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层状钙钛矿结构SrBi_2Ta_2O_9铁电薄膜的微结构研究 被引量:1
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作者 朱信华 朱滔 +4 位作者 朱健民 周舜华 李齐 刘治国 闵乃本 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期255-,共1页
层状钙钛矿结构SrBi2 Ta2 O9(SBT)铁电薄膜材料由于具有无疲劳特性 ,长的极化寿命和在亚微米 ( <1 0 0nm)厚度时 ,仍然具有体材料的良好电学性能 ,因而成为非挥发性铁电存储器的首选材料。SBT属于Bi系层状钙钛矿结构的铁电材料 ,其... 层状钙钛矿结构SrBi2 Ta2 O9(SBT)铁电薄膜材料由于具有无疲劳特性 ,长的极化寿命和在亚微米 ( <1 0 0nm)厚度时 ,仍然具有体材料的良好电学性能 ,因而成为非挥发性铁电存储器的首选材料。SBT属于Bi系层状钙钛矿结构的铁电材料 ,其化学通式为 (Bi2 O2 ) 2 +(Am -1BmO3 m +1) 2 -,其中A为二价元素 ,B为五价元素 ,m为c轴方向一个晶胞内连续的钙钛结构单元个数。具有铁电性的氧八面体子晶格被非铁电性的 (Bi2 O2 ) 2 +层分隔开 ,形成一种超晶格结构。近年来人们利用多种方法 (如Sol gel,MOD ,PLD等 )制备了SBT铁电薄膜 ,并对其铁电性能及疲劳特性进行了广泛的研究。迄今为止 ,人们对SBT铁电薄膜的微结构研究还比较少 ,对SBT铁电薄膜的耐疲劳机理还不清楚。我们利用高分辨电子显微术 (HRTEM)研究了SBT铁电薄膜的晶界结构 ,分析了小角晶界处的位错组态 ,确定了位错的Burgers矢量及晶界的滑移面 ,并讨论了小角晶界及位错组态对SBT铁电薄膜漏电流密度的影响。采用传统的氧化物混合法烧结制备SrBi2 Ta2 O9陶瓷靶 ,利用脉冲激光沉积法 (PLD)在Pt( 2 0 0nm) /TiO2 ( 5 0nm) /SiO2 /Si衬底上面制备SBT铁电薄膜。衬底温度为 5 5 0℃ ,沉积时间为1 5min ,膜厚 5 0 0nm。合成后的SBT铁电薄膜在氧气氛中 85 0℃下退火 展开更多
关键词 SrBi_2ta_2O_9薄膜 铁电薄膜 微结构 晶界
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EFFECT OF SnO_2 ADDITION ON THE SERVICE LIFE AND ELECTROCHEMICAL PROPERTIES OF Ti/IrO_2,+Ta_2O_5 ANODES IN PHENOLSULFONIC ACID SOLUTION 被引量:3
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作者 J.M. Hu H.M. Meng +2 位作者 D.B. Sun S.J. Zhang J.X. Wu and D.J. Yang Beijing Corrosion and Protection Center, Open Laboratory of Corrosion, Erosion and Surface Technology, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China 《Acta Metallurgica Sinica(English Letters)》 SCIE EI CAS CSCD 2000年第4期937-943,共7页
Service life of two different oxide anodes in phenolsulfonic acid (PSA) solution was investigated by accelerated electrolysis. The durability of Ti/IrO_2+Ta_2 O_5 anode increased by the addition of SnO_2 in the mixed... Service life of two different oxide anodes in phenolsulfonic acid (PSA) solution was investigated by accelerated electrolysis. The durability of Ti/IrO_2+Ta_2 O_5 anode increased by the addition of SnO_2 in the mixed oxides. The degradation mechanisms of Ti/IrO_2+ Ta_2 O_5 and Ti/IrO_2 +Ta_2 O_5 +SnO+2 anodes were different. It was shown from the observation of scanning electron microscopy (SEM) and the electrochcmical measurement that, the deactivation of Ti/IrO_2 + Ta_2 O_5 anode was due to the build-up of an organic film on surface. The growth of the covered film on surface was