TVS瞬态二极管在SPECT探测器系统中的运用分析

以瞬态干扰为切入点分析瞬态电压抑制器(Transient Voltage Suppressors,TVS)瞬态二极管的实际应用,在明确TVS瞬态二极管主要参数的基础上,结合单光子发射计算机断层成像术(Single Photon Emission Computed Tomography,SPECT)探测器系统展开应用实践分析,探索SPECT探测器系统中TVS瞬态二极管的应用场景。在应用分析期间,发现TVS瞬态二极管在电路保护方面具有显著优势,故以TVS瞬态二极管为支撑设计应用模块,合理选用TVS瞬态二极管并进行保护电路设计,完成设计运用后,发现TVS瞬态二极管在SPECT探测器系统中表现出了优异性能作用。

瞬态电压抑制二极管TVS及其应用

箝位型二极管(TVS)是目前被广泛应用的瞬态电压抑制二极管。TVS在反向应用条件下,感受到高瞬态能量时能迅速由原来的高阻抗变到很低的导通值,把电压箝位到预定电压,从而有效地消除对敏感系统设备、元件的危害。双向性TVS可正负方向吸收瞬时脉冲大电流,把电压箝位到预定值。TVS可用于防雷击、防过电压、抗干扰、吸收浪涌功率等,是一种理想的保护器件。

TVS瞬态电压抑制二极管及其应用

就雷电瞬时过电压对于精密电子装置的功能影响所造成的干扰与损坏等情况,借助对于瞬态抑制二极管的理念展开研究,并针对10种不同的启动电压的瞬态抑制二极管展开对应的雷电模拟冲击检测,借助示波器搜集残压以及其通流的信息,运算得到瞬态抑制二极管的残压比例。

瞬态抑制二极管(TVS)的基本知识

二极管是大家熟悉的元件,但瞬态抑制二极管就可能不太熟悉了。本文将介绍这种特殊二极管的用途、工作原理等基本知识。各种电子设备中的各种半导体器件,一般都在直流低电压范围工作,如果在电源中窜入一个瞬间上百伏甚至上千伏的高电压脉冲,就有可能将电路中的半导体器件击穿。例如,人体往往带有静电,放电时的电压脉冲可达几百伏到上千伏。瞬态抑制二极管可用来保护电路,不使这种瞬态高压脉冲损坏半导体器件。

TVS瞬态干扰抑制器性能与应用

本文阐述了电子设备瞬态干扰产生的机理,介绍了TVS瞬态干扰抑制器件的工作原理、特性参数及在电子设备中的设计应用。

TI基于4通道瞬态电压抑制器(TVS)的静电放电(ESD)保护二极管阵列TPD4S012

概述TPD4S012是一个面向USB充电器和USB On-The-Go(OTG)接口、基于4通道瞬态电压抑制器(TVS)的静电放电(ESD)保护二极管阵列。TPD4S012提供了IEC61000-4-2系统级ESD保护,VBUS线路的容差为15V。因为VBUS线路具有高压容差和采用了小型流通封装,所以该器件是为USB充电器和OTG应用提供电路保护的理想之选。

TVS瞬态二极管的防雷应用

本文叙述TVS瞬态二极管在调频广播发射机的防雷应用。由于TVS瞬态二极管是一种二极管形式的高效能保护器件,所以当TVS二极管的两极受到雷电的瞬态高能量冲击时,它能以10-12s的速度,将其两极间的高阻抗变为低阻抗,吸收高达数kW的浪涌功率,使两极间的电压箝位于一个预定值,有效地保护电子线路中的元器件,免受各种浪涌脉冲的损坏。加接TVS二极管后,使调频广播发射机的抗雷电能力得到有效提高。

瞬态电压抑制器TVS的特性及应用

瞬态电压抑制器(TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR)简称TVS,是一种二极管形式的高效能保护器件。有的文献上也称为TVP、AJTVS、SAJTVS等。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时,它能以10^(-12)秒量级的速度,将其两极间的高阻抗变为低阻抗,吸收高达数千瓦的浪涌功率,使两极间的电压箝位于一个预定值,有效地保护电子线路中的精密元器件,免受各种浪涌脉冲的损坏。由于它具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差小、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点,目前已广泛应用于计锋机系统、通讯设备、电源、家用电器等各个领域。总之,瞬态电压抑制器TVS二极管在各种电路的应用是极为广泛的,有以下三大效用:

瞬态抑制二极管电磁脉冲响应建模

针对目前浪涌保护器件性能分析方法不完善、缺乏准确数学模型的问题,提出了一种基于NARX神经网络的电磁脉冲响应时域建模方法,并给出NARX神经网络建模的理论基础及设计步骤。通过组建传输线脉冲测试平台及静电放电实验平台,对NUP2105L型瞬态抑制二极管进行注入实验,采集输入输出实验数据并建立NARX神经网络模型。对建模效果进行分析,所建模型可以较为准确地预测输入脉冲为方波脉冲、人体金属模型及机器模型静电放电电磁脉冲时,响应电压曲线趋势、响应时间、脉冲峰值、箝位时间及箝位电压等性能指标,验证了模型的正确性。

