未掺杂CdZnTe与掺铟CdZnTe晶体的热处理

对于未掺杂 Cd0 .9Zn0 .1 Te晶片 ,采用在 Cd/ Zn气氛下 ,以 In作为气相掺杂源进行热处理 ;而对于低阻In- Cd0 .9Zn0 .1 Te晶片 ,则采用在 Te气氛下进行热处理 .分别研究了不同的热处理条件 ,包括温度、时间、p In或 p Te等对晶片电学性能、红外透过率以及 Te夹杂 /沉淀相的影响 .结果表明 ,在 Cd/ Zn气氛下适当的掺 In热处理和在 Te气氛下适当的热处理均有效地提高了晶片的电阻率 ,分别达到 2 .3× 10 1 0 和 5 .7× 10 9Ω· cm。