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Ta,Ta/Cu缓冲层对NiFe/FeMn双层膜交换偏置场的影响 被引量:15
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作者 李明华 于广华 +2 位作者 姜宏伟 蔡建旺 朱逢吾 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第11期2230-2234,共5页
采用磁控溅射方法制备了分别以Ta和Ta Cu作为缓冲层的一系列NiFe FeMn双层膜 .实验发现 ,以Ta为缓冲层的NiFe FeMn双层膜的交换偏置场比以Ta Cu为缓冲层的NiFe FeMn双层膜的交换偏置场大 .测量了这两种双层膜的织构、表面粗糙度和表面成... 采用磁控溅射方法制备了分别以Ta和Ta Cu作为缓冲层的一系列NiFe FeMn双层膜 .实验发现 ,以Ta为缓冲层的NiFe FeMn双层膜的交换偏置场比以Ta Cu为缓冲层的NiFe FeMn双层膜的交换偏置场大 .测量了这两种双层膜的织构、表面粗糙度和表面成分 .结果表明 ,以Ta Cu为缓冲层时 ,Cu在NiFe层的上表面偏聚是造成NiFe FeMn双层膜交换偏置场降低的重要原因 . 展开更多
关键词 交换偏置场 织构 表面粗糙度 ta ta/cu 缓冲层 NiFe/FeMn双层膜 上表面偏聚
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粉末装管法高临界电流密度MgB_2/Ta/Cu线材 被引量:2
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作者 冯勇 周廉 +4 位作者 刘向宏 纪平 张平祥 赵勇 孙玉平 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第21期1846-1847,共2页
利用粉末装管法制备出致密的MgB2/Ta/Cu线材,通过超导量子干涉器件(SQUID)磁强计测量了样品的磁化曲线.结果表明,MgB2线材的转变温度为38.4K,转变宽度很窄,仅为0.6K,MgB2/Ta/Cu线具有很强的磁通钉扎能力,在5K下的不可逆场达到6.6T,临... 利用粉末装管法制备出致密的MgB2/Ta/Cu线材,通过超导量子干涉器件(SQUID)磁强计测量了样品的磁化曲线.结果表明,MgB2线材的转变温度为38.4K,转变宽度很窄,仅为0.6K,MgB2/Ta/Cu线具有很强的磁通钉扎能力,在5K下的不可逆场达到6.6T,临界电流密度高于105A·cm-2(5K,自场)和104A·cm-2(20K,1T). 展开更多
关键词 临界电流 粉末装管法 MgB2/ta/cu线材 硼化镁 转变温度 超导体 磁化曲线
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Ta/Cu真空扩散焊工艺及界面研究(英文) 被引量:1
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作者 周方明 张富强 +2 位作者 宋飞远 李桂鹏 同雷 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期1785-1789,共5页
研究了工艺参数对Ta/Cu真空扩散焊的影响。利用扫描电镜(SEM)、能谱分析(EDS)、显微硬度等测试方法对结合面微区进行了分析。结果表明:采用真空扩散焊工艺,在焊接压力为10 MPa及焊接时间为60 min的工艺参数下,界面孔洞随着焊接温度的升... 研究了工艺参数对Ta/Cu真空扩散焊的影响。利用扫描电镜(SEM)、能谱分析(EDS)、显微硬度等测试方法对结合面微区进行了分析。结果表明:采用真空扩散焊工艺,在焊接压力为10 MPa及焊接时间为60 min的工艺参数下,界面孔洞随着焊接温度的升高而减少,在焊接温度达到1000°C时,结合面内孔洞基本消失,结合面扩散区域宽度为3~5μm;加工硬化导致硬度升高,焊合区的硬度值要比未焊合区的硬度值稍高。 展开更多
关键词 真空扩散焊 结合界面 显微硬度 剪切强度
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Cu/Ta/SiO2/Si薄膜在纳米压痕下的分层现象研究 被引量:1
4
作者 吴子景 吴晓京 +2 位作者 卢茜 Shen Weidian 蒋宾 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第9期787-790,共4页
