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CMOS图像传感器像素区离子注入角度与图像延迟关系的研究
1
作者
王劲松
牛健
田三河
《现代信息科技》
2017年第1期89-90,共2页
图像延迟是CMOS图像传感器产品的一个非常重要的评估参数。在像素隔离区域中,不同的离子注入角度会对电路中TX器件(传输门晶体管)的电性参数造成影响,并将会导致产品图像的延迟。由于批量高能离子注入机台椎体效应会导致在同一片晶圆之...
图像延迟是CMOS图像传感器产品的一个非常重要的评估参数。在像素隔离区域中,不同的离子注入角度会对电路中TX器件(传输门晶体管)的电性参数造成影响,并将会导致产品图像的延迟。由于批量高能离子注入机台椎体效应会导致在同一片晶圆之内离子注入角度的不同,本文通过针对像素隔离区域不同的离子注入角度对图像延迟的关系进行研究,优化了离子注入的角度均匀性,改善在同一片晶圆之内图像延迟的一致性。
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关键词
图像延迟
tx
器件(传输门晶体管)
离子注入角度
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职称材料
题名
CMOS图像传感器像素区离子注入角度与图像延迟关系的研究
1
作者
王劲松
牛健
田三河
机构
中芯国际集成电路制造(天津)有限公司
出处
《现代信息科技》
2017年第1期89-90,共2页
基金
广东省德育专项"高职院校思想政治理论课微课新媒体平台开发与实践研究"(2016JKDY25)
2017年广东省教育科学十三五规划项目(德育专项)
+4 种基金
"区域(学校)德育品牌研究--信息化管理推进全员德育实施探讨(2017JKDY36)
2017年大学生科技创新基金项目<大型建筑延时纪录片的拍摄与制作--以广州科技职业技术学院图书馆建设为例>(CX2017003)
2017年教育部项目<民办高校
独立学院
中外合作办学高校思想政治理论课建设研究>(17JDSZK014)
文摘
图像延迟是CMOS图像传感器产品的一个非常重要的评估参数。在像素隔离区域中,不同的离子注入角度会对电路中TX器件(传输门晶体管)的电性参数造成影响,并将会导致产品图像的延迟。由于批量高能离子注入机台椎体效应会导致在同一片晶圆之内离子注入角度的不同,本文通过针对像素隔离区域不同的离子注入角度对图像延迟的关系进行研究,优化了离子注入的角度均匀性,改善在同一片晶圆之内图像延迟的一致性。
关键词
图像延迟
tx
器件(传输门晶体管)
离子注入角度
Keywords
image delay
tx
devices
(
transmission
gate
transistors
)
ion implantation angle
分类号
TP212.1 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
作者
出处
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被引量
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1
CMOS图像传感器像素区离子注入角度与图像延迟关系的研究
王劲松
牛健
田三河
《现代信息科技》
2017
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