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Te vapor annealing of indium-doped CdMnTe crystals
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作者 张继军 王林军 +3 位作者 闵嘉华 秦凯丰 施朱斌 梁小燕 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2013年第3期17-20,共4页
Thermal annealing in Te vapor atmosphere was adopted to improve the properties of indium-doped Cd_(1-x)Mn_xTe(x=0.2,CdMnTe) wafers grown by the vertical Bridgman method.The wafers before and after annealing were chara... Thermal annealing in Te vapor atmosphere was adopted to improve the properties of indium-doped Cd_(1-x)Mn_xTe(x=0.2,CdMnTe) wafers grown by the vertical Bridgman method.The wafers before and after annealing were characterized by measuring the Te inclusions,etch pit density(EPD),Mn composition,resistivity, and impurity.IR transmission microscopy and EPD measurements revealed that the densities of Te inclusions reduced from(5-9)×10~4 cm^(-3) to(2-4)×10~4 cm^(-3) and EPD from 10~5 cm^(-2) to 10~4 cm^(-2) after annealing. NIR transmission spectroscopy showed that the Mn composition increased by 0.002-0.005 mole fractions during the annealing.The resistivity of the wafers improved from(2.0-4.5)×10~8Ω·cm to(1.7-3.8)×10~9Ω·cm,which suggested that the deep-level donor of Te antisites was successfully introduced after annealing.Inductively coupled plasma-mass spectrometry(ICP-MS) revealed that the concentrations of impurities in the wafer decreased,which indicated the purifying effects of Te vapor annealing on the wafers.All the results demonstrate that the Te vapor annealing of the indium-doped CdMnTe crystal has positive effects on the crystallinity,resistivity and purity of CdMnTe wafers. 展开更多
关键词 Cd_(1-x)Mn_xte indium dopant te vapor annealing resistivity IMPURITY
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由TES反演的大气水汽中δD的时空分布特征 被引量:7
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作者 章新平 张新主 +2 位作者 关华德 黄一民 吴华武 《气象学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期1367-1380,共14页
水汽在大气中的输送具有空间上和时间上的连续性。利用水汽同位素可以更全面地分析水汽的来源、路径、水循环中各分量的再分配和补给形式,更深入地了解水循环中各种空间和时间尺度下水汽的连续变化特征和历史。本研究利用对流层发射光谱... 水汽在大气中的输送具有空间上和时间上的连续性。利用水汽同位素可以更全面地分析水汽的来源、路径、水循环中各分量的再分配和补给形式,更深入地了解水循环中各种空间和时间尺度下水汽的连续变化特征和历史。本研究利用对流层发射光谱仪(TES)反演的825—100hPa层间7个等压面上HDO和H2O数据分析了对流层不同层次大气水汽中δD的时空分布规律以及水汽中δD与大气湿度、大气温度的关系,探讨了水汽同位素与降水同位素的关系以及大尺度水循环过程对水汽同位素的可能影响。结果显示,在空间分布上,对流层大气中水汽δD具有非常明显的带状分布,水汽中δD的分布与可降水量的分布存在很好的对应关系;水汽中δD随垂直气压呈对数型递减,平均递减率由赤道向高纬度减小、陆地向海洋减小。在时间变化上,大气水汽中δD的季节变化存在地域性差别。在中低纬度陆地,水汽中δD的季节变化明显,且与可降水量的季节变化相对应;在中高纬度的许多地区,夏季水汽中δD小于冬季。对流层水汽中δD的空间分布和季节变化具有一致性特点,上对流层和下平流层间水汽中δD的空间分布和季节性变化特点与对流层相反。对流层大气水汽中的δD与层间平均温度和可降水量的相关关系具有相似的分布形势。与降水中的稳定同位素相比,水汽中的稳定同位素在空间分布、季节变化、与温度和湿度的关系上存在某些差异,反映二者在受稳定同位素分馏的影响和水循环中大气环流类型的影响方面存在明显差别。 展开更多
关键词 teS 水汽 稳定同位素 可降水量 时空分布
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未掺杂CdZnTe与掺铟CdZnTe晶体的热处理 被引量:1
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作者 张斌 桑文斌 +1 位作者 李万万 闵嘉华 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第11期1447-1452,共6页
对于未掺杂 Cd0 .9Zn0 .1 Te晶片 ,采用在 Cd/ Zn气氛下 ,以 In作为气相掺杂源进行热处理 ;而对于低阻In- Cd0 .9Zn0 .1 Te晶片 ,则采用在 Te气氛下进行热处理 .分别研究了不同的热处理条件 ,包括温度、时间、p In或 p Te等对晶片电学... 对于未掺杂 Cd0 .9Zn0 .1 Te晶片 ,采用在 Cd/ Zn气氛下 ,以 In作为气相掺杂源进行热处理 ;而对于低阻In- Cd0 .9Zn0 .1 Te晶片 ,则采用在 Te气氛下进行热处理 .分别研究了不同的热处理条件 ,包括温度、时间、p In或 p Te等对晶片电学性能、红外透过率以及 Te夹杂 /沉淀相的影响 .结果表明 ,在 Cd/ Zn气氛下适当的掺 In热处理和在 Te气氛下适当的热处理均有效地提高了晶片的电阻率 ,分别达到 2 .3× 10 1 0 和 5 .7× 10 9Ω· cm。 展开更多