采用磁控溅射技术在热氧化单晶硅衬底上先后淀积了厚度分别为50 nm的Ta膜和400 nm的Cu膜。使用纳米压入仪在样品表面进行压入测试,在薄膜表面制造出残留压痕。使用扫描电镜(SEM)、聚焦离子束(FIB)、透射电镜(TEM)和X射线能谱仪(EDX)对... 采用磁控溅射技术在热氧化单晶硅衬底上先后淀积了厚度分别为50 nm的Ta膜和400 nm的Cu膜。使用纳米压入仪在样品表面进行压入测试,在薄膜表面制造出残留压痕。使用扫描电镜(SEM)、聚焦离子束(FIB)、透射电镜(TEM)和X射线能谱仪(EDX)对残留压痕形貌、剖面上的分层现象进行观察,确定分层所在的位置。发现在69 mN的最大载荷作用后,在Ta/SiO2界面处发生分层。分层的原因主要归结为在应力作用下,多层膜中各种材料的应变、弹性恢复能力不同。 展开更多
关键词 cu/ta薄膜 纳米压痕 分层
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FA/O精抛液组分对Cu/Ta CMP去除速率的影响 被引量:2
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作者 胡轶 何彦刚 +1 位作者 岳红维 刘玉岭 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期436-440,472,共6页
研究了精抛液中各组分对Cu/Ta去除速率的影响。在分别考察磨料质量分数、Ⅱ型螯合剂、活性剂和双氧水等各组分对Cu/Ta去除速率的影响后,研发了磨料质量分数为2%,Ⅱ型螯合剂体积分数为0.35%,活性剂体积分数为2%,H2O2体积分数为2%的FA/O... 研究了精抛液中各组分对Cu/Ta去除速率的影响。在分别考察磨料质量分数、Ⅱ型螯合剂、活性剂和双氧水等各组分对Cu/Ta去除速率的影响后,研发了磨料质量分数为2%,Ⅱ型螯合剂体积分数为0.35%,活性剂体积分数为2%,H2O2体积分数为2%的FA/O精抛液。并在MIT854布线片上进行了精抛测试。结果显示,精抛12 s之后,100-100线条处高低差从精抛前的76.7 nm降低为63.2 nm,而50-50线条处高低差从精抛前的61.3 nm降低为59.8 nm。并且,经过FA/O精抛液精抛后粗抛后产生的尖峰也有所减小,台阶趋于平坦。精抛后,100-100和50-50处的高低差均小于70 nm,能够达到产业化指标。 展开更多
关键词 化学机械平坦化 精抛 FA/O精抛液 cu/ta 去除速率
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碱性抛光液中螯合剂对Cu/Ta电偶腐蚀的影响(英文) 被引量:1
6
作者 李月 王胜利 +2 位作者 王辰伟 李祥州 刘玉岭 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第3期194-201,共8页
铜钽(Cu/Ta)界面在化学机械抛光(CMP)中易发生电偶腐蚀。研究了碱性抛光液中螯合剂对铜钽开路电位以及抛光速率的影响。利用静态与动态下的电化学方法,分别测得开路电压和动电位极化曲线,表征了铜钽分别在不同螯合剂体积分数的抛光液中... 铜钽(Cu/Ta)界面在化学机械抛光(CMP)中易发生电偶腐蚀。研究了碱性抛光液中螯合剂对铜钽开路电位以及抛光速率的影响。利用静态与动态下的电化学方法,分别测得开路电压和动电位极化曲线,表征了铜钽分别在不同螯合剂体积分数的抛光液中的化学反应速率。CMP结果表明,随着螯合剂体积分数的增加,铜的去除速率不断增加,而钽的去除速率先增加后降低。同时,通过静态腐蚀实验和表面状态表明,随螯合剂体积分数增加,铜表面络合反应加快,而钽表面钝化加重。当螯合剂的体积分数为0.2%时,在动态情况下,铜钽之间腐蚀电位差降到0mV,表明螯合剂可以极大地降低Cu/Ta电偶腐蚀。 展开更多
关键词 电偶腐蚀 化学机械抛光(CMP) 螯合剂
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用于Cu互连的Ta/Ti-Al集成薄膜的结构和阻挡性能 被引量:2
7
作者 任国强 邢金柱 +4 位作者 李晓红 郭建新 代秀红 杨保柱 赵庆勋 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期462-464,共3页
应用射频磁控溅射法在(001)Si衬底上制备了Cu(120nm)/Ta(5nm)/Ti-Al(5nm)/Si异质结,借助原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)和四探针测试仪(FPP)等方法研究了Ta(5nm)/Ti-Al(5nm)集成薄膜用作Cu和Si之间阻挡层的结构和性能。研究发现,Cu/... 应用射频磁控溅射法在(001)Si衬底上制备了Cu(120nm)/Ta(5nm)/Ti-Al(5nm)/Si异质结,借助原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)和四探针测试仪(FPP)等方法研究了Ta(5nm)/Ti-Al(5nm)集成薄膜用作Cu和Si之间阻挡层的结构和性能。研究发现,Cu/Ta/Ti-Al/Si异质结即使经受850℃高温退火后,样品的XRD图中也没有出现杂峰,表明样品各层之间没有发生明显的化学反应。相对于800℃退火的样品,850℃退火样品的表面均方根粗糙度急剧增大,同时方块电阻也增加了一个数量级,表明Ta(5nm)/Ti-Al(5nm)集成薄膜在850℃时,阻挡性能完全失效。由于Ta和Cu之间存在良好粘附性以及Ti-Al强的化学稳定性,Ta(5nm)/Ti-Al(5nm)集成薄膜在800℃以下具有良好的阻挡性能。 展开更多
