TbHx晶界扩散细晶钕铁硼磁体的组织结构与性能

通过调整粉末粒度控制烧结钕铁硼磁体的晶粒尺寸,研究烧结温度对磁性能的影响。在磁体表面涂覆TbHx然后进行晶界扩散,研究晶粒细化对TbHx晶界扩散磁体性能的影响。结果表明:Tb原子扩散进入主相晶粒边缘区域,使主相晶粒外延层产生磁硬化;晶粒细小磁体中的Tb元素均匀分布于晶界,形成连续的重稀土薄层,起到良好的去磁耦合作用,从而提高磁体内禀矫顽力。因此,细晶粒磁体晶界扩散后矫顽力提升幅度大,且剩磁下降较小,具有好的综合磁性能。

氧含量对烧结NdFeB磁体晶界调控的影响

晶界扩散技术经过近些年的发展,研究人员对晶界扩散技术的涂覆化合物种类、涂覆方式、热处理工艺等进行了系统的研究。O元素是烧结NdFeB磁体生产环节中重要的影响因素,但对晶界扩散的影响却很少被研究。通过调节磁体制备工艺,获得不同O含量的NdFeB磁体,并对磁体分别进行Tb4O7和TbHx晶界扩散。得出当涂覆增重小于7 mg·cm^-2时,两种化合物对磁体矫顽力的提升幅度基本一致。当涂覆增重为11 mg·cm^-2时,随着基体中O含量的增加,两种化合物对矫顽力的提升都有不同程度的减弱。EPMA结果显示:Tb4O7晶界扩散后O,Tb元素主要分布于三角晶界处,呈团聚状态。TbHx晶界扩散后Tb元素分布相对弥散,浓度梯度不明显。在高O基体中,相同涂覆量条件下,TbHx晶界扩散后对矫顽力提升幅度比Tb4O7晶界扩散后高1.6 kOe。

特高综合磁性能晶界扩散磁体的研究

采用Tb_(4)O_(7), TbHx和Nd_(2)O_(3)+Tb_(4)O_(7)三种扩散源,通过晶界扩散技术制备出特高综合磁性能的钕铁硼磁体,对不同扩散源的扩散效果及扩散机制进行研究。采用TbHx进行晶界扩散,获得综合磁性能(BH)max+Hcj=84.26,矫顽力温度系数为-0.361%·℃^(-1)的最佳钕铁硼磁体,SEM微观结构分析表明TbHx扩散源制备磁体在靠近磁体的表层晶粒形态与中心晶粒一致,晶粒表面平整。