restricted by addition of SnO_2, which resulted in increasing of the service life of anodes. The over-potential for oxygen evolution on Ti/IrO_2 +Ta_2 O_5 electrode increased after doping SnO_2, and the intermediate products of PSA building-up on the surface was much more rapidly oxidized. Meanwhile, a certain part of the surface oxide deposit entered into the solution leading to loss of oxides, which resulted in degradation of Ti/IroO_2 + Ta_2 O_5 anode containing SnO_2 component. 展开更多
关键词 metal oxide anode IrO_2 + ta_2 O_5 IrO_2 + ta_2 O_5 +SnO_2 phenolsulfonic acid degradation
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津白Ⅱ小鼠自发乳癌(ⅥTA_2MA-891)高自发肺转移模型 被引量:12
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作者 高朋根 苏蕴 +3 位作者 高友春 刘习昌 王继信 张友会 《中国医学科学院学报》 CAS CSCD 北大核心 1994年第2期147-152,共6页
本模型获自我组1只348日龄雌性津白Ⅱ小鼠右侧第五乳腺处一肿物。病理切片检查为乳腺腺癌,属于Dunn(1959)分类之B型。用本组同源小鼠(isogeneicmice)皮下移植已传到27代。连续皮下移植成瘤率为100... 本模型获自我组1只348日龄雌性津白Ⅱ小鼠右侧第五乳腺处一肿物。病理切片检查为乳腺腺癌,属于Dunn(1959)分类之B型。用本组同源小鼠(isogeneicmice)皮下移植已传到27代。连续皮下移植成瘤率为100%,未见自然消退;潜伏期4~7d;肺转移瘤结多发而密集;最早转移时间,肉眼观察为接种后第35天,镜检为第10天。肺自发转移率,11~20代为100%。皮下移植瘤、肺转移瘤之病理组织结构及其癌细胞形态与其原发瘤近似。带瘤鼠濒死时其皮下移植瘤体积平均值为4.93cm3。7种抗癌药对皮下移植瘤抑制率,氟尿嘧啶为29.75%(P<0.05)、塞替派为44.88%(P<0.01)、环磷酰胺95.31%(P<0.01)、平阳霉素96.75%(P<0.01),其它三药抑制率均不足30%。对肺转移瘤抑制率,平阳霉素为42.54%(P<0.01),余不足30%。 展开更多
关键词 小鼠 移植 肺转移 乳腺癌
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TA_2薄板的双向拉伸试验研究 被引量:2
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作者 陈积光 豆志武 李冈陵 《岳阳师范学院学报(自然科学版)》 CAS 2000年第1期46-49,共4页
TA_2钛板具有明显的各向异性和双向强化效应,其双向比例极限和屈服强度比其单向比例极限和屈服强度高40%。
关键词 钛板 双向拉伸 拉伸试验 金属钛
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THE STABILITY INVESTIGATION OF FERROELECTRIC SrBi_2Ta_2O_9 THIN FILMS ANNEALED IN FORMING GAS
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作者 T. Yu D.S. Wang +4 位作者 D. Wu A.D. Li A. Hu Z.G. Liu N.B. Ming 《Acta Metallurgica Sinica(English Letters)》 SCIE EI CAS CSCD 2002年第1期58-60,共3页
The hysteresis loop changes of ferroelecric SrBi_2 Ta_2 O_9 (SBT) thin films(330nm) us the temperature of forming gas (5 percent hydrogen+95 percent nitrogen) annealing weremeasured when the annealing time was 1min an... The hysteresis loop changes of ferroelecric SrBi_2 Ta_2 O_9 (SBT) thin films(330nm) us the temperature of forming gas (5 percent hydrogen+95 percent nitrogen) annealing weremeasured when the annealing time was 1min and 10min. The selected annealing temperature was at 