钽掺杂二氧化钛薄膜的光电性能研究

采用脉冲激光沉积法(PLD),以石英玻璃为衬底制备了钽掺杂TiO2薄膜并研究了薄膜样品的光电性质.沉积氧气分气压从0.3Pa变化到0.7Pa时薄膜样品的帯隙变化范围是3.26eV到3.49eV.通过测量电阻率随温度的变化关系确定了薄膜内部的主要导电机理.在150K到210K温度范围内,热激发导电机理是主要的导电机理;而在10K到150K范围内;电导率随温度的变化复合Mott的多级变程跳跃模型(VRH);在210K到300K范围内,电阻率和exp(b/T)1/2呈正比关系.