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钽掺杂二氧化钛薄膜的光电性能研究
被引量:
2
1
作者
薛将
潘风明
裴煜
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第15期453-458,共6页
采用脉冲激光沉积法(PLD),以石英玻璃为衬底制备了钽掺杂TiO2薄膜并研究了薄膜样品的光电性质.沉积氧气分气压从0.3Pa变化到0.7Pa时薄膜样品的帯隙变化范围是3.26eV到3.49eV.通过测量电阻率随温度的变化关系确定了薄膜内部的主要导电机...
采用脉冲激光沉积法(PLD),以石英玻璃为衬底制备了钽掺杂TiO2薄膜并研究了薄膜样品的光电性质.沉积氧气分气压从0.3Pa变化到0.7Pa时薄膜样品的帯隙变化范围是3.26eV到3.49eV.通过测量电阻率随温度的变化关系确定了薄膜内部的主要导电机理.在150K到210K温度范围内,热激发导电机理是主要的导电机理;而在10K到150K范围内;电导率随温度的变化复合Mott的多级变程跳跃模型(VRH);在210K到300K范围内,电阻率和exp(b/T)1/2呈正比关系.
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关键词
ta掺杂tio2
脉冲激光沉积法
薄膜
导电机理
原文传递
题名
钽掺杂二氧化钛薄膜的光电性能研究
被引量:
2
1
作者
薛将
潘风明
裴煜
机构
南京航空航天大学应用物理系
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第15期453-458,共6页
基金
国家自然科学基金(批准号:51032002)
国家高技术研究发展计划项目(批准号:2011AA050526)资助的课题~~
文摘
采用脉冲激光沉积法(PLD),以石英玻璃为衬底制备了钽掺杂TiO2薄膜并研究了薄膜样品的光电性质.沉积氧气分气压从0.3Pa变化到0.7Pa时薄膜样品的帯隙变化范围是3.26eV到3.49eV.通过测量电阻率随温度的变化关系确定了薄膜内部的主要导电机理.在150K到210K温度范围内,热激发导电机理是主要的导电机理;而在10K到150K范围内;电导率随温度的变化复合Mott的多级变程跳跃模型(VRH);在210K到300K范围内,电阻率和exp(b/T)1/2呈正比关系.
关键词
ta掺杂tio2
脉冲激光沉积法
薄膜
导电机理
Keywords
ta
-doped
tio
2
pulsed laser deposi
tio
n
thin film
conduc
tio
n mechanism
分类号
O484.41 [理学—固体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
钽掺杂二氧化钛薄膜的光电性能研究
薛将
潘风明
裴煜
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
2
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