100deg C,200 deg C 250 deg C, 300 deg C, 350 deg C,400 deg C and 450 deg C, respectively. Our resultsshowed that the ferroelectric properties were easily destroyed and the leakage current changedabruptly when the SBT thin films were in their ferroelectric phase (<270 deg C). The space chargesat the grain boundary may take an important role' in absorption polarity molecular hydrogen when theSBT thin films were in the ferroelectric phase. The oxygen recovery experiments were also performedand investigated in this work. 展开更多
关键词 FERROELECTRIC SrBi_2 ta_2 O_9 thin film stability forming gas
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近交系TA_2小鼠的恶性淋巴瘤(L-TA_2)模型的建立和某些生物学特性的观察 被引量:7
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作者 孙慧 候子正 +7 位作者 战忠利 毛慧生 王垣 宁连胜 韩宝国 齐淑玲 苏明秀 高进 《中国肿瘤临床》 CAS CSCD 北大核心 1993年第10期783-787,T000,共5页
本文报告一株新的近交系AT2小鼠自发性恶性淋巴瘤(B-淋巴细胞型)模型建立的经过及其一些生物学特性。历时4年多已传44代,肿瘤生长特性特写,移植率为100%,未见自发消退,宿主平均存活时间为31.2±5.5天,中... 本文报告一株新的近交系AT2小鼠自发性恶性淋巴瘤(B-淋巴细胞型)模型建立的经过及其一些生物学特性。历时4年多已传44代,肿瘤生长特性特写,移植率为100%,未见自发消退,宿主平均存活时间为31.2±5.5天,中数存活时间31.3天。经多种途径(如不同部位皮下,肌肉典型的淋巴瘤,已传代的肿瘤组织学结构和电镜观察与原发瘤基本相同。染色体检查为鼠类肿瘤染色体,众数以三倍体和四倍体、超四倍体为主。 展开更多
关键词 近交系鼠 淋巴瘤 移植模型
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退火温度对Ta_(2)O_(5)薄膜光学和表面特性的影响
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作者 李坤 何延春 +5 位作者 王兰喜 周超 贺颖 王虎 王艺 熊玉卿 《真空与低温》 2024年第1期78-82,共5页
针对退火温度影响Ta_(2)O_(5)薄膜的光学和表面特性的问题,采用电子束蒸发技术在石英基底上制备了该薄膜,并将薄膜样品分别在200℃、400℃和600℃下进行退火。利用光谱仪测试了薄膜的透射率并反演计算得到薄膜的折射率和消光系数的变化... 针对退火温度影响Ta_(2)O_(5)薄膜的光学和表面特性的问题,采用电子束蒸发技术在石英基底上制备了该薄膜,并将薄膜样品分别在200℃、400℃和600℃下进行退火。利用光谱仪测试了薄膜的透射率并反演计算得到薄膜的折射率和消光系数的变化规律,采用X射线衍射仪和原子力显微镜表征了薄膜的表面性能。研究表明,薄膜透射率曲线的峰值随退火温度升高而显著提升。随着退火温度升高,薄膜的折射率和消光系数均逐渐变大,表面粗糙度呈现下降的趋势,表面变得致密。退火前后薄膜均为非晶态。该研究为进一步提高Ta_(2)O_(5)薄膜的性能提供了试验数据。 展开更多
关键词 Ta_(2)O_(5)薄膜 退火温度 光学 表面
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基于悬浮液等离子喷涂的Ba(Mg_(1/3)Ta_(2/3))O_(3)悬浮液制备及涂层组织结构 被引量:1
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作者 曹毓鹏 赵王鑫 +6 位作者 李立 马新野 郑晓霞 刘义 李文辉 宁先进 王全胜 《太原理工大学学报》 CAS 北大核心 2024年第3期493-502,共10页
【目的】常规大气等离子喷涂制备新型热障涂层陶瓷层候选材料Ba(Mg_(1/3)Ta_(2/3))O_(3)(BMT)涂层应变容限较低。【方法】基于悬浮液等离子喷涂技术(SPS),以乙醇为分散介质,聚丙烯酸(PAA)、聚乙烯亚胺(PEI)和聚乙二醇(PEG)为分散剂,借... 【目的】常规大气等离子喷涂制备新型热障涂层陶瓷层候选材料Ba(Mg_(1/3)Ta_(2/3))O_(3)(BMT)涂层应变容限较低。【方法】基于悬浮液等离子喷涂技术(SPS),以乙醇为分散介质,聚丙烯酸(PAA)、聚乙烯亚胺(PEI)和聚乙二醇(PEG)为分散剂,借助机械球磨制备了不同成分配比的BMT悬浮液。通过重力沉降观察法、紫外-可见分光光度计、Zeta电位仪对悬浮液的分散行为进行了研究,分析了分散剂种类及添加量对BMT悬浮液稳定性的影响;并利用SPS沉积了BMT涂层,对涂层的物相结构、表面形貌和截面组织进行了表征分析。【结果】结果表明:分散剂PEI在BMT颗粒表面吸附能够提高其Zeta电位,增强颗粒间斥力,并提供空间位阻作用,相比PAA和PEG,BMT悬浮液可以获得更好的分散效果。同时,添加PEI的BMT悬浮液黏度较低(介于1.5~2mPa·s),适用于SPS.由SPS制备的BMT涂层基本维持了BMT的物相结构,涂层呈现明显的柱状晶组织,且随悬浮液固含量的提高,涂层沉积效率增加,所形成的柱状晶体积更大,符合高应变容限涂层的组织结构特征。 展开更多