关键词 CDZNte 气相掺杂 热处理 te气氛
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Spatiotemporal Distributions of δD in Atmospheric Water Vapor Based on TES Data During 2004-2009 被引量:2
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作者 章新平 张新主 +2 位作者 关华德 黄一民 吴华武 《Acta meteorologica Sinica》 SCIE 2012年第6期683-699,共17页
The spatial and temporal distributions of the stable isotopes such as HD16O (or 1H2H16O, or HDO) and H2 18O in atmospheric water vapor are related to evaporation in source places, vapor condensation during transport... The spatial and temporal distributions of the stable isotopes such as HD16O (or 1H2H16O, or HDO) and H2 18O in atmospheric water vapor are related to evaporation in source places, vapor condensation during transport, and vapor convergence and divergence, and thus provide useful information for investigation and understanding of the global water cycle. This paper analyzes spatiotemporal variations of the content of iso- tope HDO (i.e., 5D), in atmospheric water vapor, namely, δDv, and the relationship of δDv with atmospheric humidity and temperature at different levels in the troposphere, using the HDO and H2O data retrieved from the Tropospheric Emission Spectrometer (TES) at seven pressure levels from 825 to 100 hPa. The results indicate that δDv has a clear zonal distribution in the troposphere and a good correspondence with atmospheric precipitable water. The results also show that δDv decreases logarithmically with atmospheric pressure and presents a decreasing trend from the equator to high latitudes and from lands to oceans. Sea- sonal changes of δDv exhibit regional differences. The spatial distribution and seasonal variation of δDv in the low troposphere are consistent with those in the middle troposphere, but opposite situations occur from the upper troposphere to the lower stratosphere. The correlation between δDv and temperature has a similar distribution pattern to the correlation between δDv and precipitable water in the troposphere. The stable isotope HDO in water vapor (δDv), compared with that in precipitation (δDp), is of some differences in spatial distribution and seasonal variation, and in its relationship with temperature and humidity, in- dicating that the impacts of stable isotopic fractionation and atmospheric circulation on the two types of stable isotopes are different. 展开更多
关键词 Tropospheric Emission Spectrometer teS) water vapor stable isotope precipitable water spatial and temporal distributions
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TiN薄膜常压化学气相沉积及动力学研究
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作者 杨小毛 《韩山师范学院学报》 2000年第2期57-62,共6页
在玻璃基片温度400℃和650℃之间,讨论TiCl_4—NH_3;—N_2体系TiN常压化学气相沉积(APCVD)及动力学。在500—650℃温度范围内,TiN在高温玻璃表面沉积为反应物扩散控制,低于400℃为表面反应控制,其沉积速度明显受玻璃温度.反应物浓度和... 在玻璃基片温度400℃和650℃之间,讨论TiCl_4—NH_3;—N_2体系TiN常压化学气相沉积(APCVD)及动力学。在500—650℃温度范围内,TiN在高温玻璃表面沉积为反应物扩散控制,低于400℃为表面反应控制,其沉积速度明显受玻璃温度.反应物浓度和气体流速影响。 展开更多
关键词 TIN薄膜 氮化钛 化学气相沉积 四氯化钛 动力学 镀膜玻璃
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