瞬态电压抑制器(TVS)及其应用

介绍瞬态电压抑制器———ＴＶＳ的特性和典型应用。

瞬态电压抑制二极管对半导体桥换能元电爆特性影响的模拟

为了解决瞬态电压抑制二极管(TVS)用于半导体桥火工品抗静电设计的参数优化问题,采用电路模拟和试验相结合的方法,构建了电容放电发火测试电路等效模型和半导体桥PSpice电子器件模型,研究了TVS参数对半导体桥换能元电爆特性的影响。结果表明,当钽电容等效串联电阻为288mΩ,钽电容等效串联电感为0.68μH,导线电感为40nH和回路电阻为3.3mΩ时,22μF/16V电容放电发火电路的等效电路模型和实际吻合。以阻抗-能量列表模型的方式创建的半导体桥PSpice电子器件模型模拟曲线和实际曲线吻合,且模拟电爆数据偏差小于3%。模拟和试验结果表明,TVS对半导体桥电爆性能的影响程度随着其击穿电压的升高而降低。当TVS的击穿电压在8~12V之间时,即使TVS击穿电压低于半导体桥发火电压,半导体桥仍能正常爆发,TVS击穿造成的分流导致半导体桥爆发延迟(2μs),且延迟时间随着TVS击穿电压的降低而延长。

TVS瞬态二极管在全固态调频广播发射机中的应用

本文作者通过实践与理论相结合，对TVS瞬问二极管在全固态调频广播发射机中的应用展开论述，并对防雷工作提出建议。

特瑞仕开发出二款瞬态电压抑制器TVS

特瑞仕半导体开发了用于保护电子仪器免受静电损害的瞬态电压抑制器。特瑞仕为了充实产品阵容，推出能起到保护便携式仪器、电子仪器免受由静电带来的过电压损害的瞬态电压抑制器，目前已开始量产与销售。配合各种用途备有搭载了2个素子的XBP06V4E2HR—G、搭载了4个素子的XBP06V4E4GR—G两种型号的产品。

浅析用二极管抑制电磁继电器线圈瞬态电压的几种电路

电磁继电器线圈在去激励过程中会产生的瞬态电压,若不对其进行有效抑制,会对电磁继电器输入电路造成损伤或损坏。全文对电磁继电器瞬态电压产生的机理、抑制瞬态电压常用的二极管及几种二极管抑制电路进行了介绍、分析、仿真和试验验证,阐述了每个电路的优缺点。

瞬态电压抑制二极管的概述和展望

文中基于推进我国瞬态电压抑制二极管(TVS)自主研发能力的目的,通过调研TVS的发展历程及近年的研究热点,综述了TVS的制备工艺和主要结构。同时,介绍了TVS的工作机制和主要参数,并重点描述了近年来国际上TVS在低压低电容和低漏电流方面所取得的理论和技术突破。最后提出了TVS的低压集成化等发展趋势。

利用瞬态抑制二极管实现高性能稳压电源

在稳压电源设计中 ,如何实现高严酷等级的高速脉冲群抑制能力是一个长期以来难以克服的实际问题 .本文根据实际设计经验 ,介绍一种简单实用的设计方案 .该方案利用瞬态抑制二极管的快速泄放特性 ,大大地提供了高速脉冲群抑制能力 .实际测试和应用表明 。

瞬态电压抑制二极管在电路中的应用

主要对瞬态电压抑制二极管作了简单介绍,并给出了一些在电路中的实例及它的选用原则。

瞬态抑制二极管在车辆仪表中的应用

阐述了车辆干扰产生的机理,瞬态抑制二极管的工作原理、特性参数,以及在车辆仪表中的应用。

Littelfuse推出瞬态抑制二极管阵列

2015年3月17日,Littelfuse公司宣布推出了SLVU2.8-8系列2.8 V、30 A瞬态抑制二极管阵列（SPA二极管）,该产品专为保护低压CMOS设备免受ESD及雷击瞬态电压损害而设计。与市场同类解决方案相比,SLVU2.8-8系列能够为电路设计人员提供高出25%的电源处理能力,具有更高的电气安全系数。它还具有比其它解决方案低57%的电容,有助于保持信号完整性,并将数据丢失率降至最低。

Littelfuse公司推出低电容型瞬态抑制二极管阵列

Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业,2014年8月其推出了低电容型SP2574NUTG瞬态抑制二极管阵列（SPA二极管）,旨在保护高速差分数据线免受因静电放电（ESD）、电缆放电（CDE）、电气快速瞬变（EFT）和雷击感应浪涌造成的损害。SP2574NUTG来自SP2574N系列瞬态抑制二极管阵列,