关键词 cu互连 阻挡层 ta/Ti-Al 射频磁控溅射
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Y、Ta、Cr元素对Ni-10%Cu-10%Fe-10%Al合金在850℃冰晶石熔盐气氛中热腐蚀行为的影响 被引量:2
8
作者 李彬 罗兵辉 +2 位作者 占戈 周科朝 柏振海 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期2246-2252,共7页
通过真空铸造得到Ni-10%Fe-10%Al-10%Cu(质量分数)及分别添加0.8%Y、5.3%Ta和13.6%Cr(质量分数)的Ni-Fe-Al-Cu-X(X:Y或Ta或Cr)4种合金,采用熔盐腐蚀实验及SEM,XRD及EDX测试研究各合金在850℃静态冰晶石熔盐气氛中的腐蚀行为。结果表明:... 通过真空铸造得到Ni-10%Fe-10%Al-10%Cu(质量分数)及分别添加0.8%Y、5.3%Ta和13.6%Cr(质量分数)的Ni-Fe-Al-Cu-X(X:Y或Ta或Cr)4种合金,采用熔盐腐蚀实验及SEM,XRD及EDX测试研究各合金在850℃静态冰晶石熔盐气氛中的腐蚀行为。结果表明:在850℃冰晶石熔盐气氛中,Ni-10%Fe-10%Al-10%Cu合金表面形成的氧化物保护膜;由于氧的聚集、扩散,并在熔盐/氧化膜界面处发生O2+2e=2O2还原反应,而生成的O2与MeO反应生成MeO22,致使NiO和Al2O3等氧化物层疏松、多孔、易剥落;另外,氧化物保护膜也被熔盐挥发的氟化物通过物理化学作用而溶解,形成坑洞,腐蚀层呈现层叠状;添加0.8%Y和5.3%Ta可净化合金晶界,使腐蚀层中氧化产物更致密,提高合金抗冰晶石熔盐气氛腐蚀性能;添加13.6%Cr的Ni-10%Fe-10%Al-10%Cu合金,其腐蚀层形成Cr2O3及NiCr2O4冰晶石结构的化合物,降低其他氧化物的活度,提高氧化膜的保护作用,该合金抗冰晶石熔盐气氛腐蚀性能最好。 展开更多
关键词 Ni-Fe-Al-cu合金 冰晶石熔盐气氛 Y ta Cr
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压应力作用下Cu-Ta非晶薄膜表面纳米晶化的可能机制
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作者 曾飞 李晓伟 +2 位作者 高阳 李凌 潘峰 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期747-751,共5页
用磁控溅射技术制备了Cu-Ta合金非晶薄膜,并采用扫描电子显微镜研究了压应力导致非晶薄膜表面形变和纳米晶化现象。结果表明:在纳米压头的作用下,非晶薄膜表面压痕的锯齿流边沿处形成了纳米级颗粒(纳米晶化)结构,且压痕外沿的颗粒尺寸... 用磁控溅射技术制备了Cu-Ta合金非晶薄膜,并采用扫描电子显微镜研究了压应力导致非晶薄膜表面形变和纳米晶化现象。结果表明:在纳米压头的作用下,非晶薄膜表面压痕的锯齿流边沿处形成了纳米级颗粒(纳米晶化)结构,且压痕外沿的颗粒尺寸大于内沿的颗粒尺寸。导致上述微观结构变化的主要原因可能是非晶自由体积流变膨胀过程中,压头的压应力使材料内部自由体积发生移动,在非晶基体中汇集成一些空位或气团,纳米晶粒在这些空位或气团处形核并长大;当气团积累到一定体积发生爆裂,导致屈服变形,纳米晶粒被挤到压痕锯齿流的前沿。 展开更多
关键词 cuta非晶薄膜 纳米压痕 纳米晶化
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Cu互连中Ta-Si-N/Zr阻挡层热稳定性的研究 被引量:2
10
作者 丁明惠 毛永军 +2 位作者 王本力 盖登宇 郑玉峰 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期993-996,共4页
