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基于太赫兹真空器件的微型阴极抑制膜特性研究
1
作者
张敏
张珂
杨鹏云
《太赫兹科学与电子信息学报》
2024年第1期17-21,共5页
为满足太赫兹真空器件对阴极的大电流密度、小电子注尺寸需求,利用双离子束辅助沉积技术在浸渍钪酸盐阴极表面沉积Ta/Zr抑制膜,并利用聚焦离子束刻蚀技术制备出发射面直径为100μm的微型热阴极。在此基础之上着重研究这种阴极的抑制膜特...
为满足太赫兹真空器件对阴极的大电流密度、小电子注尺寸需求,利用双离子束辅助沉积技术在浸渍钪酸盐阴极表面沉积Ta/Zr抑制膜,并利用聚焦离子束刻蚀技术制备出发射面直径为100μm的微型热阴极。在此基础之上着重研究这种阴极的抑制膜特性,研究表明,Ta/Zr膜层比Zr膜层临界附着力更强,双离子束辅助沉积制备的Ta/Zr抑制膜比磁控溅射制备的Ta/Zr抑制膜更加致密,并且抑制发射寿命更长。阴极良好的抑制效果一方面是因为Ba扩散至Zr中形成高功函数物质,另一方面是因为Ta/Zr复合膜层高度致密有效抑制了Ba的扩散。
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关键词
太赫兹器件
微型阴极
双离子束沉积
ta/zr抑制膜
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职称材料
题名
基于太赫兹真空器件的微型阴极抑制膜特性研究
1
作者
张敏
张珂
杨鹏云
机构
中国电子科技集团公司第十二研究所
出处
《太赫兹科学与电子信息学报》
2024年第1期17-21,共5页
文摘
为满足太赫兹真空器件对阴极的大电流密度、小电子注尺寸需求,利用双离子束辅助沉积技术在浸渍钪酸盐阴极表面沉积Ta/Zr抑制膜,并利用聚焦离子束刻蚀技术制备出发射面直径为100μm的微型热阴极。在此基础之上着重研究这种阴极的抑制膜特性,研究表明,Ta/Zr膜层比Zr膜层临界附着力更强,双离子束辅助沉积制备的Ta/Zr抑制膜比磁控溅射制备的Ta/Zr抑制膜更加致密,并且抑制发射寿命更长。阴极良好的抑制效果一方面是因为Ba扩散至Zr中形成高功函数物质,另一方面是因为Ta/Zr复合膜层高度致密有效抑制了Ba的扩散。
关键词
太赫兹器件
微型阴极
双离子束沉积
ta/zr抑制膜
Keywords
THz vacuum devices
mini cathode
Dual Ion Beam Assisted Deposition
ta/
zr
anti-emission coating
分类号
TN103 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
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1
基于太赫兹真空器件的微型阴极抑制膜特性研究
张敏
张珂
杨鹏云
《太赫兹科学与电子信息学报》
2024
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