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微波烧结法制备Bi2O3-ZnO-Ta2O5陶瓷 被引量:8
1
作者 康利平 沈波 姚熹 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期319-321,共3页
研究了三元体系Bi2O3-ZnO-Ta2O5微波陶瓷的微波烧结情况,从烧结机理、陶瓷结构、显微形貌和介电性能等方面对微波烧结的样品和常规烧结样品进行了比较。实验结果表明,微波烧结大幅度缩短了烧结时间,并且很好地促进了Bi2O3-ZnO-Ta2O5陶... 研究了三元体系Bi2O3-ZnO-Ta2O5微波陶瓷的微波烧结情况,从烧结机理、陶瓷结构、显微形貌和介电性能等方面对微波烧结的样品和常规烧结样品进行了比较。实验结果表明,微波烧结大幅度缩短了烧结时间,并且很好地促进了Bi2O3-ZnO-Ta2O5陶瓷的致密化,制成的样品晶粒细小均一,且介电性能在一定程度上得到了优化。 展开更多
关键词 无机非金属材料 Bi2O3-ZnO-ta2o5 微波烧结 烧结温度 介电性能
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高k材料Ta2O5结构与电学性质的研究 被引量:1
2
作者 陈息林 余涛 +2 位作者 吴雪梅 董尧君 诸葛兰剑 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第7期1335-1338,1341,共5页
利用双离子束沉积设备在p-Si(100)衬底上制备了Ta2O5基MOS电容,研究了不同辅源能量0、100、200、300eV下薄膜生长机制、内部结构以及电学性质的差异。实验结果显示,在辅源能量200eV下制备的Ta2O5薄膜具有最小的表面粗糙度和优异的界面... 利用双离子束沉积设备在p-Si(100)衬底上制备了Ta2O5基MOS电容,研究了不同辅源能量0、100、200、300eV下薄膜生长机制、内部结构以及电学性质的差异。实验结果显示,在辅源能量200eV下制备的Ta2O5薄膜具有最小的表面粗糙度和优异的界面特性。由C-V/I-V特征曲线表明,辅源能量200eV下制备的Ta2O5基MOS电容具有最小的平带电压偏移量、氧化层电荷密度以及漏电流。研究表明合适的辅源能量可有效改善薄膜生长机制,使薄膜由类岛状沉积转化为层状生长,从而提高晶粒均匀性、薄膜平整度以及致密性,使薄膜具有较好的电学性质。 展开更多
关键词 高K栅介质 ta2o5 MOSFET器件 微结构 电学性质
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添加Ta2O5对锂铌钛系微波介质陶瓷性能的影响 被引量:1
3
作者 喻佑华 王相惠 +3 位作者 周川钧 杨俊瑞 张岚 宗瑞 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2011年第8期28-30,35,共4页
添加Ta2O5对LiNb0.6-zTazTi0.5O3陶瓷进行改性研究,文中探讨了Ta2O5对LiNb0.6-zTazTi0.5O3陶瓷烧结性能,显微结构和微波介电性能的影响。结果表明:添加Ta2O5样品的εr略微降低、Q.f值提高、τf略微增大,LiNb0.4Ta0.2Ti0.5O3配方在1160... 添加Ta2O5对LiNb0.6-zTazTi0.5O3陶瓷进行改性研究,文中探讨了Ta2O5对LiNb0.6-zTazTi0.5O3陶瓷烧结性能,显微结构和微波介电性能的影响。结果表明:添加Ta2O5样品的εr略微降低、Q.f值提高、τf略微增大,LiNb0.4Ta0.2Ti0.5O3配方在1160℃保温2h制得样品的微波介电性能非常良好,εr=63.5、τf=+25 ppm/℃、Q.f=7490GHz。 展开更多
关键词 微波介质陶瓷 锂铌钛体系 ta2o5掺杂 介电性能
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Ta2O5薄膜的结构和电学性能研究 被引量:3
4
作者 魏爱香 张幸福 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A02期642-644,共3页