用射频反应磁控溅射的方法在Si(100)衬底和Cu膜间制备Ta-Si-N(10nm)/Zr(20nm)双层结构的扩散阻挡层。Cu/Ta-Si-N/Zr/Si样品在高纯氮气的保护下从600至800℃退火1h。通过四探针电阻测试仪(FPP)、SEM、XRD和AES研究Cu/Ta-Si-N/Zr/Si系统... 用射频反应磁控溅射的方法在Si(100)衬底和Cu膜间制备Ta-Si-N(10nm)/Zr(20nm)双层结构的扩散阻挡层。Cu/Ta-Si-N/Zr/Si样品在高纯氮气的保护下从600至800℃退火1h。通过四探针电阻测试仪(FPP)、SEM、XRD和AES研究Cu/Ta-Si-N/Zr/Si系统在退火过程中的热稳定性。结果表明:沉积到Zr膜上的Ta-Si-N表面平坦,为典型的非晶态结构;Cu/Ta-Si-N/Zr/Si样品650℃以上退火后Zr原子扩散到Si中形成的ZrSi2能有效地降低Ta-Si-N与Si之间的接触电阻;Ta-Si-N/Zr阻挡层750℃退火后仍能有效地阻止Cu的扩散。 展开更多
关键词 ta-Si-N/Zr 扩散阻挡层 cu互连 射频反应磁控溅射
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Cu/Ta/SiO2/Si多层膜纳米压痕与压痕下微观结构的研究
11
作者 卢茜 吴子景 +2 位作者 吴晓京 Weidian Shen 蒋宾 《电子显微学报》 CAS CSCD 2008年第4期282-286,共5页
Cu/Ta/SiO2/Si多层膜结构是目前集成电路制造工艺中的常见结构,其硬度与弹性模量通过纳米压入技术测得。为了表征纳米压痕下的形变微观区域,采用聚焦离子束加工出压痕截面,同时进行扫描电子、扫描离子显微观察,发现样品衬底发生开裂,多... Cu/Ta/SiO2/Si多层膜结构是目前集成电路制造工艺中的常见结构,其硬度与弹性模量通过纳米压入技术测得。为了表征纳米压痕下的形变微观区域,采用聚焦离子束加工出压痕截面,同时进行扫描电子、扫描离子显微观察,发现样品衬底发生开裂,多层膜结构出现分层现象。TEM分析表明分层出现在Ta/SiO2界面,说明这是该结构的一个薄弱环节。 展开更多
关键词 cu/ta/SiO2/Si多层膜结构 纳米压入技术 压痕下微观结构
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基于正交实验法的Cu/Ta/TEOS碱性抛光液的优化 被引量:5
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作者 徐奕 刘玉岭 +1 位作者 王辰伟 马腾达 《微纳电子技术》 北大核心 2019年第2期157-166,共10页
研究了碱性阻挡层抛光液中各组分对Cu、Ta和正硅酸乙酯(TEOS)去除速率的影响。通过单因素实验分别考察了磨料、FA/OⅡ螯合剂、KNO3和FA/OⅡ表面活性剂质量分数和H2O2体积分数对Cu、Ta和TEOS去除速率的影响,再结合正交实验研发了磨料质... 研究了碱性阻挡层抛光液中各组分对Cu、Ta和正硅酸乙酯(TEOS)去除速率的影响。通过单因素实验分别考察了磨料、FA/OⅡ螯合剂、KNO3和FA/OⅡ表面活性剂质量分数和H2O2体积分数对Cu、Ta和TEOS去除速率的影响,再结合正交实验研发了磨料质量分数为20%、FA/OⅡ螯合剂质量分数为2%、H2O2体积分数为0.1%,KNO3质量分数为1.5%、FA/OⅡ表面活性剂质量分数为2%的碱性阻挡层抛光液,该抛光液的Cu、Ta和TEOS的去除速率选择比为1∶1.47∶1.65。对4片12英寸(1英寸=2.54 cm)65 nm铜互连图形片的M4层进行阻挡层抛光,结果显示,铜沟槽内剩余铜膜厚度约为300 nm (目标值),图形片表面缺陷数目在10颗左右,碟形坑和蚀坑深度分别由52.3 nm和40 nm降至19.9 nm和18.4 nm,铜的表面粗糙度由4.4 nm降至1.9 nm。 展开更多
关键词 cu/ta/TEOS 去除速率 碱性阻挡层 抛光液 单因素实验 正交试验
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(Zr-Cu-Al-Dy)-Ta非晶/结晶复合材料及其力学性能 被引量:2
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作者 田昂峰 马朝利 张涛 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第A04期741-744,共4页
在Zr-Cu-Al-Dy合金中添加难熔金属Ta,利用铜模铸造法制备出Zr基非晶/结晶复合材料。复合材料的形成过程可描述如下:在凝固过程中,熔体中首先析出富Ta固溶体,剩余熔体的成分逐渐接近原始非晶合金成分,且非晶形成能力随着富Ta固溶体的析... 在Zr-Cu-Al-Dy合金中添加难熔金属Ta,利用铜模铸造法制备出Zr基非晶/结晶复合材料。复合材料的形成过程可描述如下:在凝固过程中,熔体中首先析出富Ta固溶体,剩余熔体的成分逐渐接近原始非晶合金成分,且非晶形成能力随着富Ta固溶体的析出而提高,最终形成非晶基体。富Ta固溶体多呈树枝晶状分布于非晶基体中,多数树枝晶状的固溶体尺寸大于10μm,远大于剪切带的平均厚度(约10~20nm)。压缩试验结果:非晶/结晶复合材料的宏观塑性变形量从几乎为零提高到13.5%,断裂强度也从1850MPa提高到2050MPa。 展开更多