关键词 Ba(Mg_(1/3)Ta_(2/3))O_(3) 悬浮液等离子喷涂 分散剂 稳定性 组织结构
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六氟钽酸氨拓扑转变制备低深能级缺陷Ta_(3)N_(5)光阳极实现超低偏压光电化学分解水
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作者 徐伟 甄超 +7 位作者 朱华泽 姚婷婷 邱建航 梁艳 白朔 陈春林 成会明 刘岗 《Chinese Journal of Catalysis》 SCIE CAS CSCD 2024年第6期144-153,共10页
Ta_(3)N_(5)是一种具有2.1 eV直接带隙的n型半导体,其带隙跨越水的氧化还原电位.此外,Ta_(3)N_(5)的理论太阳能制氢效率(STH)高达15.9%,超过商业化应用的效率门槛(10%),是一种理想的光电化学分解水制氢光阳极材料.采用Ta2O5作为前驱体,... Ta_(3)N_(5)是一种具有2.1 eV直接带隙的n型半导体,其带隙跨越水的氧化还原电位.此外,Ta_(3)N_(5)的理论太阳能制氢效率(STH)高达15.9%,超过商业化应用的效率门槛(10%),是一种理想的光电化学分解水制氢光阳极材料.采用Ta2O5作为前驱体,在氨气气氛下高温氮化制备Ta_(3)N_(5)是一个由表及里的非均相氮化过程,该过程会产生大量的低价钽和氮空位等本征深能级缺陷,导致费米能级钉扎效应的产生,从而使得光生电压显著降低和光电流起始电位较高.因此,开发能够进行体相均相氮化的前驱体,以抑制Ta_(3)N_(5)深能级缺陷的产生,具有重要意义.本文采用气相溶剂热法,在钽箔上制备了一种六氟钽酸氨((NH_(4))_(2)Ta_(2)O_(3)F_(6))化合物,并以其多面体锥阵列薄膜作为前驱体,通过可控的氮化过程将前驱体结构拓扑转变为低深能级缺陷含量的Ta_(3)N_(5)多孔阵列薄膜.在高温氮化过程中,(NH_(4))_(2)Ta_(2)O_(3)F_(6)会释放含氮、氢和氟的气体小分子并形成贯穿体相的多孔通道,有利于氨气及氮化过程中产生的其他小分子物质的渗透,促进体相均匀氮化过程,避免生成大量的本征深能级缺陷.同时,(NH_(4))_(2)Ta_(2)O_(3)F_(6)中的高电负性氟离子可以减弱Ta–O键,进一步促进氮化反应.扫描电镜和透射电镜(TEM)结果表明,制备的(NH_(4))_(2)Ta_(2)O_(3)F_(6)是具有实心结构的多面体锥阵列薄膜,而拓扑转变所得的Ta_(3)N_(5)多面体锥薄膜具有多孔结构.X射线光电子能谱(XPS)、紫外-可见漫反射光谱和稳态/瞬态光电压谱表征结果表明,通过(NH_(4))_(2)Ta_(2)O_(3)F_(6)拓扑转变制备Ta_(3)N_(5)可有效抑制Ta_(3)N_(5)薄膜中深能级缺陷的形成.采用两种产氧反应助催化剂依次修饰后,XPS和TEM结果显示出助催化剂的双壳层结构与化学组成.光电化学分解水测试结果表明,所制得的Ta_(3)N_(5)光阳极在AM1.5G模拟太阳光的照射下,可展现出0.2 V_(RHE)(vs.RHE)的极低光电流起始电位,且在1.23 V_(RHE)时的光电流密度可达3.28 mA cm^(–2),经过连续5 h的稳定性测试,仍能保持初始值的85%.此外,稳定性测试前后助催化剂的XPS和TEM结果表明,Ta_(3)N_(5)光阳极光电流下降的原因可能是产氧助催化剂中硼物种的消耗.而通过减小(NH_(4))_(2)Ta_(2)O_(3)F_(6)多面体锥前驱体的尺寸,可以进一步减少Ta_(3)N_(5)薄膜中的本征深能级缺陷的含量,修饰助催化剂后可在0 V_(RHE)下展现出光电催化水氧化活性.综上所述,通过(NH_(4))_(2)Ta_(2)O_(3)F_(6)新型前驱体拓扑转变制备了低深能级缺陷含量的Ta_(3)N_(5)光阳极,表现出极低的光电流起始电位,为构建无偏压下自发全分解水的低深能级缺陷浓度的Ta_(3)N_(5)光电极提供了一种新途径,该方法也可拓展至其他过渡金属氮化物的可控制备与缺陷调控. 展开更多
关键词 (NH_(4))_(2)Ta_(2)O_(3)F_(6) 拓扑转变 低缺陷Ta3N5 起始电位 光电化学分解水
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Li、Ce掺杂对NBTa-CBN高温压电陶瓷性质的影响研究
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作者 徐鸿飞 史伟 +2 位作者 官尚义 吴禹桐 陈强 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第2期184-190,共7页