采用紫外光诱导热丝CVD沉积技术制备Ta2O5薄膜和Al/Ta2O2/SiMOS电容。利用XRD,AFM测试分析方法研究了紫外光源功率对Ta2O5薄膜结构的影响;通过C-V和,I-V测试对Ta2O5薄膜的介电常数,击穿场强和漏电流等电学性能进行了研究,结果表明... 采用紫外光诱导热丝CVD沉积技术制备Ta2O5薄膜和Al/Ta2O2/SiMOS电容。利用XRD,AFM测试分析方法研究了紫外光源功率对Ta2O5薄膜结构的影响;通过C-V和,I-V测试对Ta2O5薄膜的介电常数,击穿场强和漏电流等电学性能进行了研究,结果表明:紫外光源的功率越大,Ta2O5薄膜的结晶性越好,介电常数越大,最大值为29,但紫外光功率对击穿场强和漏电流没有明显改善。 展开更多
关键词 光诱导热丝CVD ta2o5薄膜 电学性能
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Ti/IrO2-Ta2O5阳极催化降解鲁奇炉煤气化废水工艺的优化及动力学研究 被引量:2
5
作者 高璟 赵欢欢 +1 位作者 刘有智 张栋铭 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2019年第9期97-101,共5页
针对鲁奇炉煤气化废水中酚类污染物难降解而无法满足生化处理的难题,采用热化学法制备钛铱钽催化电极(Ti/IrO2-Ta2O5),并将其作为阳极对鲁奇炉煤气化废水进行电催化降解。结果表明,当电流密度为50 m A/cm2、NaCl质量浓度为9.5 g/L、pH为... 针对鲁奇炉煤气化废水中酚类污染物难降解而无法满足生化处理的难题,采用热化学法制备钛铱钽催化电极(Ti/IrO2-Ta2O5),并将其作为阳极对鲁奇炉煤气化废水进行电催化降解。结果表明,当电流密度为50 m A/cm2、NaCl质量浓度为9.5 g/L、pH为4、降解时间为180 min时,苯酚和COD的去除率较高,分别可达92%和48%。废水色度极大降低,BOD/COD提高至0.42,降解后的废水可满足生化处理要求。动力学研究表明,废水降解过程符合表观一级反应的动力学规律。 展开更多
关键词 Ti/IrO2-ta2o5 电催化 鲁奇炉 煤气化废水 动力学
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热诱导组装Ta2O5空心微球
6
作者 陈颖 周幸福 +1 位作者 刘磊 范益群 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2009年第3期454-458,共5页
在有机体系中电化学溶解钽得到有机前驱体钽醇盐,在30mL电解液中加入6mLH2O2和0.6g阳离子表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵(CTAB),150℃溶剂热反应24h,产物经过高温热处理后得到Ta2O5空心微球。研究表明:溶剂热反应得到无定型Ta2O5纳米颗... 在有机体系中电化学溶解钽得到有机前驱体钽醇盐,在30mL电解液中加入6mLH2O2和0.6g阳离子表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵(CTAB),150℃溶剂热反应24h,产物经过高温热处理后得到Ta2O5空心微球。研究表明:溶剂热反应得到无定型Ta2O5纳米颗粒,600℃热处理后得到由纳米颗粒组装成的无定型Ta2O5半球结构,经过进一步的900℃高温热处理导致这些相邻半球结构进一步组装为斜方晶系的Ta2O5微米级空心球(直径约2μm),球壁厚度在150nm左右,空心部分直径约为1.5μm,球壁是由更小的Ta2O5纳米空心球组成;而在相同条件下,采用油酸代替CTAB,得到粒径减小的Ta2O5纳米颗粒。同时探讨了高温热诱导组装多孔Ta2O5微米空心球的可能形成机理。 展开更多
关键词 有机电解合成 溶剂热 ta2o5 空心球
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激光辐照制备高介电常数Ta2O5陶瓷
7
作者 季凌飞 王伟 +1 位作者 于振龙 蒋毅坚 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期3102-3103,共2页
采用大功率CO2激光辐照制备高介电常数Ta2O5陶瓷,讨论了激光制备工艺参数如激光光束模式、功率密度、扫描速率、辐照时间、辐照方式等对制备材料介电性能和组织形貌的影响,分析了其作用机理.