关键词 Zr-cu-Al-Dy合金 非晶/结晶复合材料 断裂强度 塑性变形
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Preparation of an Nanocrystalline Ta-Cu Alloy by Mechanical Alloying
14
作者 柳林 董远达 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 1993年第1期1-4,共4页
Nanocrystalline alloy wlth graln size of about 10~20nm was prepared by mechanlcal alloying of elemen- tal powders in an imnliscible Ta-Cu system, The structure changes of Ta_70Cu_30 during mechanical alloying were mo... Nanocrystalline alloy wlth graln size of about 10~20nm was prepared by mechanlcal alloying of elemen- tal powders in an imnliscible Ta-Cu system, The structure changes of Ta_70Cu_30 during mechanical alloying were monitored by X-ray diffraction. scanning electron microscopy and transmission electron microscopy. High-energy ball milling can efficiently reduce the grain size and considerably increase the Cu solubility in Ta. The significant enhancement of hardness of alloyed powders was also observed. 展开更多
关键词 ta-cu alloy NANOCRYStaLLINE Mechanical alloying
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Effects of small amount Ta on the characteristics of the Zr-Al-Ni-Cu-Ta bulk metallic glass
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作者 HongchaoKou XidongHui +3 位作者 XiongjunLiu XipingSong GuoliangChen KefuYao 《Journal of University of Science and Technology Beijing》 CSCD 2005年第3期257-261,共5页
The effects of Ta on the characteristics of the Zr-base BMG (bulk metallic glass) were investigated. Zr55Al10Ni5Cu30-xTax (x=1, 2,4) bulk metallic glasses (BMGs) with 3.5 mm diameter and 70 mm length were successfully... The effects of Ta on the characteristics of the Zr-base BMG (bulk metallic glass) were investigated. Zr55Al10Ni5Cu30-xTax (x=1, 2,4) bulk metallic glasses (BMGs) with 3.5 mm diameter and 70 mm length were successfully prepared by using combined jet and copper mold casting. A small amount of Ta addition does not change the glass transition temperature, crystallization temperature, and supercooled liquid region obviously, but Ta promotes