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五氧化二钽薄膜的制备及其I-U特性
被引量:
4
1
作者
王超
庄大明
+3 位作者
张弓
侯亚奇
吴敏生
刘家俊
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
2003年第1期61-63,67,共4页
本文利用脉冲直流反应磁控溅射的方法制备了五氧化二钽 (Ta2 O5)薄膜 ,俄歇电子能谱仪测试了薄膜的成分含量 ,椭偏仪测试了Ta2 O5薄膜的厚度和折射率 ,XRD分析了薄膜的晶体结构 ,并且分别研究了氧气含量、基底温度等成膜工艺对薄膜的影...
本文利用脉冲直流反应磁控溅射的方法制备了五氧化二钽 (Ta2 O5)薄膜 ,俄歇电子能谱仪测试了薄膜的成分含量 ,椭偏仪测试了Ta2 O5薄膜的厚度和折射率 ,XRD分析了薄膜的晶体结构 ,并且分别研究了氧气含量、基底温度等成膜工艺对薄膜的影响。研究结果表明薄膜的成分主要是由氧气含量决定的。利用金属 绝缘体 (介质膜 ) 金属 (MIM)结构初步对Ta2 O5薄膜进行了电学性能的测试 :皮安电流电压源测试了薄膜的I U特性 ,制备出的薄膜折射率在 2 1~ 2 2 ,MIM的I
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关键词
五氧化二钽薄膜
制备
i
-
u
特性
脉冲直流反应磁控溅射
下载PDF
职称材料
五氧化二钽薄膜的I—V特性
被引量:
5
2
作者
王超
庄大明
+1 位作者
张弓
吴敏生
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第3期332-336,共5页
采用直流脉冲反应磁控溅射方法制备了高介电常数五氧化二钽(Ta_2O_5)薄膜。利用Ta/Ta_2O_5/Ta的MIM电容结构分析了Ta_2O_5的电学性能,研究了上电极面积对I-V特性的影响、I-V曲线的对称性和零点偏移以及薄膜缺陷和基底粗糙度对MIM电学性...
采用直流脉冲反应磁控溅射方法制备了高介电常数五氧化二钽(Ta_2O_5)薄膜。利用Ta/Ta_2O_5/Ta的MIM电容结构分析了Ta_2O_5的电学性能,研究了上电极面积对I-V特性的影响、I-V曲线的对称性和零点偏移以及薄膜缺陷和基底粗糙度对MIM电学性能的影响。结果表明,随着上电极面积增大,电容的漏电流密度增大,击穿场强减小。氧化钽薄膜中缺陷的存在和粗糙度增大容易引起漏电流增大,击穿强度降低。当上电极直径为1mm时,MIM电容的性能最佳:击穿强度为2.22MV/cm,漏电流密度低于1×10^(-8)A/cm^2。
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关键词
无机非金属材料
氧化钽薄膜
磁控溅射
金属—绝缘体—金属
i
—V特性
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职称材料
题名
五氧化二钽薄膜的制备及其I-U特性
被引量:
4
1
作者
王超
庄大明
张弓
侯亚奇
吴敏生
刘家俊
机构
清华大学机械工程系薄膜实验室
出处
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
2003年第1期61-63,67,共4页
文摘
本文利用脉冲直流反应磁控溅射的方法制备了五氧化二钽 (Ta2 O5)薄膜 ,俄歇电子能谱仪测试了薄膜的成分含量 ,椭偏仪测试了Ta2 O5薄膜的厚度和折射率 ,XRD分析了薄膜的晶体结构 ,并且分别研究了氧气含量、基底温度等成膜工艺对薄膜的影响。研究结果表明薄膜的成分主要是由氧气含量决定的。利用金属 绝缘体 (介质膜 ) 金属 (MIM)结构初步对Ta2 O5薄膜进行了电学性能的测试 :皮安电流电压源测试了薄膜的I U特性 ,制备出的薄膜折射率在 2 1~ 2 2 ,MIM的I
关键词
五氧化二钽薄膜
制备
i
-
u
特性
脉冲直流反应磁控溅射
Keywords
tantalum pentoxide
,
mim
,
i u characteristics
,
magnetron sputtering
分类号
O484 [理学—固体物理]
TB43 [一般工业技术]
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职称材料
题名
五氧化二钽薄膜的I—V特性
被引量:
5
2
作者
王超
庄大明
张弓
吴敏生
机构
清华大学机械工程系薄膜实验室
清华大学
出处
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第3期332-336,共5页
文摘
采用直流脉冲反应磁控溅射方法制备了高介电常数五氧化二钽(Ta_2O_5)薄膜。利用Ta/Ta_2O_5/Ta的MIM电容结构分析了Ta_2O_5的电学性能,研究了上电极面积对I-V特性的影响、I-V曲线的对称性和零点偏移以及薄膜缺陷和基底粗糙度对MIM电学性能的影响。结果表明,随着上电极面积增大,电容的漏电流密度增大,击穿场强减小。氧化钽薄膜中缺陷的存在和粗糙度增大容易引起漏电流增大,击穿强度降低。当上电极直径为1mm时,MIM电容的性能最佳:击穿强度为2.22MV/cm,漏电流密度低于1×10^(-8)A/cm^2。
关键词
无机非金属材料
氧化钽薄膜
磁控溅射
金属—绝缘体—金属
i
—V特性
Keywords
i
norgan
i
c non-metall
i
c mater
i
als,
tantalum
ox
i
de f
i
lms,
magnetron sputtering
,
mim
,
i
-V
characteristics
分类号
TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
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1
五氧化二钽薄膜的制备及其I-U特性
王超
庄大明
张弓
侯亚奇
吴敏生
刘家俊
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
2003
4
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职称材料
2
五氧化二钽薄膜的I—V特性
王超
庄大明
张弓
吴敏生
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
5
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职称材料
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