关键词 ta2o5陶瓷 激光辐照 高介电常数
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退火温度对Ta2O5/SiO2多层反射膜结构和应力特性的影响 被引量:6
8
作者 刘保剑 段微波 +4 位作者 李大琪 余德明 陈刚 王天洪 刘定权 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第11期172-178,共7页
介质膜反射镜是星载激光测高仪系统中不可缺少的薄膜元件,其面形质量直接影响探测系统测距的分辨率和精度.本文采用离子束辅助电子束蒸发工艺在石英基底上沉积Ta2O5/SiO2多层反射膜,并在200—600℃的空气中做退火处理.通过X射线衍射、... 介质膜反射镜是星载激光测高仪系统中不可缺少的薄膜元件,其面形质量直接影响探测系统测距的分辨率和精度.本文采用离子束辅助电子束蒸发工艺在石英基底上沉积Ta2O5/SiO2多层反射膜,并在200—600℃的空气中做退火处理.通过X射线衍射、原子力显微镜、分光光度计及激光干涉仪等测试手段,系统研究了退火温度对Ta2O5/SiO2多层反射膜结构、光学性能以及应力特性的影响.结果表明:Ta2O5/SiO2多层反射膜退火后,膜层结构保持稳定,膜层表面粗糙度得到有效改善;反射膜在500—600℃退火后,残余应力由压应力向张应力转变;采用合适的退火温度可以有效释放Ta2O5/SiO2薄膜的残余应力,使薄膜与基底构成的介质膜反射镜具有较好的面形精度.本文的实验结果对退火工艺在介质膜反射镜面形控制技术方面的应用具有重要意义. 展开更多
关键词 光学薄膜 ta2o5/SiO2多层反射膜 退火 应力特性
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Ti6Al4V钛合金表面Ta2O5/Ta2O5-Ti/Ti多涂层的制备与性能研究 被引量:7
9
作者 周泉 丁泽良 +2 位作者 王易 张海波 吴发展 《包装学报》 2019年第6期23-30,共8页
采用磁控溅射技术在Ti6Al4V钛合金表面制备了Ta2O5/Ta2O5-Ti/Ti多层涂层;利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和X射线光电子能谱仪(XPS),分析了涂层的微观结构、物性组成和化学价态;通过划痕仪、纳米压痕仪、摩擦磨损试验机和电... 采用磁控溅射技术在Ti6Al4V钛合金表面制备了Ta2O5/Ta2O5-Ti/Ti多层涂层;利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和X射线光电子能谱仪(XPS),分析了涂层的微观结构、物性组成和化学价态;通过划痕仪、纳米压痕仪、摩擦磨损试验机和电化学工作站,检测了涂层的结合强度、力学性能、摩擦系数和耐腐蚀性。研究结果表明,Ta2O5/Ta2O5-Ti/Ti多层涂层表面由峰型颗粒组成,粒径大小均匀,涂层结构致密。与Ti6Al4V相比,Ta2O5/Ta2O5-Ti/Ti多层涂层试样具有较小的摩擦系数,较高的腐蚀电位和较小的腐蚀电流密度,表现出良好的耐磨和耐腐蚀性能,能对Ti6Al4V合金植入材料起到较好的保护作用。 展开更多
关键词 ta2o5/ta2o5-Ti/Ti涂层 磁控溅射 梯度涂层 结合强度
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晶粒取向及氧化电压对阳极氧化Ta2O5纳米管形貌的影响
10
作者 张玉 刘施峰 +2 位作者 李利娟 祝佳林 邓超 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第8期10-13,共4页
以(110)和(111)取向单晶钽片为原材料,在体积比为9∶1的浓H2SO4和HF电解液中,保持电压为30 V,阳极氧化1 min制备Ta2O5纳米管。对比在(110)和(111)取向单晶上制备的Ta2O5纳米管的扫描电子显微镜(SEM)图像,研究晶粒取向对阳极氧化Ta2O5纳... 以(110)和(111)取向单晶钽片为原材料,在体积比为9∶1的浓H2SO4和HF电解液中,保持电压为30 V,阳极氧化1 min制备Ta2O5纳米管。对比在(110)和(111)取向单晶上制备的Ta2O5纳米管的扫描电子显微镜(SEM)图像,研究晶粒取向对阳极氧化Ta2O5纳米管形貌的影响。在相同电解液体系下,将两种不同取向单晶分别在电压为5 V、15 V、25 V、35 V的条件下氧化30 s,研究氧化电压对Ta2O5纳米管形貌的影响。研究结果表明:(111)取向更有利于Ta 2O 5纳米管的生长,其管长约为6.28μm,Ta2O5纳米管的顶部抱团成簇,纳米管外部粗糙似竹节;(110)取向制备的Ta 2O 5纳米管开口好,外管壁光滑,管长约为3.71μm;Ta2O5纳米管的管长及管径与氧化电压呈正相关,且(111)单晶生长的Ta2O5纳米管管长及管径大于(110)单晶生长的纳米管。Ta2O5纳米管的生长具有取向相关性,主要受原子排列密度的影响,原子排列密度越大,其纳米管的生长速率越小,故Ta2O5纳米管管长越短,管径越小。 展开更多