composition separation and two-stage crystallization. The stable crystalline phases include Zr2Ni, CuZr2, Al2Zr3 intermetallic compounds and Ta-rich solid solution after annealing the Zr-Al-Ni-Cu-Ta alloys at 753 K. Zr55Al10Ni5Cu30-xTax (x=1,2,4) bulk glassy alloys exhibit a better compressive strength. The stress-strain curve shows a zigzag feature, and the fracture surface shows intersecting of shear bands. It may correlate with the inhomogeneous feature of amorphous structure. 展开更多
关键词 Zr-Al-Ni-cu-ta alloy bulk metallic glass (BMG) microstructure compressive property
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Ta基纳米薄膜扩散阻挡特性的比较研究 被引量:7
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作者 陈海波 周继承 李幼真 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期655-658,共4页
采用直流磁控溅射方法在p型(100)Si衬底上制备了Cu/Ta、Cu/Ta-N和Cu/Ta-Al-N复合膜,并对薄膜样品进行了卤钨灯快速热退火。用四探针电阻测试仪(FPP)、AFM、SEM、Alpha-step IQ台阶仪和XRD等分析测试方法对样品的形貌结构与特性进行了分... 采用直流磁控溅射方法在p型(100)Si衬底上制备了Cu/Ta、Cu/Ta-N和Cu/Ta-Al-N复合膜,并对薄膜样品进行了卤钨灯快速热退火。用四探针电阻测试仪(FPP)、AFM、SEM、Alpha-step IQ台阶仪和XRD等分析测试方法对样品的形貌结构与特性进行了分析表征,并对N和Al的掺杂机理进行了讨论。实验结果表明,Ta、Ta-N和Ta-Al-N膜层的Cu扩散阻挡特性逐渐增强,Ta/Si界面上的反应和Cu通过多晶Ta膜扩散到Si底并形成Cu_3Si共同导致了Ta阻挡层的失效,而Cu通过Ta-N和Ta-Al-N结晶后产生的晶界扩散到Si底并形成Cu_3Si是两者失效的唯一机制。N的掺入促进了非晶薄膜的形成且有利于消除界面反应,而Al的掺入将进一步提高薄膜的结晶温度和热稳定性。 展开更多
关键词 直流磁控溅射 ta基纳米薄膜 cu扩散阻挡层 阻挡特性
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纳米Ta-Al-N薄膜的制备及其扩散阻挡特性的研究 被引量:2
17
作者 周继承 陈海波 李幼真 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期327-331,共5页
采用直流反应磁控溅射方法在p型(100)Si衬底上制备了Ta-Al-N纳米薄膜与Cu/Ta-Al-N复合膜,并对薄膜样品进行了卤钨灯快速热退火(RTP)。用四探针电阻测试仪(FPP)、AFM、SEM-EDS、Alpha-step IQ台阶仪和XRD等分析测试方法对样品的形貌结构... 采用直流反应磁控溅射方法在p型(100)Si衬底上制备了Ta-Al-N纳米薄膜与Cu/Ta-Al-N复合膜,并对薄膜样品进行了卤钨灯快速热退火(RTP)。用四探针电阻测试仪(FPP)、AFM、SEM-EDS、Alpha-step IQ台阶仪和XRD等分析测试方法对样品的形貌结构与特性进行了分析表征。实验结果表明,本实验条件下制得的Ta-Al-N纳米薄膜表面光滑;随着Al靶溅射功率的增加,Ta-Al-N薄膜中Al含量和方块电阻相应增大,均方根粗糙度降低,而沉积速率变化不大,且Ta-Al-N膜层对Cu扩散的阻挡能力增强。但在过高的温度下退火,导致Cu通过Ta-Al-N的晶界扩散到Ta-Al-N/Si界面并形成Cu3Si,从而引起阻挡层的失效。 展开更多
关键词 反应磁控溅射 ta—Al-N纳米薄膜 cu扩散阻挡层 阻挡特性
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Cu金属化系统双扩散阻挡层的研究 被引量:1