采用传统固相反应法制备了Ca_(0.5)(Na_(0.5)Bi_(0.5))_(0.5-3 x)(Li_(0.5)Ce_(0.5))_(3x) Bi_(2)TaNb_(0.99)Mn_(0.01)O_(9)(CNBTNM-LC100_(x))高居里温度(T_(C))压电陶瓷。研究了Li、Ce复合离子掺杂对陶瓷结构和电学性质的影响。结果... 采用传统固相反应法制备了Ca_(0.5)(Na_(0.5)Bi_(0.5))_(0.5-3 x)(Li_(0.5)Ce_(0.5))_(3x) Bi_(2)TaNb_(0.99)Mn_(0.01)O_(9)(CNBTNM-LC100_(x))高居里温度(T_(C))压电陶瓷。研究了Li、Ce复合离子掺杂对陶瓷结构和电学性质的影响。结果表明,随着Li、Ce掺杂量的增加,CNBTNM-LC100_(x)陶瓷的晶体结构趋于由正交相向四方相转变,压电常数d 33逐渐增大,当x>0.04(x为摩尔分数)时,d 33趋于降低。x=0.04时,具有最优的综合电学性能,d 33约为15.9 pC/N,600℃下直流电阻率ρ约为5.9×10^(5)Ω·cm,介电损耗tanδ(1 MHz)约为7%,T_(C)约为887℃。 展开更多
关键词 压电陶瓷 铋层状铁电体 高居里温度 Na_(0.5)Bi_(2.5)Ta_(2)O_(9) CaBi_(2)Nb_(2)O_(9)
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电解液温度对Ta_(2)O_(5)阳极氧化膜结构和性能的影响
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作者 田超 王凤华 +1 位作者 郑传江 刘开文 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2024年第2期197-203,共7页
磷酸电解液中,采用阳极氧化法在高纯钽箔表面制备Ta_(2)O_(5)阳极氧化膜,通过椭圆偏振光谱仪、X射线衍射仪、X射线光电子能谱和电化学测试等,研究了电解液温度对Ta_(2)O_(5)阳极氧化膜结构、化学组成、介电性能和绝缘性能的影响。结果表... 磷酸电解液中,采用阳极氧化法在高纯钽箔表面制备Ta_(2)O_(5)阳极氧化膜,通过椭圆偏振光谱仪、X射线衍射仪、X射线光电子能谱和电化学测试等,研究了电解液温度对Ta_(2)O_(5)阳极氧化膜结构、化学组成、介电性能和绝缘性能的影响。结果表明,Ta_(2)O_(5)阳极氧化膜中结合有少量的电解液阴离子,且结合的阴离子含量和分布深度随电解液温度升高而降低;Ta_(2)O_(5)阳极氧化膜介电常数和绝缘强度随电解液温度升高而增大,但过高的温度会促进非晶态Ta_(2)O_(5)晶化从而导致氧化膜性能劣化。当电解液温度从25℃升高至85℃时,氧化膜介电常数增大约3.5%,耐击穿电压提高约1%,膜中结合态阴离子的分布深度从氧化膜厚度的约1/2降低至约1/4。基于实验结果,钽在磷酸电解液中的最佳阳极氧化温度是85℃。 展开更多
关键词 Ta_(2)O_(5) 阳极氧化法 电解液温度 化学组成 介电性能
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镁热还原Ta_(2)O_(5)制备电容器用钽粉工艺研究
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作者 邹林燕 《稀有金属与硬质合金》 CAS CSCD 北大核心 2024年第3期55-59,共5页
通过镁热还原Ta_(2)O_(5)制备电容器用钽粉,研究了镁加入量、保温温度及时间对钽粉成分及其电性能的影响。结果表明:镁加入量过少、保温温度过低以及保温时间过短均会造成Ta_(2)O_(5)还原不彻底;但镁加入量过多会造成钽粉漏电流增大以... 通过镁热还原Ta_(2)O_(5)制备电容器用钽粉,研究了镁加入量、保温温度及时间对钽粉成分及其电性能的影响。结果表明:镁加入量过少、保温温度过低以及保温时间过短均会造成Ta_(2)O_(5)还原不彻底;但镁加入量过多会造成钽粉漏电流增大以及镁屑和酸的浪费,保温温度过高、保温时间过长则会造成钽粉电容损失及能耗增大,成本增加。为了达到降本增效的目的,镁加入量宜为理论量的2倍,保温温度宜控制在960℃左右,保温时间以6 h为宜。此工艺条件下制备的钽粉氧含量为0.362 0%,镁含量为0.001 1%,漏电流系数K值为4.4×10^(-4)μA/(μF·V),重量比容为15 630μF·V/g。 展开更多
关键词 电容器用钽粉 镁热还原 Ta_(2)O_(5) 镁加入量 保温温度 保温时间 重量比容
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Ti/PbO_(2)电极与Ti/IrO_(2)+Ta_(2)O_(5)电极催化体系降解酸性大红染料废水的比较研究
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作者 钟义方 李佳文 +4 位作者 赵颖 苗铮杭 张毓豪 严寒毅 沈宏 《四川环境》 2024年第1期153-159,共7页