关键词 单晶钽片 阳极氧化 晶粒取向 氧化电压 ta2o5纳米管
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Ta2O5/Al2O3激光陀螺反射镜等离子体环境稳定性研究 被引量:2
11
作者 李钱陶 李定 +2 位作者 王潺 熊长新 杨长城 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2020年第S01期97-103,共7页
利用射频激励电容耦合等离子体放电装置产生等离子体,分别采用氧、空气、氩、氖等离子体对Ta2O5/Al2O3激光陀螺反射镜进行处理,试验研究了等离子体气压和等离子体种类对Ta2O5/Al2O3激光陀螺反射镜光学损耗的影响。通过比对实验、能谱、... 利用射频激励电容耦合等离子体放电装置产生等离子体,分别采用氧、空气、氩、氖等离子体对Ta2O5/Al2O3激光陀螺反射镜进行处理,试验研究了等离子体气压和等离子体种类对Ta2O5/Al2O3激光陀螺反射镜光学损耗的影响。通过比对实验、能谱、光电子能谱分析测试等技术手段,对Ta2O5/Al2O3激光陀螺反射镜在等离子体环境下出现的损耗变化现象、机理进行了探讨。Ta2O5/Al2O3激光陀螺反射镜经氧等离子体处理后的损耗变化量最大,达到了15 ppm(1 ppm=1×10-6),为另3种等离子体处理后损耗变化量的2~4倍。定位出了Ta2O5/Al2O3激光陀螺反射镜等离子体环境下产生吸收具体膜层为最外层2LAl2O3,发现了2LAl2O3在氧、氩等离子体作用下吸收损耗在一定程度上产生可逆变化的现象,结合XPS分析,对这一可逆现象从薄膜中游离O、Ar与等离子体中粒子之间相互作用产生缺陷等角度进行了探讨。提出了进一步提升Ta2O5/Al2O3激光陀螺反射镜等离子体环境稳定性的技术措施。 展开更多
关键词 激光陀螺反射镜 光学吸收 等离子体 三氧化二铝 五氧化二钽
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磁控反应溅射制备的Ta2O5薄膜的光学与介电性能 被引量:2
12
作者 张幸福 魏爱香 刘毅 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A02期878-880,共3页
采用直流磁控反应溅射技术,在不同的Ar/O2比条件下制备了系列Ta2O5薄膜样品,采用紫外.可见光透射光谱和椭偏光谱测试分析技术,研究了Ta2O5薄膜在可见光范围内的透射率、折射率和消光系数;同时还采用HP 4192A阻抗分析仪测试分析了... 采用直流磁控反应溅射技术,在不同的Ar/O2比条件下制备了系列Ta2O5薄膜样品,采用紫外.可见光透射光谱和椭偏光谱测试分析技术,研究了Ta2O5薄膜在可见光范围内的透射率、折射率和消光系数;同时还采用HP 4192A阻抗分析仪测试分析了样品在500Hz~13MHz频段的介电谱,结果表明在300~700nm的可见光波长范围内,氧化钽薄膜的消光系数k→0,折射率>2.0,透射率大约80%。500Hz下的低频介电常数5的典型值为20.1。损耗角正切tgδ为19.9。 展开更多
关键词 氧化钽薄膜 光学性质 介电谱
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原位沉积温度对电子束蒸镀Ta2O5薄膜性能的影响 被引量:2
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作者 于龙宇 王伟 +1 位作者 刘孟杰 曹振勇 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第8期632-637,共6页
采用电子束蒸镀在重掺杂Si衬底上制备了150 nm厚的Ta2O5薄膜,研究原位生长温度(150,250和350℃)和后退火工艺对Ta2O5薄膜性能的影响。X射线衍射测试结果表明,当衬底原位温度控制在350℃以下时,制备的Ta2O5薄膜均为无定形结构。原子力显... 采用电子束蒸镀在重掺杂Si衬底上制备了150 nm厚的Ta2O5薄膜,研究原位生长温度(150,250和350℃)和后退火工艺对Ta2O5薄膜性能的影响。X射线衍射测试结果表明,当衬底原位温度控制在350℃以下时,制备的Ta2O5薄膜均为无定形结构。原子力显微镜和阻抗分析测试结果发现当衬底温度为250℃时,Ta2O5薄膜的表面均方根粗糙度最小,达到0.16 nm,同时具有最优的电学性能(相对介电常数24.1,介电损耗低于0.01)。与原位控温相比,相同条件下后退火工艺处理得到的薄膜性能有所下降。研究结果表明,采用基于衬底原位控温的电子束蒸镀工艺可制备出性能优越的Ta2O5薄膜介电材料,有望应用于动态随机存储器等高性能器件。 展开更多
关键词 电子束蒸镀 原位沉积温度 ta2o5薄膜 SI 后退火温度
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Preparation of Ta-Doped TiO2 Using Ta2O5 as the Doping Source 被引量:1