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作者 王晓冬 吉元 +4 位作者 钟涛兴 李志国 夏洋 刘丹敏 肖卫强 《微纳电子技术》 CAS 2008年第3期179-182,共4页
采用二次离子质谱仪(SIMS)测试了SiON和Ta双层扩散阻挡层及Ta扩散阻挡层的阻挡性能;采用X射线衍射仪(XRD)测量了沉积态有Ta阻挡层和无阻挡层Cu膜的晶体学取向结构;利用电子薄膜应力测试仪测量了具有双层阻挡层Cu膜的应力分布状况。测试... 采用二次离子质谱仪(SIMS)测试了SiON和Ta双层扩散阻挡层及Ta扩散阻挡层的阻挡性能;采用X射线衍射仪(XRD)测量了沉积态有Ta阻挡层和无阻挡层Cu膜的晶体学取向结构;利用电子薄膜应力测试仪测量了具有双层阻挡层Cu膜的应力分布状况。测试结果表明,双阻挡层中Ta黏附层有效地将Cu附着于Si基片上,并对Cu具有一定的阻挡效果,而SiON层则有效地阻止了Cu向SiO2中的扩散。与Ta阻挡层相比,双阻挡层具有较好阻挡性能。有Ta阻挡层的Cu膜的{111}织构明显强于无阻挡层的Cu膜。离子注氮后,薄膜样品应力平均值为206MPa;而电镀Cu膜后,样品应力平均值为-661.7MPa。 展开更多
关键词 cu互连 氮氧化硅 扩散阻挡层 二次离子质谱仪 X射线衍射仪
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Zr层插入对Ta-N扩散阻挡性能的影响 被引量:3
19
作者 丁明惠 张丽丽 +1 位作者 盖登宇 王颖 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期2036-2038,共3页
在不同的沉积温度下,用射频反应磁控溅射方法在Si(100)衬底和Cu膜间制备Ta-N/Zr阻挡层,研究Zr层的插入对Ta-N扩散阻挡性能的影响。结果表明:不同沉积温度下制备的Ta-N均为非晶态结构;Zr层的插入使Ta-N阻挡层的失效温度至少提高100℃,在... 在不同的沉积温度下,用射频反应磁控溅射方法在Si(100)衬底和Cu膜间制备Ta-N/Zr阻挡层,研究Zr层的插入对Ta-N扩散阻挡性能的影响。结果表明:不同沉积温度下制备的Ta-N均为非晶态结构;Zr层的插入使Ta-N阻挡层的失效温度至少提高100℃,在800℃仍能有效地阻止Cu的扩散。阻挡性能提高的主要原因是高温退火时形成低接触电阻的Zr-Si层。 展开更多
关键词 ta-N/Zr薄膜 扩散阻挡层 cu互连 射频反应磁控溅射
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Ta涂层对CVD单晶金刚石焊接强度的影响
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作者 毛雅梅 黑鸿君 +4 位作者 高洁 张孟 王垚 郑可 于盛旺 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第11期445-451,共7页
目的提高金刚石的可焊性,促进金刚石与异质合金的连接。方法采用双辉等离子体表面合金化(DGPSA)技术在CVD单晶金刚石表面沉积Ta_(2)涂层,然后利用Ag–Cu–Ti(Ti的质量分数为2%)钎料合金将Ta_(2)涂层单晶金刚石与硬质合金(WC–Co)在真空... 目的提高金刚石的可焊性,促进金刚石与异质合金的连接。方法采用双辉等离子体表面合金化(DGPSA)技术在CVD单晶金刚石表面沉积Ta_(2)涂层,然后利用Ag–Cu–Ti(Ti的质量分数为2%)钎料合金将Ta_(2)涂层单晶金刚石与硬质合金(WC–Co)在真空钎焊炉中进行焊接。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和能谱仪分析Ta_(2)涂层及焊后截面的物相组成、表面微观形貌、截面微观形貌、元素分布。使用万能试验机对有Ta_(2)涂层和无Ta_(2)涂层的焊后样品进行剪切断裂试验,对焊接后样品的界面结合强度进行探究。结果在合金化温度为850℃下,随着沉积时间(5、15、30、60 min)的延长,Ta_(2)涂层的厚度从0.35μm增至7.96μm,晶粒由纳米晶转变为柱状晶,整个涂层由沉积层Ⅰ和扩散层Ⅱ组成,且在金刚石/Ta_(2)涂层界面处生成了2种力学性能良好的金属型碳化物,即Ta_(2)C和Ta_(2)C。焊接接头的剪切强度随着Ta_(2)涂层沉积时间的延长,呈先增大后减小的趋势。结论当沉积时间为30 min时,Ta_(2)涂层的厚度为3.47μm,与WC–Co焊接后其剪切强度达到最大值(115.6 MPa),且大于无Ta_(2)涂层焊接样品的剪切强度(75.6 MPa),证明Ta_(2)涂层对单晶金刚石的可焊性有明显的促进作用。 展开更多
关键词 CVD单晶金刚石 双辉等离子体表面合金化 ta涂层 Ag–cu–Ti钎料合金 真空钎焊 结合强度
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