆半导体宣布面向市场日益扩大的智能手机和可穿戴式设备等,开发出01005尺寸（0.4 mm×0.2mm）业界最小级别的TVS二极管＂VS3V3BxxFS系列＂。此次开发的新产品是罗姆半导体世界最小元器件＂RASMID系列＂中的一个系列。与以往的0201尺寸（0.6 mm×0.3mm）相比,面积缩减了56%,体积缩减了81%,实现了业界最小级尺寸,有助于智能手机等的更高密度安装。

Littelfuse推出超低电容TVS二极管阵列，提供优于其他解决方案的箝位性能和ESD保护

北京，2014年12月9日讯-Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业，宣布推出SP3022系列低电容ESD保护TVS二极管阵列（SPA二极管）。这些强健的0．35pF、20kV双向（背对背）离散式Tvs二极管可以在不降低性能的情况下，安全吸收高于IEC61000—4—2国际标准最高等级的反复性ESD放电。存在交流信号时，SP3022系列背对背配置可为数据线提供对称ESD保护。

罗姆RASMID产品阵容新增TVS二极管

近年来，随着智能手机、平板电脑等各种设备的高性能化发展，市场对于元器件的要求趋向小型化、薄型化以及高精度、高可靠性。最近可穿戴终端兴起，对小型化、薄型化的要求日益高涨。ROHM在此前发挥独创的微细化技术，积极推进元器件的小型化技术革新，已成功开发出电阻器、晶体管、二极管、钽电容、LED等世界最小尺寸产品。

恩智浦推出采用新型FlatPower封装的TVS二极管

恩智浦半导体（NXP Semiconductors，由飞利浦创建的独立半导体公司）日前推出新系列瞬时电压抑制器（TVS）二极管，新系列产品采用新型的SOD123W FlatPower封装。该系列二极管提供400W额定峰值脉冲功率00／1000μs），单位PCB面积的浪涌能力约为67W／mm^2，是市场上采用类似封装的TvS产品浪涌能力的2倍以上。

高浪涌能力FlatPower封装的TVS二极管

SOD123WTVS器件采用新型的SOD123W FlatPower封装。该系二极管提供400W额定峰值脉冲功率（10／1000uS），单位PCB面积的浪涌能力约为67w／mm^2。该二极管旨在保护电压敏感元件免受瞬时电压影响，适合电源、数据或信号线路、医疗设备及电信电路等各种电子应用。它符合苛刻的AEC-Q101标准，

高浪涌能力FlatPower封装的TVS二极管

SOD123WTVS器件采用新型的SOD123W FlatPower封装。该系列二极管提供400W额定峰值脉冲功率（10／1000μs），单位PCB面积的浪涌能力约为67W／mm2。该二极管旨在保护电压敏感元件免受瞬时电压影响，适合电源、数据或信号线路、医疗设备及电信电路等各种电子应用。它符合苛刻的AEC-Q101标准，可以用于所有汽车电子和工业应用。

超小封装600W TVS二极管

该系列产品采用2引脚FlatPower SOD128封装（3.8mm×2.5mm×1mm）,是业界首个采用小型塑料SMD封装并提供600W额定峰值脉冲功率（10/1000μs）的TVS（Transient Voltage Suppressor，瞬变电压抑制）二极管。这种SOD128 FlatPower封装兼容SMB引脚，可与市场上已有的TVS二极管1：1替换。SOD128不含卤化物和锑氧化物，符合非易燃性分类规范UL 94V—0和RoHS标准。

ESD3V3S1．B：TVS二极管

英飞凌科技推出一系列可用于改善静电防护性能的TVS（瞬态电压抑制）二极管。静电放电（ESD）可能对敏感的消费电子系统造成损害。新±3．3V双向二极管系列拥有行业领先的箝位电压和静电吸收率，可以防止电尖峰脉冲对系统的音频输入端口或触屏接口电路等部位造成冲击。

恩智浦扩展FlatPower TVS二极管产品线

恩智浦半导体（NXP Semiconductors）宣布推出35个采用2引脚FlatPower SOD128封装（3．8mm×2．5mm×1mm）的TVS新产品，进一步丰富了瞬变电压抑制（TVS，Transient VoltageSuppressor）二极管的产品组合。恩智浦是业界首个采用这种小型塑料SMD封装来提供600W额定峰值脉冲功率（10／1000μs）TVS二极管的厂商。

瞬态电压抑制（TVS）二极管及其应用

瞬态电压抑制（ＴＶＳ）二极管及其应用段景汉１、ＴＶＳ二极管简介本文以ＰＲＯＴＥＫ公司提供的５ＫＷ系列硅瞬态电压抑制（ＴＶＳ）二极管为例，介绍这类器件的主要特性。利用这种器件可以避免过高的瞬态电压对电压敏感元件造成损坏。ＴＶＳ二极管是一种硅ＰＮ结器件，...

TVS瞬态二极管的防雷应用

本文叙述TVS瞬态二极管在调频广播发射机的防雷应用。由于TVS瞬态二极管是一种二极管形式的高效能保护器件,所以当TVS二极管的两极受到雷电的瞬态高能量冲击时,它能以10-12s的速度,将其两极间的高阻抗变为低阻抗,吸收高达数kW的浪涌功率,使两极间的电压箝位于一个预定值,有效地保护电子线路中的元器件,免受各种浪涌脉冲的损坏。加接TVS二极管后,使调频广播发射机的抗雷电能力得到有效提高。

TVS瞬态二极管在全固态调频广播发射机中的应用

本文作者通过实践与理论相结合，对TVS瞬问二极管在全固态调频广播发射机中的应用展开论述，并对防雷工作提出建议。

热插拔电路的TVS钳位

本文探讨了在线卡输入端使用TVS二极管钳位的理由。作者利用典型系统的实验测量得出的瞬态电压波形为基础研究提供了关键参数,并介绍了选择系统保护元件的主要步骤。热插拔电路保护下一代高性能刀片服务器、数据中心、存储和通信基础设施系统使用的电源系统让人们感觉到一种需求——对速度的需求!具体来说,不断提高的处理器时钟速率和数据吞吐量的长期趋势显而易见。

TVS选型设计指导

TVS(Transient Voltage Suppressor,瞬态抑制二极管)主要用于电路中进行瞬态防护作用。目前关于TVS的介绍和使用的资料文档很多,但对TVS一些参数的理解存在模糊和偏差,在实际应用中出现选型不当的现象。此篇文档侧重点是清晰一些参数概念,给出正确的解释和实际选型设计实例,供硬件开发从业者和器件厂家参考。

ESD102-U1-02ELS等：TVS器件

英飞凌科技股份公司推出一系列可为移动电子系统提供一流静电释放（ESD）保护的瞬态电压抑制（TVS）器件。ESD102TVS二极管和阵列器件具备非常低的动念电阻（Rdyn=0．19Q）和超低电择（C=0．4pF），可使给程师满足新一代智能手机和平板电脑高速接口住设计强健性和信号质蹬方面的严格要求。英飞凌推出了多种TVS二极管和阵列，用于大限度降低各类计算和通信系统应用的短路风险。