14
作者 许程 林笛 +3 位作者 牛继南 强颖怀 李大伟 陶春先 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2015年第8期169-172,共4页
A novel method for preparing Ta-doped Ti02 via using Ta2 05 as the doping source is proposed. The preparation process combines the hydrothernlal fluorination of Ta2O5 and the subsequent formation of Ta-doped TiO2 sol.... A novel method for preparing Ta-doped Ti02 via using Ta2 05 as the doping source is proposed. The preparation process combines the hydrothernlal fluorination of Ta2O5 and the subsequent formation of Ta-doped TiO2 sol. The results show that the doped sample annealed at 393 K generates an unstable intermediate NH4 TiOF3, which converts into anatase TiO2 with the increase of temperature. After annealing at ≥673K, the Ta-doped TiO2 nanocrystals with the grain size 〈20nm are obtained. Both the XRD and TG-DSC results confirm that Ta doping prevents the anatase-rutile crystal transition of TiO2. The band gap values of the doped samples, as obtained by UV-vis diffuse reflectance spectra, are smaller than that of pure anatase TiO2. The first-principle pseudopotential method calculations indicate that Ta5+ lies in the TiO2 lattice at the interstitial position. 展开更多
关键词 TiO TA Preparation of Ta-Doped TiO2 Using ta2o5 as the Doping Source Figure XRD DSC
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X—射线荧光光谱法测定锂铌钽矿选矿试样中Nb2O5和Ta2O5 被引量:5
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作者 丁雪心 《地质实验室》 1996年第1期17-18,共2页
关键词 锂矿 铌矿 钽矿 选矿试样 NB2O5 ta2o5
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低密度Ta2O5气凝胶的制备
16
作者 任洪波 《中国工程物理研究院科技年报》 2006年第1期496-497,共2页
气凝胶是ICF(惯性约束聚变)实验中一种理想的候选靶材料,具有许多奇异的特性,如孔洞率高(99.8%)、比表面积大、密度低(最低为1mg/cm^3)、量子尺寸效应和表面界面效应、宏观均匀性好和掺杂吸附能力强等。这使气凝胶在ICF实验... 气凝胶是ICF(惯性约束聚变)实验中一种理想的候选靶材料,具有许多奇异的特性,如孔洞率高(99.8%)、比表面积大、密度低(最低为1mg/cm^3)、量子尺寸效应和表面界面效应、宏观均匀性好和掺杂吸附能力强等。这使气凝胶在ICF实验中有许多应用,如靶物理的研究、高效泵浦激光的形成、激光传输和光束质量的提高等。由于Ta2O5具较高的马赫数和光学厚度,在辐射输运实验中具有重要的应用前景。以其为基本骨架的Ta2O5气凝胶由于具有较高的光学不透明度,在ICF模拟中具有重要的用途。对高光学厚度填充材料的辐射输运过程进行研究,有利于了解该过程的物理机制。 展开更多
关键词 ta2o5 气凝胶 低密度 ICF实验 制备 惯性约束聚变 量子尺寸效应 光学厚度
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Ag的掺入对MTa2O5多层复合涂层的微观结构、耐蚀性和抗菌性能的影响 被引量:1
17
作者 王易 丁泽良 +3 位作者 周泉 张海波 汤迎红 吴发展 《包装学报》 2019年第6期31-37,共7页
