非晶Tb-Gd-Co合金薄膜特性研究

磁光存储材料的研充,最重要的是探求实用化磁光介质薄膜材料和制备工艺.非晶稀土-过渡金属（以下缩写为RE-TM）材料,适于使用制作磁光盘已崭露头角,由三元合金Gd-Fe-Co或Tb-Fe-Co膜做成的磁光盘样机已经问世.在以（Tb,Gd）x-（Fe,Co）1-x为基础的合金薄膜系列里,Tb-Gd-Co比Gd-Fe-Co有更大的矫顽力,这对提高存储密度是有利的.此外,Tb-Gd-Co材料还可以提供稍大的克尔（Kerr）旋转角θk和宽温特性.近年来,人们很重视非晶Tb-Gd-Co膜的研究,Togami首先报道Tb-Gd-Co膜,随后,Luborsky等人从实验肯定Tb-Gd-Co膜用作磁光介质的稳定性.为使Tb-Gd-Co材料达到实用化,本文研究了溅射参数对非晶Tb-Gd-Co合金薄膜特性的影响。

ICP-AES法测定钕铁硼磁体中的元素含量

建立了钕铁硼合金中镝、铁、镨、钕、钆、钬、铝、硼、铜、钴、镓、铽、铈和锆各元素的电感耦合等离子体发射光谱分析(ICP-AES)方法。采用盐酸(1+1)溶液溶解样品,定容后用ICP-AES检测。为了提高测量准确度,减小基体效应对元素测量的影响,对高含量元素50倍稀释后进行测试,低含量元素则通过基体匹配法进行检测。进行了加标回收实验和精密度实验,各元素的回收率为83%~114%,相对标准偏差0.1%~1.5%,结果表明,该方法满足钕铁硼样品元素含量分析的日常检测要求,具有操作简便、快速、准确度高等特点。