为比较Ti/PbO_(2)电极和Ti/IrO_(2)+Ta_(2)O_(5)电极催化体系降解酸性大红(GR)染料废水的处理效果,并确定体系最佳工艺参数。分别对Ti/PbO_(2)电极和Ti/IrO_(2)+Ta_(2)O_(5)电极催化体系内初始pH、染料初始浓度、电流密度、电解质浓度... 为比较Ti/PbO_(2)电极和Ti/IrO_(2)+Ta_(2)O_(5)电极催化体系降解酸性大红(GR)染料废水的处理效果,并确定体系最佳工艺参数。分别对Ti/PbO_(2)电极和Ti/IrO_(2)+Ta_(2)O_(5)电极催化体系内初始pH、染料初始浓度、电流密度、电解质浓度对GR染料降解率的影响进行了探索,比较工艺参数优化后两催化体系的GR降解率、电极形貌及TOC去除率。结果表明,工艺参数优化后(初始pH 6.38,染料初始浓度100 mg/L,电流密度50 mA/cm^(2),电解质浓度0.1 mg/L),Ti/PbO_(2)电极和Ti/IrO_(2)+Ta_(2)O_(5)电极催化体系GR去除率分别可达98.3%和61.1%,TOC去除率为25.4%和13.5%;结合电极表面形貌分析,Ti/IrO_(2)+Ta_(2)O_(5)电极表面损毁较明显,而Ti/PbO_(2)电极表面变化不大。因此,Ti/PbO_(2)电极催化体系GR降解率、TOC去除率均较高,且电极稳定性较好。研究结果为进一步推动电催化法在染料废水处理实际应用领域提供了理论参考。 展开更多
关键词 电催化氧化 Ti/PbO_(2)电极 Ti/IrO_(2)+Ta_(2)O_(5)电极 酸性大红染料
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专利信息
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《佛山陶瓷》 CAS 2024年第3期190-190,共1页
一种瓷砖用高硬度高耐磨陶瓷材料及其制备方法。本发明属于材料制备技术领域,具体公开了一种瓷砖用高硬度高耐磨陶瓷材料及其制备方法,陶瓷材料自下而上具体包括:陶瓷基体8-10mm,耐磨层60-70μm;所述陶瓷基体为经过原材料压制、烧结得... 一种瓷砖用高硬度高耐磨陶瓷材料及其制备方法。本发明属于材料制备技术领域,具体公开了一种瓷砖用高硬度高耐磨陶瓷材料及其制备方法,陶瓷材料自下而上具体包括:陶瓷基体8-10mm,耐磨层60-70μm;所述陶瓷基体为经过原材料压制、烧结得到的坯体;所述原材料具体包括如下重量份组分:TiO_(2):80-90份,Cr_(2)O_(3):75-80份,Nb_(2)O_(5):135-140份,Ta_(2)O_(5):220-230份,MoO_(3):145-160份,C:48-60份;本发明通过对原材料采用放电烧结制成陶瓷基体,采用微弧氧化制成耐磨层的方式,实现了陶瓷耐磨性、硬度的增强。 展开更多
关键词 陶瓷基体 陶瓷材料 材料制备技术 专利信息 耐磨层 瓷砖 Ta_(2)O_(5) 放电烧结
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TaC_(0.3)-20%Ni复合材料的合成及组织性能
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作者 魏彦博 管政 刘利盟 《山东化工》 CAS 2023年第5期5-10,共6页
以TaC、Ta和Ni粉为原料,采用热压法制备名义成分为TaC_(0.3)-20%(体积分数)Ni的复合材料,研究热压温度在1 100~1 900℃范围内变化对TaC+Ta反应进程、物相、显微组织和力学性能的影响。根据压头位移,致密化过程可分为四个阶段,反应致密... 以TaC、Ta和Ni粉为原料,采用热压法制备名义成分为TaC_(0.3)-20%(体积分数)Ni的复合材料,研究热压温度在1 100~1 900℃范围内变化对TaC+Ta反应进程、物相、显微组织和力学性能的影响。根据压头位移,致密化过程可分为四个阶段,反应致密化主要发生在第二阶段950~1 700℃,充分反应后,生成平衡物相Ta_2C和Ni_3Ta相。在1 600℃/30 MPa/30 min条件下热压,材料能够完全致密,并形成均匀的细晶组织(平均晶粒尺寸小于5μm),测量的抗弯强度和断裂韧性分别为(689±71) MPa和(5.72±0.57) MPa·m~(1/2)。当热压温度超过Ni_3Ta熔点(约1 500℃)较多时(例如T=1 700℃),熔化的Ni_3Ta被挤出而获得几乎单相的Ta_2C陶瓷材料。1 900℃条件下制备的复合材料中晶粒长大到40~50μm,虽然断裂韧性值可达到(6.96±0.38) MPa·m~(1/2),但粗大晶粒作为结构缺陷诱发裂纹扩展,使抗弯强度略降低到(546±44) MPa。 展开更多
关键词 ta_2C陶瓷 显微结构 力学性能
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Pb(Sc_(1/2)Ta_(1/2))O_(3)铁电陶瓷的制备及热膨胀性能研究
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作者 赵永秀 何春香 +2 位作者 高文杰 宋璐雯 杨龙海 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2023年第5期7-11,共5页
由于Pb(Sc_(1/2)Ta_(1/2))O_(3)弛豫铁电陶瓷较高的烧结温度易导致Pb挥发,固相法制备难。首先,采用钨锰铁矿法合成纯相结构的ScTaO4和Pb(Sc_(1/2)Ta_(1/2))O_(3)粉体。其次,分别采用直接埋烧法、PbO过量法、两步烧结法对陶瓷的制备工艺... 由于Pb(Sc_(1/2)Ta_(1/2))O_(3)弛豫铁电陶瓷较高的烧结温度易导致Pb挥发,固相法制备难。首先,采用钨锰铁矿法合成纯相结构的ScTaO4和Pb(Sc_(1/2)Ta_(1/2))O_(3)粉体。其次,分别采用直接埋烧法、PbO过量法、两步烧结法对陶瓷的制备工艺进行探索。最后,对陶瓷的热膨胀性能进行分析。结果表明:直接埋烧法和PbO过量法产生了大量焦绿石相和钽氧化物,合成的主晶相较少。两步烧结法有效抑制了Pb的挥发,制备的陶瓷以立方钙钛矿相为主。随温度升高,热应变呈现升高趋势,在-150~150℃内,其值为正。热膨胀率与温度的关系图为V型,约为-30℃时热膨胀系数最低,其值为负。 展开更多