采用磁控溅射技术在Ti6Al4V合金表面制备了含Ag和不含Ag的Ta2O5/Ta2O5/Ta2O5-TiO2/TiO2/Ti多层复合涂层(分别用Ag-MTa2O5和MTa2O5表示),通过SEM、XRD、EDS、纳米压痕仪、电化学工作站和平板计数法,对涂层试样进行表征与检测。研究结果表... 采用磁控溅射技术在Ti6Al4V合金表面制备了含Ag和不含Ag的Ta2O5/Ta2O5/Ta2O5-TiO2/TiO2/Ti多层复合涂层(分别用Ag-MTa2O5和MTa2O5表示),通过SEM、XRD、EDS、纳米压痕仪、电化学工作站和平板计数法,对涂层试样进行表征与检测。研究结果表明,Ag的掺杂对MTa2O5多层涂层的结构和性能有重要影响。与MTa2O5涂层相比,Ag-MTa2O5涂层表面的晶粒变粗、致密度降低、机械性能和耐腐蚀性能略有下降;但Ag-MTa2O5涂层的抗菌率为100%,显示出优异的抗菌性能。 展开更多
关键词 五氧化二钽 TI6AL4V合金 磁控溅射
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Er2O3掺杂对Y2O3-Ta2O5-ZrO2陶瓷相结构及相稳定性的影响 被引量:4
18
作者 辛娜 乔璟 +1 位作者 谢敏 宋希文 《稀土》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期128-133,共6页
采用固相合成法制备了Er_2O_3掺杂Y_2O_3-Ta_2O_5-ZrO_2体系热障涂层陶瓷材料,利用XRD对材料的物相组成进行分析。结果表明,Er_2O_3掺杂Y_2O_3-Ta_2O_5-ZrO_2体系热障涂层陶瓷材料为单一的四方相结构,无单斜相和立方相出现。在低温200... 采用固相合成法制备了Er_2O_3掺杂Y_2O_3-Ta_2O_5-ZrO_2体系热障涂层陶瓷材料,利用XRD对材料的物相组成进行分析。结果表明,Er_2O_3掺杂Y_2O_3-Ta_2O_5-ZrO_2体系热障涂层陶瓷材料为单一的四方相结构,无单斜相和立方相出现。在低温200℃处理450 h及高温1 500℃处理310 h后仍为单一的四方相结构,说明Er2O_3-Y_2O_3-Ta_2O_5-ZrO_2体系陶瓷具有良好的相稳定性。 展开更多
关键词 热障涂层 Y2O3-ta2o5-ZrO2 相稳定性
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钽表面铜掺杂Ta2O5纳米棒的制备及抗菌性能研究 被引量:2
19
作者 王翠翠 李新宇 +3 位作者 童晨光 蔡安琦 郭宏伟 殷海荣 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第9期3163-3169,共7页
本实验采用两步水热法在钽基体表面制备出掺杂Cu^2+的Ta2O5纳米棒薄膜。采用XRD、SEM、XPS等方法分析了材料的物相和表面微观结构。用ICP检测了样品在生理盐水中离子析出浓度,最后通过平板计数法检验了不同含量铜掺杂Ta2O5薄膜的抗菌能... 本实验采用两步水热法在钽基体表面制备出掺杂Cu^2+的Ta2O5纳米棒薄膜。采用XRD、SEM、XPS等方法分析了材料的物相和表面微观结构。用ICP检测了样品在生理盐水中离子析出浓度,最后通过平板计数法检验了不同含量铜掺杂Ta2O5薄膜的抗菌能力。结果表明,通过两步水热处理,在钽表面生成了简单斜方晶体结构的Ta2O5纳米棒阵列,Cu^2+的掺杂不会对纳米棒薄膜的微观形貌和物相造成显著影响。随时间的增加,掺铜薄膜的铜离子析出速率逐渐趋于平缓。平板计数法表明,Cu^2+的掺杂量达到2.68 at%时,铜掺杂Ta2O5纳米棒薄膜的抗菌性能最好,抗菌率达99.2%。 展开更多
关键词 水热处理 ta2o5纳米棒 铜掺杂 抗菌性
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溅射制备Ta2O5薄膜的表面形貌与光学特性 被引量:2
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作者 狄国庆 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期753-759,共7页
在室温条件下利用溅射Ta2O5靶材的方法制备了Ta2O5薄膜,并采用将薄膜两侧的反射率光谱进行比较的简便方法分析评估薄膜的光吸收,发现溅射制备薄膜的额外光吸收源是溅射引起的缺氧形成的,选择适当的溅射功率和含氧比例的工作气体能有效... 在室温条件下利用溅射Ta2O5靶材的方法制备了Ta2O5薄膜,并采用将薄膜两侧的反射率光谱进行比较的简便方法分析评估薄膜的光吸收,发现溅射制备薄膜的额外光吸收源是溅射引起的缺氧形成的,选择适当的溅射功率和含氧比例的工作气体能有效地消除这些缺陷、不用任何加温处理就可制备得到表面平坦和高致密度的高品质Ta2O5薄膜. 展开更多
关键词 ta2o5薄膜 光吸收 表面形貌 磁控溅射
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