关键词 Pb(Sc_(1/2)Ta_(1/2))O_(3)陶瓷 相结构 两步烧结法 热膨胀性能
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TiO_(2)纳米管表面聚合物辅助沉积Ta_(2)O_(5)涂层对MC3T3-E1细胞生物学活性的影响
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作者 王非凡 王庆福 +1 位作者 张硕 李广忠 《天津医药》 CAS 北大核心 2023年第8期803-808,共6页
目的探讨TiO_(2)纳米管表面聚合物辅助沉积五氧化二钽(Ta_(2)O_(5))涂层对小鼠成骨前体细胞MC3T3-E1生物学活性的影响。方法制备出Ta/TiO_(2)纳米管(Ta/NT组)、Ta_(2)O_(5)/纯钛(Ta_(2)O_(5)/PT组)及Ta_(2)O_(5)/TiO_(2)纳米管(Ta_(2)O_... 目的探讨TiO_(2)纳米管表面聚合物辅助沉积五氧化二钽(Ta_(2)O_(5))涂层对小鼠成骨前体细胞MC3T3-E1生物学活性的影响。方法制备出Ta/TiO_(2)纳米管(Ta/NT组)、Ta_(2)O_(5)/纯钛(Ta_(2)O_(5)/PT组)及Ta_(2)O_(5)/TiO_(2)纳米管(Ta_(2)O_(5)/NT组)3组样本,其中后2组的Ta_(2)O_(5)涂层通过聚合物辅助沉积法制备。对3组样品进行表征检测:扫描电镜(SEM)观察表面形貌,X射线光电子能谱(XPS)分析表面元素组成,X射线衍射(XRD)检测表面化合物。选用MC3T3-E1细胞探讨3组样品对细胞生物学活性影响;荧光显微镜观察细胞骨架和细胞核的黏附;CCK-8法测定细胞活性;检测细胞碱性磷酸酶(ALP)活性;茜素红染色后半定量分析钙沉积;Real-time PCR检测成骨标志基因重组人骨形态发生蛋白-2(BMP-2)、ALP、骨钙蛋白(OCN)和骨桥蛋白(OPN)的基因表达。结果SEM图像显示Ta_(2)O_(5)/NT组表面可见TiO_(2)纳米管基底表面覆盖片状、带状交联的微-纳米级Ta_(2)O_(5)涂层结构;XRD显示Ta_(2)O_(5)/NT组的TiO_(2)纳米管呈现微量的脱矿钛及金红石晶体结构;与Ta/NT组比,Ta_(2)O_(5)/NT组和Ta_(2)O_(5)/PT组黏附细胞核密度较高,细胞骨架块状、丝状结构相对较大,交联、团簇状较多,细胞骨架张力较大,具有较高的细胞活力;茜素红染色样本半定量分析显示Ta_(2)O_(5)/NT组、Ta/NT组、Ta_(2)O_(5)/PT组钙沉积量依次降低(P<0.01);Ta_(2)O_(5)/NT组、Ta/NT组和Ta_(2)O_(5)/PT组7d和14d的ALP活性、钙沉积量和ALP、OCN、OPN mRNA含量依次降低,14 d Ta_(2)O_(5)/NT组的BMP-2 mRNA含量在3组中最高(P<0.05)。结论Ta_(2)O_(5)/TiO_(2)纳米管复合涂层可促进MC3T3-E1细胞黏附、细胞活性、ALP活性、矿化及成骨相关基因的表达,有利于其生物学活性的发挥。 展开更多
关键词 纳米管 TA Ta_(2)O_(5)涂层 聚合物辅助沉积 表面改性 生物活性
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渗碳处理对等离子喷涂TaC涂层结构和物相组成的影响
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作者 洪督 黄利平 +5 位作者 黄山松 钟鑫 石旻昊 丁毅 牛亚然 郑学斌 《热喷涂技术》 2023年第2期13-18,共6页
TaC涂层在还原气氛下能耐酸、碱、盐等物质的腐蚀,是优异的表面防护涂层材料。本文结合喷雾干燥与等离子球化技术制备TaC粉体,并采用真空等离子喷涂技术制备TaC涂层。采用真空碳管炉对涂层进行渗碳处理,比较研究不同渗碳温度对涂层结构... TaC涂层在还原气氛下能耐酸、碱、盐等物质的腐蚀,是优异的表面防护涂层材料。本文结合喷雾干燥与等离子球化技术制备TaC粉体,并采用真空等离子喷涂技术制备TaC涂层。采用真空碳管炉对涂层进行渗碳处理,比较研究不同渗碳温度对涂层结构和物相组成的影响。结果发现,相较于喷雾造粒,等离子球化处理的TaC粉体呈致密球形,该粉体制备的涂层较为致密,孔隙率较低。此外,喷涂过程中TaC发生脱碳产生Ta_(2)C相,而渗碳反应可以将喷涂过程中产生的Ta_(2)C相转化成TaC相。Ta_(2)C与C反应生成TaC的过程受动力学控制,当渗碳温度超过900℃时,几乎完全转化为TaC相。 展开更多
关键词 TAC Ta_(2)C 等离子喷涂 渗碳
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揭示NiS@Ta_(2)O_(5)纳米纤维中梯型电荷转移路径及光催化CO_(2)转化性能
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作者 邵秀丽 李可 +3 位作者 李静萍 程强 王国宏 王楷 《Chinese Journal of Catalysis》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第8期193-203,共11页
近年来,人口的快速增长和化石燃料的过度使用导致大气中的CO_(2)含量持续上升.光催化技术是可以解决上述问题的有效途径之一.利用光催化技术将大气中CO_(2)还原为以CO,CH_(4),CH_(3)OH为代表的气相或液相碳氢燃料是解决能源危机和温室... 近年来,人口的快速增长和化石燃料的过度使用导致大气中的CO_(2)含量持续上升.光催化技术是可以解决上述问题的有效途径之一.利用光催化技术将大气中CO_(2)还原为以CO,CH_(4),CH_(3)OH为代表的气相或液相碳氢燃料是解决能源危机和温室效应的有效策略.为实现高效率光催化CO_(2)还原反应,半导体光催化剂应具有光吸收范围广、载流子传输路径短及反应活性位点丰富等优点.一维纳米结构光催化剂结合了纳米颗粒和薄膜的优点,有利于材料在光催化反应后从体系中有效分离.特别是通过静电纺丝法制备的纳米纤维光催化剂可以组装成独特的三维网络,在光催化CO_(2)还原领域中更有利于光催化剂的重复使用.一维Ta_(2)O_(5)纳米纤维能够有效缩短光生电子从材料内部到材料表面的传输距离,减少电子和空穴在光催化剂中的复合.但Ta_(2)O_(5)的带隙较宽,导致光响应范围窄,而且在单一的半导体材料中,宽可见光吸收范围和强氧化还原能力难以共存.NiS是一种直接带隙硫化物半导体光催化剂,拥有较宽的光响应范围.为了提高单一Ta_(2)O_(5)纳米纤维的光催化活性和光吸收范围,构建梯型异质结已被证实是提高光催化活性的一种有前途的策略.梯型异质结不仅能有效地分离光生电子和空穴,而且有利于还原能力低的半导体导带上的电子和氧化能力低的半导体价带上的空穴复合,而氧化还原能力较强的空穴和电子分别被保留.因此,构建新型梯型NiS@Ta_(2)O_(5)异质结纤维光催化剂可以解决太阳能利用率低和光生载流子复合速率快的问题,在光催化还原CO_(2)领域具有重要的理论和现实意义.本文利用简单的静电纺丝辅助离子交换策略制备了一系列梯型NiS@Ta_(2)O_(5)异质结光催化剂(标记为xNSTO,x=10,20,50,代表Ni(OH)2@Ta_(2)O_(5)中Ni(OH)_(2)的百分含量),采用透射电子显微镜(TEM)和能谱分析观察了光催化剂的形貌及元素分布,结果表明,二维NiS纳米片生长在一维Ta_(2)O_(5)纤维上形成均匀分布的核-壳结构.光电流、表面光电压谱及阻抗响应图谱表明,NSTO复合材料具有较高的光响应和较低的阻抗,有利于电子空穴的运输.光催化CO_(2)还原测试结果表明,20NSTO催化剂拥有最高的CO_(2)光还原活性(CO产率43.27μmol g^(-1)h^(-1);CH_(4)产率6.56μmol g^(-1)h^(-1)).同时,催化剂经过10次循环测试后催化活性没有明显下降,说明光催化剂具有较好的稳定性.此外,界面内建电场、能带边缘弯曲和库仑协同作用促进了NiS@Ta_(2)O_(5)异质结光催化剂相对无用的电子和空穴的复合.原位辐照X射线光电子能谱测试和电子顺磁共振实验结果表明NiS@Ta_(2)O_(5)异质结光催化剂中的电子迁移遵循梯型电荷转移路径.综上,本文提供了一种简单的纳米纤维基梯型异质结光催化剂的制备方法,可以优化能带结构以促进光生载流子的分离,从而实现高效的太阳燃料制备. 展开更多
关键词 Ta_(2)O_(5)纳米纤维 异质结 光催化CO_(2)还原 电荷分离 梯型机理
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氧氩比对Ta_(2)O_(5)栅介质薄膜晶体管电学性能的影响
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作者 王超 刘芙男 +2 位作者 杨帆 张含悦 杨小天 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2021年第12期1623-1629,共7页
为了有效提高薄膜晶体管的电学性能,采用了高介电常数的材料代替传统的SiO_(2)作为栅介质。相比传统的SiO_(2)薄膜,Ta_(2)O_(5)薄膜具有较大的介电常数,又能够与传统的半导体制备工艺很好地兼容,有很大潜力成为新一代的栅介质材料,更适... 为了有效提高薄膜晶体管的电学性能,采用了高介电常数的材料代替传统的SiO_(2)作为栅介质。相比传统的SiO_(2)薄膜,Ta_(2)O_(5)薄膜具有较大的介电常数,又能够与传统的半导体制备工艺很好地兼容,有很大潜力成为新一代的栅介质材料,更适用于新一代薄膜晶体管的发展。采用磁控溅射方法制备了Ta_(2)O_(5)薄膜,并以Ta_(2)O_(5)作为栅介质制备了AZO-TFT。研究了氧氩比条件对Ta_(2)O_(5)薄膜性质的影响,以及对AZO-TFT电学性能的影响;分析了Ta_(2)O_(5)薄膜的表面形貌及粗糙度对薄膜晶体管性能的影响;最后,对比了SiO_(2)栅介质与Ta_(2)O_(5)栅介质薄膜晶体管的电学性能。实验结果表明氧氩比为10∶90时Ta_(2)O_(5)栅介质TFT器件电学性能最优,与传统SiO_(2)栅介质TFT相比,电流开关比由1.02×10^(3)提升到2×10^(4),亚阈值摆幅从5 V·dec^(-1)降到1.5 V·dec^(-1),迁移率从1.6 cm^(2)/(V·s)增加到12.2 cm^(2)/(V·s),器件电学性能得到一定改善。 展开更多
关键词 Ta_(2)O_(5)栅介质 薄膜晶体管 磁控溅射 氧氩比
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